DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：UAD8C05L01-HXY 编号：C19627024

封装：DFN1006-2L

这款DFN1006-2L封装的高性能双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计，采用先进的1通道结构，拥有超低电容0.35pF，确保高速信号无损传输。器件具备卓越的瞬态抑制能力，峰值脉冲电流IPP高达4A，有效抵御双向静电放电冲击，保护敏感电子设备免受ESD损害，是高速接口和紧凑型电路的理想防护选择。

20+
￥0.128325 ￥0.1711
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￥0.099975 ￥0.1333
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￥0.066525 ￥0.0887
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￥0.062175 ￥0.0829

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型号：ESD3324P-HXY 编号：C4748778

封装：DFN2510-10L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管，专为4通道设计，具有3.3V工作电压耐受值VRWM，有效防止过电压损伤。器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP达4A，并配备超低结电容CJ仅0.5pF，确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号传输的优异品质，是现代多通道高速接口的理想防静电解决方案。

数据手册

10+
￥0.25517 ￥0.2686
100+
￥0.20045 ￥0.211
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￥0.17309 ￥0.1822
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￥0.14307 ￥0.1506
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￥0.126635 ￥0.1333
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￥0.118465 ￥0.1247

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型号：HESDUC5VU4EF-A 编号：C3033480

封装：DFN2510-10L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管，适用于4通道保护，具备5V高稳定VRWM电压阈值，有效防止过电压。器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP，并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF，确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性，是多通道高速接口的理想防静电解决方案。

数据手册

10+
￥0.2612
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￥0.2084
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￥0.182
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￥0.1531
6000+
￥0.1372
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￥0.1293

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型号：PESD5V0G1BLYL 编号：C552551

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用DFN1006-2 (SOD882)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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100+
￥0.46683
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￥0.44954
3000+
￥0.43225
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￥0.39767
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￥0.387296

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型号：LY8BC05 编号：C3034459

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8BAC05是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使其成为保护手机、数码相机和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

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￥0.11268 ￥0.1878
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￥0.08838 ￥0.1473
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￥0.05598 ￥0.0933

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型号：BZX884-B4V7,315 编号：C551205

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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￥0.1595
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￥0.156
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￥0.1537
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￥0.1513

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型号：PESD7V0L1BSLAZ 编号：C3699150

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用DFN1006-2 (SOD882-S1)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的双向静电放电(ESD)保护二极管，用于保护单条信号线免受ESD及其他瞬态干扰的损害。

20+
￥0.192
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￥0.1267
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￥0.1127
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20000+
￥0.0894

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型号：LY03AC5UL 编号：C3019525

封装：DFN1610-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY03AC5UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具备快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。它采用超小型无铅DFN1610 - 2封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

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10+
￥0.21534 ￥0.3589
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￥0.17148 ￥0.2858
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￥0.14958 ￥0.2493
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￥0.1332 ￥0.222
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￥0.12006 ￥0.2001
9000+
￥0.11346 ￥0.1891

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型号：CLAMP1211P 编号：C2688135

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

CLAMP1211P是一款12V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。CLAMP1211P符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。其尺寸小巧且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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20+
￥0.2249
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￥0.173
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￥0.1442
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￥0.1089
20000+
￥0.1008

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型号：ESD5641D07-3/TR 编号：C239774

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.8362
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￥0.6975
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￥0.597
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￥0.5141
2500+
￥0.5

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型号：LT3494EDDB#TRMPBF 编号：C462689

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是低噪声升压转换器，集成了功率开关、肖特基二极管和输出断开电路。采用了一种新颖的控制技术，可在较宽的负载电流范围内实现低输出电压纹波和高效率。该技术保证了开关频率在整个负载范围内都保持在音频频段以上。具有高性能 NPN 功率开关，LT3494A 和 LT3494 的电流限制分别为 350mA 和 180mA。静态电流低至 65μA，在关断状态下可进一步降低至小于 1μA。内部断开电路允许在关断期间将输出电压与输入隔离。辅助参考输入（CTRL 引脚）可将内部 1.225V 反馈参考值覆盖为任何较低值，从而在运行期间完全控制输出电压。采用 8 引脚 3mm×2mm DFN 封装。

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1+
￥33.57
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￥29.15
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￥26.52

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型号：PESD3V3V1BL 编号：C552531

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。该器件采用无引脚超小型SOD882（DFN1006 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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50+
￥0.1079
500+
￥0.1065
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型号：ESD5681N12-2/TR 编号：C240205

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5681NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD5681NXX专门设计用于保护USB端口，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5681NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。电源保护电源管理

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10+
￥0.2627
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￥0.2037
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￥0.1742
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￥0.1521

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型号：TPD4E05U06DQAR 编号：C5337182

封装：DFN2510-10L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高性能ESD静电防护二极管采用DFN2510-10L封装，内含4个独立单向通道。工作电压额定值VRWM为3.3V，每个通道可承受瞬态脉冲电流IPP高达5A，且结电容低至0.3pF，特别适合高速数据接口的ESD防护需求，提供卓越的信号完整性保护，有效抵御静电冲击，确保电路安全稳定运行。

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5+
￥0.597
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￥0.4722
150+
￥0.4098
500+
￥0.363
3000+
￥0.31
6000+
￥0.2912

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型号：BAT32ALS-QYL 编号：C7086092

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用肖特基二极管，采用超小DFN1006BD-2（SOD882BD）无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面可焊。

5+
￥0.7365
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￥0.726
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￥0.719

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型号：PESD3V3L1BSLZ 编号：C3715319

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用DFN1006-2 (SOD882-S1)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的双向静电放电(ESD)保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态影响造成的损坏。

5+
￥0.9236
50+
￥0.7622
150+
￥0.6815

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型号：ESD5302N-3/TR 编号：C239822

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5302N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302N集成了两对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5302N可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5302N采用DFN1006 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1988
200+
￥0.1526
600+
￥0.1269

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型号：ESD5301N-2/TR 编号：C239829

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5301N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5301N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5301N可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准，能够承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5301N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.2508
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￥0.1925
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￥0.16
2000+
￥0.1406

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型号：ESD56241D15-3/TR 编号：C2931300

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56241DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56241DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD56241DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤素。

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5+
￥0.7584
50+
￥0.6095
150+
￥0.5351
500+
￥0.4793

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型号：PESD5V0C2UMYL 编号：C6357008

封装：DFN1006-3

品牌：Nexperia(安世)

极低电容双向静电放电（ESD）保护二极管阵列，属于TrEOS保护系列。该器件采用DFN1006 - 3（SOT883 - 2）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护多达两条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

5+
￥0.964
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￥0.8096
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￥0.7324
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￥0.6745
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￥0.6281
5000+
￥0.605

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型号：BAS30LS-QYL 编号：C7507528

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

高速开关二极管，采用无引脚超小型 DFN1006BD-2 (SOD882BD) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

5+
￥1.4101
50+
￥1.3877
150+
￥1.3729

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型号：ESD5681N07-2/TR 编号：C240204

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5681NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD5681NXX专门设计用于保护USB端口，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5681NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。电源保护电源管理

数据手册

20+
￥0.2808
200+
￥0.2154
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￥0.1791
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￥0.1574

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型号：ESDLLC5V0D8BH 编号：C484332

封装：DFN1006-2

品牌：Yint(音特电子)

ESDLLC5V0D8BH是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单晶硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。ESDLLC5V0D8BH具有超低电容，典型值为0.25 pF，符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。该器件采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。其小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力，使ESDLLC5V0D8BH成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

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