DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

通用肖特基二极管，采用超小DFN1006BD-2（SOD882BD）无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面可焊。

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￥0.7365
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型号：BZX8850S-C3V9-QYL 编号：C3730130

封装：SOD-882

低电流电压调节二极管采用超小型 SOD882BD (DFN1006BD-2) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

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￥0.8779
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型号：BZX884S-B18-QYL 编号：C3730238

封装：SOD-882

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

10000+
￥1.062
20000+
￥1.035
30000+
￥0.999
60000+
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型号：PUSB3BB2DFZ 编号：C3702212

封装：DFN0603-3

对称双向静电放电（ESD）保护二极管阵列，属于TrEOS保护系列。该器件采用DFN0603 - 3（SOT8013）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装，旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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￥1.0467
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￥1.0185

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型号：IP4283CZ10-TBR,115 编号：C551514

封装：DFN2510-10

这些器件旨在保护高速接口，如高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。这些器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构。它们有三种封装形式可供选择：DFN2510 - 10（SOT1165 - 1）、DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）和TSSOP10（SOT552 - 1）。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，仅提供0.6 pF的超低线路电容。根据IEC 61000 - 4 - 2标准4级，这些二极管可为下游组件提供高达±8 kV接触式ESD电压的保护。

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￥1.4016
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型号：BAS30LS-QYL 编号：C7507528

封装：SOT-23

高速开关二极管，采用无引脚超小型 DFN1006BD-2 (SOD882BD) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

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￥1.5652
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型号：LT3494AEDDB#TRPBF 编号：C670743

封装：DFN-8(2x3)

是低噪声升压转换器，集成了功率开关、肖特基二极管和输出断开电路。采用了一种新颖的控制技术，可在较宽的负载电流范围内实现低输出电压纹波和高效率。该技术保证了开关频率在整个负载范围内都保持在音频频段以上。具有高性能 NPN 功率开关，LT3494A 和 LT3494 的电流限制分别为 350mA 和 180mA。静态电流低至 65μA，在关断状态下可进一步降低至小于 1μA。内部断开电路允许在关断期间将输出电压与输入隔离。辅助参考输入（CTRL 引脚）可将内部 1.225V 反馈参考值覆盖为任何较低值，从而在运行期间完全控制输出电压。采用 8 引脚 3mm×2mm DFN 封装。

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￥32.625 ￥36.25
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￥22.941 ￥25.49

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型号：LT3473EDD#PBF 编号：C107840

封装：DFN-8-EP(3x3)

LT3473/LT3473A是采用扁平DFN封装、具有集成肖特基二极管和输出断接电路的微功率升压型DC/DC转换器。内部1A开关允许器件在高达80mA的电流条件下从单节锂离子电池输送25V输出,而自动突发模式操作则可在轻负载条件下保持效率。

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￥54.43
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￥46.81
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型号：PESD5V0G1BLYL 编号：C552551

封装：DFN1006-2

采用DFN1006-2 (SOD882)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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型号：BAT54LS-QYL 编号：C3312605

封装：SOD-882

平面肖特基势垒二极管，采用无铅超小型DFN1006BD-2（SOD882BD）表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面可焊。

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￥0.5505
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￥0.54
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￥0.5331

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型号：ESD5641D12-3/TR 编号：C239778

封装：DFN2x2-3L

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.589
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型号：ESD5641D07-3/TR 编号：C239774

封装：DFN2x2-3L

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

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型号：ESD5641D15-3/TR 编号：C506140

封装：DFN2x2-3L

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

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型号：ESD73044D-10/TR 编号：C506149

封装：DFN2510-10L

ESD73044D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73044D集成了四对超低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73044D可提供高达±12 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达3.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73044D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.9119
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￥0.7208
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型号：PESD18VF1BLYL 编号：C686660

封装：DFN1006-2

采用DFN1006 2（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

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￥6.7122
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￥6.4636
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￥5.9664
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￥5.7178
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型号：BAS21LDYL 编号：C549212

封装：SOD-882D

高压开关二极管，采用无铅超小型DFN1006D-2 (SOD882D) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，带有可见且可焊接的侧焊盘。

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10000+
￥1.221
20000+
￥1.21
30000+
￥1.188

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型号：CN3166 编号：C7435233

封装：DFN-8

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

CN3166是可以用太阳能供电的单节锂电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管，不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的充电电流自适应模块能够根据输入电源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑最坏情况，可最大限度地利用输入电源的电流输出能力，非常适合利用太阳能板等电流输出能力有限的电源供电的锂电池充电应用。CN3166只需要极少的外围元器件，非常适合便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度调制在132°C左右以避免芯片温度过高。内部固定的恒压充电电压为4.2V，也可以通过一个外部的电阻向上调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时，CN3166自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池电流小于3微安。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，符合JEITA标准的电池温度监测，充电电流过流保护以及充电状态/充电结束状态指示等功能。CN3166采用2mm×3mm的8管脚DFN封装。

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￥1.8051
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￥1.4271
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￥1.2651
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￥1.0178
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￥0.9278
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￥0.8738

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型号：BZX884S-B68YL 编号：C3732920

封装：SOD-882

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

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￥2.3969
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￥2.0578
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￥1.9124
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￥1.731
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￥1.6099
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￥1.5614

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型号：BZX884S-B36YL 编号：C3738568

封装：SOD-882

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

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￥4.71
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￥4.66
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￥4.62
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￥4.58

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型号：BZX884S-C20-QYL 编号：C3739238

封装：SOD-882

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

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型号：BZX884S-B13-QYL 编号：C3765602

封装：SOD-882

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

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￥4.66

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型号：TBU-DT065-200-WH 编号：C2649815

封装：DFN-4(5x5)

品牌：BOURNS

TBU（瞬态阻断单元）产品的TBU-DT系列是超低电容双单向高速浪涌保护组件，旨在防止由短路、交流电源串扰、感应和雷击浪涌引起的故障。TBU-DT系列是单向TBU⊥器件；仅当电流在一个方向达到最大值时，即引脚1相对于引脚2电压为正，引脚4相对于引脚3电压为正时，TBU⊥保护器将在小于1 μs的时间内触发。在相反极性下不存在限流，TBU⊥器件本质上呈电阻性。反向电流不应超过TBU器件的最大触发电流水平。在直流偏置应用中，可使用外部二极管来防止反向电流。TBU⊥保护器可阻断浪涌，并提供有效的隔离，在浪涌事件期间，敏感电子设备不会暴露在高电压或大电流下。浪涌过后，当TBU器件两端的电压降至Vreset水平时，TBU器件会复位。TBU器件将在无直流偏置或直流偏置低于Vreset的线路（如未通电的信号线）上自动复位。TBU⊥器件采用表面贴装DFN封装，符合RoHS和无铅焊料回流曲线等行业标准要求。

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1+
￥17.16
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￥14.36
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￥12.6
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￥10.81

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型号：LT3463AEDD#TRPBF 编号：C670579

封装：DFN-10-EP(3x3)

LT3463/LT3463A 是双路微功耗 DC/DC 转换器，内置肖特基二极管，采用 10 引脚 3mm x 3mm DFN 封装。LT3463 负向和正向转换器的电流限制为 250mA。LT3463A 正向转换器的电流限制同样为 250mA，而负向转换器的电流限制为 400mA

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1+
￥52.7
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￥51.36
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￥50.46

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型号：LT3420EDD-1#PBF 编号：C670529

封装：DFN-10-EP(3x3)

可快速高效地为高压闪光灯电容器充电。采用反激式拓扑，效率比同类闪存模块高出四倍。独特的自适应关断时间控制算法，可在整个充电周期内保持电流限制的连续模式变压器运行，消除模块中常见的高浪涌电流。输出电压感应方案可监测反激电压，间接调节输出电压，无需输出电阻分压器或分立齐纳二极管。此功能可使电容器保持完全充电状态，且不会过度消耗功率。自动刷新功能（可禁用）可使电容器保持充电状态，平均输入电流约为2mA，刷新速率可由用户定义。充电引脚为逻辑高电平时启动充电，完成引脚则指示电容器已完全充电。有10引脚MSOP和(3mm × 3mm) DFN封装可选。

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￥76.78
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￥73.19
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￥66.98
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￥57.2601 ￥61.57

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型号：ESDU3V3ADB 编号：C22470317

封装：DFN1x0.6-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

ESDU...ADB 系列 TVS 二极管旨在保护敏感电子设备免受因 ESD 及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闭锁。它们的工作电压有 3.3V、5V、12V 可选。这些器件为单向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。TVS 二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它们具备用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。它们采用 DFN1x0.6 - 2L 封装。标准产品无铅且无卤素。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。

20+
￥0.0851
200+
￥0.0831
600+
￥0.0818

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型号：ESDU12VADB 编号：C22470316

封装：DFN1x0.6-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

ESDU...ADB 系列 TVS 二极管旨在保护敏感电子设备，使其免受因 ESD 及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闭锁。它们的工作电压有 3.3V、5V、12V 可选。这些器件为单向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。TVS 二极管是专门为瞬态抑制设计的固态器件。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它们具备用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。它们采用 DFN1x0.6-2L 封装。标准产品无铅且无卤素。由于其封装小、重量轻，它们特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。

20+
￥0.0851
200+
￥0.0831
600+
￥0.0818

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型号：PESD3V3S1BLYL 编号：C552521

封装：DFN1006-2

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。该器件采用无引脚超小型SOD882（DFN1006 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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10000+
￥0.708
20000+
￥0.69
30000+
￥0.666
60000+
￥0.648

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型号：ESDA6V8UD-10/TR 编号：C506148

封装：DFN2510-10L