DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN1006-2(SOD-882)

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列。该器件采用小型无引脚DFN1006BD - 2（SOD882BD）表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有可焊侧沿。该器件旨在保护一条汽车车内网络总线线路免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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型号：BZX884S-C5V6YL 编号：C3739157

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

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型号：BZX8850S-C4V7-QYL 编号：C5311554

封装：SOD-323

品牌：Nexperia(安世)

低电流电压调节二极管采用超小型 SOD882BD (DFN1006BD-2) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

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￥2.0088
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型号：BZX8850S-C30YL 编号：C3729394

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

低电流电压调节器二极管采用超小型 SOD882BD (DFN1006BD-2) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

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￥4.88
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型号：PHDMI2FR4Z 编号：C552639

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该器件旨在保护高速视频接口，如高清多媒体接口（HDMI）和DisplayPort接口，免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射器和接收器。该器件采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，线路电容超低，仅为0.29 pF。这些二极管采用回滞结构，可为下游组件提供高达±15 kV接触ESD电压的保护，超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的4级要求。

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￥5.76
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型号：BZX884-C8V2,315 编号：C551251

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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￥6.22
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型号：LTC4059EDC#TRMPBF 编号：C687193

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4059/LTC4059A 是用于单节锂离子电池的恒流/恒压线性充电器。其 2mm×2mm DFN 封装和少量的外部元件数量，使这些充电器特别适用于便携式应用。此外，它们设计为符合 USB 电源规格，无需外部检测电阻、MOSFET 或隔离二极管

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￥44.18
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￥37.602 ￥41.78

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型号：LT1912EDD#PBF 编号：C579925

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款可调频率（200kHz至500kHz）的单片降压开关稳压器，可接受高达36V的输入电压。芯片上集成了一个高效的0.25Ω开关、一个升压肖特基二极管以及必要的振荡器、控制和逻辑电路。采用电流模式拓扑，具有快速瞬态响应和良好的环路稳定性。允许使用陶瓷电容器，可实现低输出纹波，同时将整体解决方案尺寸降至最小。低电流关断模式可将输入电源电流降至小于1μA，RUN/SS引脚上的电阻和电容可提供受控的输出电压斜坡（软启动）。有10引脚MSOP和3mm×3mm DFN封装，带有外露焊盘，可实现低热阻。

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￥58.16
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￥56.8
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￥51.1407 ￥54.99

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型号：AU1521P1 编号：C3002764

封装：DFN1006-2

品牌：Applied Power(应能微)

AU1521P1是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU1521P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用超小型无铅DFN1006 - 2封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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￥0.10326 ￥0.1721
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￥0.08988 ￥0.1498
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型号：PESD3V3V1BL 编号：C552531

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。该器件采用无引脚超小型SOD882（DFN1006 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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型号：BZX884-B4V7,315 编号：C551205

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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10+
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￥0.1725
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型号：NSR02L30NXT5G 编号：C464088

封装：0201

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管针对低正向压降和低漏电流进行了优化。DSN2（双硅无引脚）封装是一种芯片级封装，在封装下方使用可焊接金属触点，类似于DFN封装。DSN封装可使封装面积100%用于有源硅，与塑料模塑封装产品相比，在单位电路板面积上具有显著的性能优势。低热阻使设计人员能够应对提高效率和满足更小空间要求的挑战。

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20000+
￥0.55824
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型号：BAS16LS-QYL 编号：C5259064

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

高速开关二极管，采用无铅超小DFN1006BD-2（SOD882BD）表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面可焊。

10000+
￥0.708
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30000+
￥0.666
60000+
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型号：PUSB3FA2Z 编号：C5289044

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该设备旨在保护诸如10 Gbps的SuperSpeed USB 3.1、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口等高速接口免受静电放电（ESD）的影响。该设备包括一个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射器和接收器。该设备封装在一个无引脚的小型DFN2510A-10（SOT1176-1）塑料封装中。所有信号线都由一种特殊二极管配置保护，提供最大仅为0.2 pF的极低线路电容。这些二极管采用箝位结构，以提供对高达±15 kV接触电压的下游组件的保护，超过了IEC 61000-4-2标准的4级要求。

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￥2.48
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￥2.45
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￥2.43
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型号：PUSB3F99X 编号：C553552

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该器件旨在保护高速接口，如超高速USB、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构，采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。

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￥3.52
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￥3.47
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￥3.44
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￥3.42

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型号：PUSB3FA1Z 编号：C553554

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该器件旨在保护高速接口，如10 Gbps的SuperSpeed USB 3.2、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射器和接收器。器件采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，线路电容超低，仅为0.29 pF。这些二极管采用回滞结构，可为下游组件提供高达±15 kV接触式ESD电压保护，超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的4级要求。

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1+
￥5.34
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￥4.69
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￥4.36
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￥4.04
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￥3.85
1000+
￥3.75

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型号：BZX884-C5V6,315 编号：C551245

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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￥6.41
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￥5.62
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￥5.22
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￥4.83
500+
￥4.59
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￥4.47

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型号：IP4283CZ10-TBA,115 编号：C551513

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

这些器件旨在保护高速接口，如高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。这些器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构。它们有三种封装形式可供选择：DFN2510 - 10（SOT1165 - 1）、DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）和TSSOP10（SOT552 - 1）。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，仅提供0.6 pF的超低线路电容。根据IEC 61000 - 4 - 2标准4级，这些二极管可为下游组件提供高达±8 kV接触式ESD电压的保护。

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￥8.48
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￥7.24
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型号：MCP2021AT-500E/MD 编号：C623163

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP2021A/2A 符合 LIN 总线规范版本 1.3 和 2.1 以及 SAE J2602-2。它们支持最高 20 kBaud 的波特率，并具有 43V 负载瞬变保护。最大连续输入电压为 30V，供电电压范围为 6.0 至 18.0V。扩展温度范围为 -40 至 +125°C。这些设备可以与 MCU EUSART 和标准 USART 接口，并且可以通过 LIN 总线活动或本地唤醒输入唤醒。LIN 总线引脚包括内部上拉终止电阻和用于从节点的二极管，并且受到 VBAT 短路、接地丢失和高电流驱动的保护。TXD 和 LIN 总线具有显性超时功能。这些设备有两种低功耗模式：发送器关闭（典型值 90 µA）和掉电（典型值 4.5 µA）。一个输出指示内部复位状态（POR 或睡眠唤醒）。MCP2021A/2A 片上电压调节器在温度范围内提供 ±3% 容差的 5.0V 或 3.3V 70 mA 输出，并具有内部短路电流限制。外部组件仅限于滤波电容和负载电容。这些设备具有自动热关断、高电磁抗扰度（EMI）和低电磁辐射（EME）。它们还具有稳健的 ESD 性能（LBUS 和 VBB 引脚为 ±15 kV），并在汽车环境中为 LBUS 和 VBB 引脚提供瞬态保护（ISO7637）。MCP2021A/2A 满足严格的汽车设计要求，包括“汽车应用中的 LIN、CAN 和 FlexRay 接口 OEM 硬件要求”，版本 1.2，2011 年 3 月。提供多种封装选项，包括小型 4x4 mm DFN 封装。MCP2021A/2A 提供双向半双工通信物理接口，以满足 LIN 总线规范修订版 2.1 和 SAE J2602-2。这些设备集成了 5V 或 3.3V 70 mA 稳压电源输出的电压调节器。它们设计用于满足汽车行业严格的静态电流要求，并能够承受 +43V 负载瞬变和双电池跳变。

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1+
￥12.4676 ￥17.56
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￥10.4737 ￥17.17
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￥8.6241 ￥16.91
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￥8.4915 ￥16.65

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型号：MCP2021A-500E/MD 编号：C637684

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP2021A/2A 符合 LIN 总线规范版本 1.3 和 2.1 以及 SAE J2602-2。它们支持最高 20 kBaud 的波特率，并具有 43V 负载瞬变保护。最大连续输入电压为 30V，供电电压范围为 6.0 至 18.0V。扩展温度范围为 -40 至 +125°C。这些设备可以与 MCU EUSART 和标准 USART 接口，并且可以通过 LIN 总线活动或本地唤醒输入唤醒。LIN 总线引脚包括内部上拉终止电阻和用于从节点的二极管，并且受到 VBAT 短路、接地丢失和高电流驱动的保护。TXD 和 LIN 总线具有显性超时功能。这些设备有两种低功耗模式：发送器关闭（典型值 90 µA）和掉电（典型值 4.5 µA）。一个输出指示内部复位状态（POR 或睡眠唤醒）。MCP2021A/2A 片上电压调节器在温度范围内提供 ±3% 容差的 5.0V 或 3.3V 70 mA 输出，并具有内部短路电流限制。外部组件仅限于滤波电容和负载电容。这些设备具有自动热关断、高电磁抗扰度（EMI）和低电磁辐射（EME）。它们还具有稳健的 ESD 性能（LBUS 和 VBB 引脚为 ±15 kV），并在汽车环境中为 LBUS 和 VBB 引脚提供瞬态保护（ISO7637）。MCP2021A/2A 满足严格的汽车设计要求，包括“汽车应用中的 LIN、CAN 和 FlexRay 接口 OEM 硬件要求”，版本 1.2，2011 年 3 月。提供多种封装选项，包括小型 4x4 mm DFN 封装。MCP2021A/2A 提供双向半双工通信物理接口，以满足 LIN 总线规范修订版 2.1 和 SAE J2602-2。这些设备集成了 5V 或 3.3V 70 mA 稳压电源输出的电压调节器。它们设计用于满足汽车行业严格的静态电流要求，并能够承受 +43V 负载瞬变和双电池跳变。

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￥12.9007 ￥18.17
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￥10.8397 ￥17.77
30+
￥8.925 ￥17.5
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￥8.7822 ￥17.22

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型号：LTC5532EDC#TRMPBF 编号：C688651

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC5532是一款用于RF应用的300MHz至7GHz范围内的RF功率检测器。它结合了温度补偿肖特基二极管峰值检测器和缓冲放大器，封装在小型ThinSOT或2mm x 2mm DFN封装中。

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￥49.06
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￥42.28
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￥38.15
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￥34.69

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型号：LESD8D3.3CAT5G 编号：C5451660

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该DFN1006-2L封装双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，具备单通道强大保护功能。能有效应对9A峰值瞬态电流，双向抑制ESD冲击，保障电路安全。其结电容低至15pF，特别适应高速数据传输需求，提供卓越的信号完整性和高效ESD防护性能，是紧凑型电子设备的理想选择。

50+
￥0.0601
500+
￥0.0472
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￥0.04
10000+
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￥0.0319
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型号：HESDLC5VB1AF-A 编号：C3033475

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道保护。具备2.5A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD冲击。其低至2.5pF的结电容确保在高速信号传输中保持优异信号完整性，是小型化电子设备和高要求接口的理想选择，提供强大的静电防护功能。

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50+
￥0.0615
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￥0.0474
1500+
￥0.0396
10000+
￥0.0333
20000+
￥0.0292
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型号：BCT1810ELT-TR 编号：C46609547

封装：DFN-6L-EP(1.6x1.6)

品牌：BROADCHIP(广芯电子)

该产品是高效、高频同步 DC-DC 降压转换器。100% 占空比特性可实现低压差运行，延长便携式系统中的电池寿命。内部同步开关提高了效率，无需外部肖特基二极管。在关断模式下，输入电源电流小于 1μA。该产品集成了电流限制、输出短路保护和热保护功能。采用绿色 SOT23-5、DFN1.6×1.6-6L 封装，使用最少的外部组件即可提供紧凑的解决方案。

20+
￥0.1248
200+
￥0.1219
600+
￥0.12

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型号：BCT1013ELT-TR 编号：C46609655

封装：DFN-6L-EP(2x2)

品牌：BROADCHIP(广芯电子)

是高效率、高频同步 DC-DC 降压转换器。100% 占空比特性提供低压差运行，可延长便携式系统中的电池寿命。内部同步开关提高效率，无需外部肖特基二极管。在关断模式下，输入电源电流小于 1μA。集成了电流限制、输出短路保护和热保护。采用绿色 SOT23-5、DFN2x2-6L 封装，工作环境温度范围为-40°C 至 +85°C。

10+
￥0.1781
100+
￥0.1738
300+
￥0.1709
1000+
￥0.168

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型号：PESDU2401P1 编号：C610232

封装：DFN1006-2

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDU2401P1是一款24V单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU2401P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU2401P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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10+
￥0.2053
100+
￥0.1813
300+
￥0.1693
1000+
￥0.1602
5000+
￥0.1413

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型号：PESD3V3V1BLYL 编号：C5199764

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。该器件采用无引脚超小型SOD882（DFN1006 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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10000+
￥1.062
20000+
￥1.035
30000+
￥0.999
60000+
￥0.972

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型号：ESD56241D22-3/TR 编号：C506141

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56241DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56241DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD56241DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤素。

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￥0.869
50+
￥0.6793
150+
￥0.5845
500+
￥0.5134

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型号：NSR01F30NXT5G 编号：C893807

封装：0201

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管针对低正向压降和低泄漏电流进行了优化。DSN2（双硅无铅）封装是一种芯片级封装，在封装下方使用可焊接金属触点，类似于DFN风格封装。DSN风格封装能够100%利用封装面积用于有源硅，与塑料模塑封装产品相比，在每单位电路板面积上具有显著的性能优势。低热阻使设计人员能够应对实现更高效率和满足更小空间要求的挑战。

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1+
￥5.36
10+
￥4.37
30+
￥3.88

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型号：SM8SF36CA-Q 编号：C1977734

封装：DFN-2(8.1x10.5)

品牌：BOURNS

SM8SF-Q系列瞬态电压抑制（TVS）二极管专为保护敏感电子设备免受过电压影响而设计，符合ISO7637 - 2和ISO16750 - 2标准（具体依测试条件而定）。SM8SF-Q系列提供24 V至36 V的工作峰值反向电压选择，击穿电压最高可达40 V。SM8SF-Q采用8.1 mm×10.5 mm的紧凑型DFN封装，高度仅1.3 mm，便于在当今紧凑的PCB设计中进行布局。

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