DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PUSB3BB2DFZ 编号：C3702212

封装：DFN0603-3

品牌：Nexperia(安世)

对称双向静电放电（ESD）保护二极管阵列，属于TrEOS保护系列。该器件采用DFN0603 - 3（SOT8013）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装，旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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型号：IP4283CZ10-TBR,115 编号：C551514

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

这些器件旨在保护高速接口，如高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。这些器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构。它们有三种封装形式可供选择：DFN2510 - 10（SOT1165 - 1）、DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）和TSSOP10（SOT552 - 1）。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，仅提供0.6 pF的超低线路电容。根据IEC 61000 - 4 - 2标准4级，这些二极管可为下游组件提供高达±8 kV接触式ESD电压的保护。

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型号：PHDMI2F4X 编号：C552638

封装：DFN2510A-10

品牌：Nexperia(安世)

该设备旨在保护高速接口，如高清多媒体接口 (HDMI) 标准 2.0 及以下的最小化传输差分信号 (TDMS) 线路，免受静电放电 (ESD) 的影响。该设备包括四个用于超高速信号线的高级 ESD 保护二极管结构，并采用无铅小型 DFN2510A-10 (SOT1176-1) 塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，仅提供 0.5 pF 的超低线路电容。这些二极管采用独特的回滞结构，以保护下游组件免受高达 ±10 kV 的 ESD 电压影响，超过了 IEC 61000-4-2 4 级标准。

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型号：LT3463AEDD#TRPBF 编号：C670579

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3463/LT3463A 是双路微功耗 DC/DC 转换器，内置肖特基二极管，采用 10 引脚 3mm x 3mm DFN 封装。LT3463 负向和正向转换器的电流限制为 250mA。LT3463A 正向转换器的电流限制同样为 250mA，而负向转换器的电流限制为 400mA

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型号：ESD5342N-3/TR 编号：C506145

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5342N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5342N集成了两对低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5342N可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5342N采用DFN1006 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

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型号：BZX884-C3V9,315 编号：C551237

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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型号：BAS40LS-QYL 编号：C3312606

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用肖特基二极管，采用无铅超小型DFN1006BD-2 (SOD882BD)表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

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￥0.6783
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型号：ESD56241D24-3/TR 编号：C2931301

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56241DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56241DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD56241DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤素。

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型号：PESD30VF1BLS-QYL 编号：C20466856

封装：DFN1006-2(SOD-882)

品牌：Nexperia(安世)

采用DFN1006BD-2 (SOD882BD)无铅超小型表面贴装器件 (SMD)塑料封装的超低电容双向静电放电 (ESD)保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态电压的损害。

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型号：SDM1100LP-7 编号：C6999905

封装：UDFN2020-2

品牌：DIODES(美台)

肖特基势垒整流器采用低VF和低反向泄漏设计，采用薄型U-DFN2020-2（B型）封装。它非常适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。

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型号：PESD5V5C1BLYL 编号：C18212174

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列。该器件采用小型无引脚DFN1006 - 2（SOD882 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。超低电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合，使该器件非常适合用于高速数据线保护。

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￥2.3381
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型号：BZX884S-B68YL 编号：C3732920

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

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￥2.3969
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￥2.0578
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型号：BZX8850S-C20-QYL 编号：C3734613

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

低电流电压调节二极管采用超小型 SOD882BD (DFN1006BD-2) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

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￥3.4
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型号：BZX884S-B36YL 编号：C3738568

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

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￥4.71
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型号：LT3494AEDDB#TRPBF 编号：C670743

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是低噪声升压转换器，集成了功率开关、肖特基二极管和输出断开电路。采用了一种新颖的控制技术，可在较宽的负载电流范围内实现低输出电压纹波和高效率。该技术保证了开关频率在整个负载范围内都保持在音频频段以上。具有高性能 NPN 功率开关，LT3494A 和 LT3494 的电流限制分别为 350mA 和 180mA。静态电流低至 65μA，在关断状态下可进一步降低至小于 1μA。内部断开电路允许在关断期间将输出电压与输入隔离。辅助参考输入（CTRL 引脚）可将内部 1.225V 反馈参考值覆盖为任何较低值，从而在运行期间完全控制输出电压。采用 8 引脚 3mm×2mm DFN 封装。

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￥32.4544 ￥36.88
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￥27.984 ￥31.8
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￥22.9768 ￥26.11

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型号：LTC5532EDC#TRMPBF 编号：C688651

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC5532是一款用于RF应用的300MHz至7GHz范围内的RF功率检测器。它结合了温度补偿肖特基二极管峰值检测器和缓冲放大器，封装在小型ThinSOT或2mm x 2mm DFN封装中。

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型号：LT3420EDD-1#PBF 编号：C670529

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

可快速高效地为高压闪光灯电容器充电。采用反激式拓扑，效率比同类闪存模块高出四倍。独特的自适应关断时间控制算法，可在整个充电周期内保持电流限制的连续模式变压器运行，消除模块中常见的高浪涌电流。输出电压感应方案可监测反激电压，间接调节输出电压，无需输出电阻分压器或分立齐纳二极管。此功能可使电容器保持完全充电状态，且不会过度消耗功率。自动刷新功能（可禁用）可使电容器保持充电状态，平均输入电流约为2mA，刷新速率可由用户定义。充电引脚为逻辑高电平时启动充电，完成引脚则指示电容器已完全充电。有10引脚MSOP和(3mm × 3mm) DFN封装可选。

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型号：ESDU3V3ADB 编号：C22470317

封装：DFN1x0.6-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

ESDU...ADB 系列 TVS 二极管旨在保护敏感电子设备免受因 ESD 及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闭锁。它们的工作电压有 3.3V、5V、12V 可选。这些器件为单向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。TVS 二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它们具备用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。它们采用 DFN1x0.6 - 2L 封装。标准产品无铅且无卤素。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。

20+
￥0.1662
200+
￥0.1295
600+
￥0.1091

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型号：ESDU12VADB 编号：C22470316

封装：DFN1x0.6-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

ESDU...ADB 系列 TVS 二极管旨在保护敏感电子设备，使其免受因 ESD 及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闭锁。它们的工作电压有 3.3V、5V、12V 可选。这些器件为单向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。TVS 二极管是专门为瞬态抑制设计的固态器件。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它们具备用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。它们采用 DFN1x0.6-2L 封装。标准产品无铅且无卤素。由于其封装小、重量轻，它们特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。

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￥0.1662
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￥0.1295
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￥0.1091

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型号：BZX884S-C16-QYL 编号：C3742581

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

5+
￥0.5956
50+
￥0.5861
150+
￥0.5799

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型号：BAS116LSYL 编号：C3759499

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

低泄漏二极管，采用超小型 DFN1006BD-2 (SOD882BD) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，具有可侧焊侧翼。

5+
￥0.7388
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￥0.7298
150+
￥0.7238
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￥0.7177

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型号：BZX8850S-C2V0-QYL 编号：C3736932

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

低电流电压调节二极管采用超小型 SOD882BD (DFN1006BD-2) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

5+
￥0.9111
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￥0.7249
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￥0.6318
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￥0.5619
2500+
￥0.4828
5000+
￥0.4548

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型号：BZX884S-B18-QYL 编号：C3730238

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

10000+
￥1.062
20000+
￥1.035
30000+
￥0.999
60000+
￥0.981

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型号：PESD5V0X1BCL,315 编号：C552589

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用无引脚超小型SOD882（DFN1006 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装的极低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。极低的电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合，使该器件非常适合用于高速数据线保护。

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50+
￥0.700245
500+
￥0.648375
1000+
￥0.62244
5000+
￥0.596505
10000+
￥0.580944

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型号：BZX884S-C5V6YL 编号：C3739157

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

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￥2.1156
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￥1.8162
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￥1.6879
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￥1.5278
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￥1.4209
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￥1.3781

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型号：BZX8850S-C4V7-QYL 编号：C5311554

封装：SOD-323

品牌：Nexperia(安世)

低电流电压调节二极管采用超小型 SOD882BD (DFN1006BD-2) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

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5+
￥2.34
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￥2.0088
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￥1.8669
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￥1.6899
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￥1.5716
6000+
￥1.5243

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型号：PHDMI2FR4Z 编号：C552639

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该器件旨在保护高速视频接口，如高清多媒体接口（HDMI）和DisplayPort接口，免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射器和接收器。该器件采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，线路电容超低，仅为0.29 pF。这些二极管采用回滞结构，可为下游组件提供高达±15 kV接触ESD电压的保护，超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的4级要求。

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