DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

这款DFN0603-2L封装双向ESD静电防护二极管，专为单通道应用设计。具有5V的高耐压VRWM特性，可有效防止过电压损害。器件提供高达8A的峰值脉冲电流IPP能力，并拥有低至15pF的结电容CJ，确保在高效抑制ESD的同时，维持高速信号线路的优异传输质量，是小型化、高性能接口的理想防静电保护组件。

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20+
￥0.1697
200+
￥0.1319
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型号：PESDU1261P1 编号：C610227

封装：DFN1006-2

PESDU1261P1是12V双向TVS二极管，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU1261P1符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30kV。它采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD保护使PESDU1261P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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型号：IP4292CZ10-TBR,115 编号：C478014

封装：DFN2510A-10

该器件旨在保护高速接口，如超高速USB、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构，并采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均由特殊的二极管配置保护，仅提供0.55 pF的超低线路电容。这些二极管采用独特的回滞结构，以便为下游组件提供高达±8 kV接触的ESD电压保护，超过了IEC 61000 - 4 - 2的4级标准。

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50+
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型号：SDM1M40LP8Q-7 编号：C6802428

封装：UDFN1608-2

品牌：DIODES(美台)

封装在坚固的行业标准 U-DFN1608-2 封装中，提供非常低的正向电压降 (VF) 和出色的高温反向泄漏稳定性。适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。

单价：
￥0.619751 / 个

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型号：NSR02L30NXT5G 编号：C464088

封装：0201

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管针对低正向压降和低漏电流进行了优化。DSN2（双硅无引脚）封装是一种芯片级封装，在封装下方使用可焊接金属触点，类似于DFN封装。DSN封装可使封装面积100%用于有源硅，与塑料模塑封装产品相比，在单位电路板面积上具有显著的性能优势。低热阻使设计人员能够应对提高效率和满足更小空间要求的挑战。

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型号：NSR01F30NXT5G 编号：C893807

封装：0201

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管针对低正向压降和低泄漏电流进行了优化。DSN2（双硅无铅）封装是一种芯片级封装，在封装下方使用可焊接金属触点，类似于DFN风格封装。DSN风格封装能够100%利用封装面积用于有源硅，与塑料模塑封装产品相比，在每单位电路板面积上具有显著的性能优势。低热阻使设计人员能够应对实现更高效率和满足更小空间要求的挑战。

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型号：LTC2996IDD#PBF 编号：C683971

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一种高精度温度传感器，具有可调节的过温和欠温阈值以及开漏报警输出。它将外部二极管传感器的温度或自身管芯温度转换为模拟输出电压，同时消除因噪声和串联电阻引起的误差。将测量的温度与用电阻分压器设置的上下限进行比较。如果超过阈值，设备会通过拉低相应的开漏逻辑输出来发出警报。使用常见的 NPN 或 PNP 晶体管或内置在现代数字设备中的温度二极管，可提供 ±1℃ 的精确温度结果。1.8V 参考输出简化了阈值编程，可作为 ADC 参考输入。在紧凑的 3mm×3mm DFN 封装中为温度监测提供了准确、低功耗的解决方案。

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型号：AU0721P0 编号：C393862

封装：DFN0603-2

AU0721P0是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0721P0符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。其小尺寸和高ESD浪涌保护能力，使AU0721P0成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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￥0.07704 ￥0.1284
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￥0.06612 ￥0.1102
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型号：AR0821P1 编号：C3002755

封装：DFN1006-2

AR0821P1是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0821P1具有超低电容，典型值为0.3 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±25 kV，接触放电±20 kV。它采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力使AR0821P1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

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￥0.10146 ￥0.1691
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型号：AU1521P1 编号：C3002764

封装：DFN1006-2

AU1521P1是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU1521P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用超小型无铅DFN1006 - 2封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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￥0.10326 ￥0.1721
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型号：ESD11LL5.0C-HXY 编号：C4748777

封装：DFN0603-2L

这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为单通道设计，具有5V高耐压VRWM特性，能有效防止过电压冲击。器件提供瞬态峰值电流IPP高达4A，并配备超低结电容CJ仅为0.35pF，确保在实现卓越ESD防护性能的同时保持高速信号传输的绝佳完整性，是针对现代高性能接口的理想防静电解决方案。

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20+
￥0.2143
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￥0.1657
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型号：ESD8LL5.0C-HXY 编号：C4748766

封装：DFN1006-2L

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供高效单通道保护。拥有4A峰值脉冲电流IPP能力，能有效吸收和钳位双向瞬态ESD电压，确保电路不受损坏。其超低结电容0.35pF设计尤其适用于高速数据接口，确保信号完整性的同时提供卓越的静电防护性能。

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20+
￥0.2181
200+
￥0.1695
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型号：ESD8D24C-HXY 编号：C4748773

封装：DFN1006-2L

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为24V系统设计，提供单通道高效防护。具备5A峰值脉冲电流IPP能力，有效抵御双向瞬态ESD事件，确保设备在高电压环境下免受静电损害。15pF结电容适合高速接口应用，兼具出色的信号完整性和卓越的静电放电防护性能。

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20+
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￥0.1695
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型号：PESDU4581P6 编号：C610241

封装：DFN1610-2

PESDU4581P6是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDU4581P6符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU4581P6成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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5+
￥0.567
50+
￥0.4517
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型号：PESDU0521P0N 编号：C610222

封装：DFN0603-2

PESDU0521P0N是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅DFN封装。超小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU0521P0N成为替代0201尺寸多层压敏电阻（MLV）的理想选择，可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。

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20+
￥0.1425
200+
￥0.1118
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￥0.0947
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型号：AR0521P0 编号：C393848

封装：DFN0603-2

AR0521P0是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0521P0具有超低电容，典型值为0.3 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±25 kV，接触放电±22 kV。它采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护特性，使AR0521P0成为保护手机、数字视频接口、HDMI、DVI、USB2.0、USB3.0等高速端口的理想选择。

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1+
￥0.149
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￥0.1279
30+
￥0.1161
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￥0.1091
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￥0.0997

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型号：BZX884-B39,315 编号：C551197

封装：SOD-882

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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10000+
￥0.42
20000+
￥0.413
40000+
￥0.4025
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型号：PESD24VF1BL 编号：C179411

封装：DFN1006-2

采用DFN1006-2（SOD882）超小型无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

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10+
￥0.3373
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￥0.3324
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￥0.3292
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￥0.326

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型号：ESD5641D10-3/TR 编号：C910980

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅、无卤。

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3000+
￥0.322
6000+
￥0.32085
9000+
￥0.31136

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型号：PESD18VF1BLYL 编号：C686660

封装：DFN1006-2

采用DFN1006 2（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

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10+
￥1.62
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￥1.56
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￥1.44
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￥1.38
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￥1.344

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型号：PESDR0511P0A 编号：C610219

封装：DFN0603-2

PESDR0511P0A是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。PESDR0511P0A集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，PESDR0511P0A可提供高达±15kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。PESDR0511P0A采用DFN0603 - 2封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.2598
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￥0.2059
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￥0.1759
2000+
￥0.1579

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型号：BZX8850S-C3V0-QYL 编号：C3738602

封装：SOD-882