DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：0201

这些肖特基势垒二极管针对低正向压降和低漏电流进行了优化。DSN2（双硅无引脚）封装是一种芯片级封装，在封装下方使用可焊接金属触点，类似于DFN封装。与塑料模塑封装产品相比，DSN封装能够100%利用封装面积来布置有源硅，在单位电路板面积性能方面具有显著优势

数据手册

10+
￥0.55144
20+
￥0.53336
40+
￥0.52432
80+
￥0.4972

我要订货

型号：MCP2025-330E/MD 编号：C637687

封装：DFN-8(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

符合LIN总线规范版本1.3、2.1以及SAE J2602-2。支持最高至20kBd的波特率。43V负载突降保护。最大连续输入电压：30V。宽范围LIN兼容供电电压：6.0-18.0V。扩展温度范围：-40°C至+125°C。接口到P|C^(B) EUSART和标准USART。可通过LIN总线活动或本地唤醒输入唤醒。本地互连网络（LIN）总线引脚：- 内部上拉端接电阻和二极管，适用于从节点 - 防止VBAT短路 - 防止地线丢失 - 高电流驱动。TXD和LIN总线主导时间超时功能。两种低功耗模式：- 发送器关闭：90 µA（典型值）- 电源关闭：4.5 µA（典型值）。MCP2025片上电压调节器：- 在70 mA能力下输出5.0V或3.3V电压，整个温度范围内容差为±3% - 内部短路电流限制 - 外部组件仅限于滤波电容和负载电容。自动热关断。高电磁抗扰度（EMI），低电磁发射（EME）。强大的ESD性能：LBUS和VBB引脚±15 kV（IEC61000-4-2）。汽车环境中LBUS和VBB引脚的瞬态保护（ISO7637）。满足严格的汽车设计要求，包括“汽车应用中LIN、CAN和FlexRay接口的OEM硬件要求”，版本1.3，2012年5月。多种封装选项，包括小型4x4 mm DFN封装。MCP2025提供双向半双工通信物理接口以满足LIN总线规范修订版2.1和SAE J2602-2的要求。该设备集成了一个电压调节器，可提供70 mA下的5V或3.3V稳压电源输出。该设备设计用于满足汽车行业严格的静态电流要求，并能承受+43V负载突降瞬变和双电池跳变。MCP2025系列成员包括：- MCP2025-500，8引脚LIN驱动器，带5.0V调节器 - MCP2025-330，8引脚LIN驱动器，带3.3V调节器

数据手册

1+
￥37.89
200+
￥14.67
500+
￥14.15
1000+
￥13.9

订货

我要订货

型号：SRV25-4LC-LF-T7 编号：C521262

封装：DFN-10-EP(2x3)

品牌：PROTEK

SRV25-4LC是一款双USB端口保护阵列，具有超低电容特性。该器件可应用于视频卡、智能手机、千兆以太网和其他计算机接口等领域。SRV25-4LC专为静电放电（ESD）保护而设计，能够钳制电源总线上电快速瞬变的影响。SRV25-4LC集成了8个低电容转向二极管，可用于多达四条独立的数据或传输线路，以及一个用于电源总线保护的瞬态电压抑制（TVS）二极管。该器件采用节省空间的DFN-10封装配置，可将引脚电感降至最低，以防止在高ESD电流事件期间出现过冲电压。SRV25-4LC符合IEC 61000-4-2、61000-4-2和61000-4-5标准要求。

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.83
30+
￥2.79
100+
￥2.76

订货

我要订货

型号：RF3077-000 编号：C5342264

封装：DFN-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SESD系列超低电容二极管阵列可为高速串行接口提供保持信号完整性的单向ESD保护。丰富的封装选项，包括标准的1004 DFN 2.5 mmx1.0 mm布局、节省电路板空间的0802 DFN和1103 DFN，可最大程度降低走线布局复杂度，并节省大量PCB空间。0402 DFN可为PCB布局提供最大的灵活性。该系列的接触式ESD保护能力超过20 kV（IEC 61000 - 4 - 2），同时保持极低的泄漏电流和动态电阻，并提供多种流行的封装形式。SESD系列为信号完整性和易用性设定了更高的标准。

数据手册

1+
￥0.756
50+
￥0.7371
1000+
￥0.7119

我要订货

型号：NCP81075MNTXG 编号：C603803

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81075 是一款高性能双 mosfet（高压侧和低压侧）门极驱动集成电路，适用于驱动在高达 180 V 的电压下运行的高速、高电压 MOSFET。NCP81075 集成了一个驱动器集成电路和一个自举二极管，驱动能力高达 4A。高压侧和低压侧驱动器独立控制，带有匹配的 3.5ns 典型传播延迟。此驱动器适用于高电压降压应用、隔离电源、 2 开关和有源箝位正向转换器。该器件还可用于太阳能优化器和太阳能逆变器应用。该零件采用 SO8，8 引脚 DFN 和 10 引脚 DFN 封装，在 -40C 至 140C 范围内进行完全规格确定。

数据手册

1+
￥11.18
50+
￥10.32
100+
￥9.89
500+
￥9.632
1000+
￥9.46

我要订货

型号：LTC5533EDE#TRPBF 编号：C688654

封装：DFN-12-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC5533是一款双通道RF功率检测器，适用于300MHz到11GHz的频率范围。它具有两个独立的温度补偿肖特基二极管峰值检测器和缓冲放大器，集成在一个小型4mm × 3mm DFN封装中。

数据手册

单价：
￥53.406 / 个

我要订货

型号：ESD53101N-2/TR 编号：C2941807

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD53101N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD53101N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD53101N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD53101N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.4668
100+
￥0.3756
300+
￥0.33
1000+
￥0.2958
5000+
￥0.2684
10000+
￥0.2547

订货

我要订货

型号：PUSB3FR4 编号：C294620

封装：DFN2510A-10

品牌：Nexperia(安世)

该器件旨在保护高速接口，如10 Gbps的SuperSpeed USB 3.2、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射器和接收器。该器件采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均采用特殊二极管配置进行保护，仅提供0.29 pF的超低线路电容。这些二极管采用回滞结构，为下游组件提供高达±15 kV接触ESD电压的保护，超过IEC 61000 - 4 - 2 4级标准。

数据手册

2+
￥0.9776
20+
￥0.8366
60+
￥0.7661
200+
￥0.7132
1000+
￥0.6656
2000+
￥0.6445

订货

我要订货

型号：SI1133-AA00-GMR 编号：C965911

封装：DFN-10(2x2)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si1133是一款具备I²C数字接口和可编程事件中断输出的紫外线指数传感器及环境光传感器。该传感器IC包含双23位模数转换器、集成的高灵敏度紫外线、可见光和红外光电二极管阵列以及数字信号处理器。Si1133采用10引脚2x2 mm DFN封装，能在1.62至3.6V电压、-40至+85°C温度范围内工作

数据手册

1+
￥32.07
10+
￥27.45
30+
￥24.64
100+
￥22.28

订货

我要订货

型号：AU0781P1 编号：C393865

封装：DFN1006-2

品牌：Applied Power(应能微)

AU0781P1是一款7V双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU0781P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使AU0781P1成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

1+
￥0.1406
10+
￥0.1224
30+
￥0.1122
100+
￥0.1062
500+
￥0.0887
1000+
￥0.0859

订货

我要订货

型号：AR0502P1 编号：C3002754

封装：DFN1006-3

品牌：Applied Power(应能微)

AR0502P1是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0502P1具有超低电容，典型值为0.6 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±25 kV，接触放电±20 kV。它采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。其小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力，使AR0502P1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

数据手册

1+
￥0.1855
10+
￥0.1645
30+
￥0.154
100+
￥0.1461
500+
￥0.1145
1000+
￥0.1113

订货

我要订货

预售商品

型号：LTC5532EDC#TRPBF 编号：C688652

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC5532是一款用于RF应用的300MHz至7GHz范围内的RF功率检测器。它结合了温度补偿肖特基二极管峰值检测器和缓冲放大器，封装在小型ThinSOT或2mm x 2mm DFN封装中。

数据手册

1+
￥19.94
200+
￥7.72
500+
￥7.45
1000+
￥7.31

订货

我要订货

型号：PESDR0521P1 编号：C3001952

封装：DFN1006-2

品牌：UMW(友台半导体)

双向 TVS 二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。

数据手册

50+
￥0.1063
500+
￥0.0803
1500+
￥0.0659
10000+
￥0.0573
20000+
￥0.0498
50000+
￥0.0458

有货

立即购买

型号：LTVS16H5.0T5G 编号：C172440

封装：DFN1610-2

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：5V单向ESD二极管。低钳位电压。符合IEC 61000-4-2标准: -空气放电：±30kV。 -接触放电：±30kV。符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.1977
200+
￥0.1545
600+
￥0.1305
2000+
￥0.1161
8000+
￥0.1036
16000+
￥0.0969

有货

立即购买

型号：BDFN2A301V35 编号：C19077989

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装单向 30V ESD静电保护管

10+
￥0.2555
100+
￥0.2275
300+
￥0.2135
1000+
￥0.203
5000+
￥0.1526
10000+
￥0.1484

有货

立即购买

型号：PMEG2010BELD,315 编号：C552820

封装：SOD-882D

品牌：Nexperia(安世)

平面肖特基势垒整流器，集成保护环以提供应力保护，采用无引脚超小型DFN1006D - 2（SOD882D）表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面焊盘可见且可焊接。

数据手册

5+
￥1.1317
50+
￥0.9231
150+
￥0.8337
500+
￥0.7221
2500+
￥0.6509
5000+
￥0.621

有货

立即购买

型号：PESD3V3C1BSFYL 编号：C461155

封装：DFN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列产品。该器件采用DSN0603 - 2（SOD962）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装。TrEOS保护系列产品经过优化，可高度可靠地保护非常敏感的高速接口免受ESD脉冲影响。

数据手册

5+
￥0.6838
50+
￥0.5441
150+
￥0.4743
500+
￥0.4219
2500+
￥0.3266
5000+
￥0.3056

有货

立即购买

型号：BNSPHV36-C 编号：C19077976

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装 36V双向静电保护管

10+
￥0.3243
100+
￥0.2571
300+
￥0.2235
1000+
￥0.1983
5000+
￥0.1781
10000+
￥0.168

有货

立即购买

型号：TPA6581-DF0R 编号：C39333615

封装：DFN-4(0.8x0.8)

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是一系列CMOS单通道、双通道和四通道RRIO运算放大器，具有低失调、低功耗和稳定的高频响应。该系列采用了专有和专利设计技术，可实现10 MHz带宽、8 V/μs压摆率和低失真的高性能交流特性，每个放大器的静态电流仅为1.2 mA。该系列在关机时具有隔离功能，即使输入引脚上存在信号，因为从输入引脚到正电源引脚没有ESD二极管。

5+
￥1.9416
50+
￥1.493
150+
￥1.3008
500+
￥1.0609
2500+
￥0.9541
5000+
￥0.89

有货

立即购买

型号：SLESD11LL5.0CT5G 编号：C2904402

封装：DFN0603-2L

品牌：Slkor(萨科微)

SLESD11LL5.0CT5是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。SLESD11LL5.0CT5符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±20 kV，接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅0201封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想之选。

数据手册

20+
￥0.1355
200+
￥0.1074
600+
￥0.0918
2000+
￥0.0824
15000+
￥0.0655
30000+
￥0.0611

有货

立即购买

型号：AZ5423-01F 编号：C5123453

封装：DFN1006-2

品牌：Leiditech(雷卯电子)

ESD二极管 ESD二极管

数据手册

10+
￥0.271985 ￥0.2863
100+
￥0.21356 ￥0.2248
300+
￥0.184395 ￥0.1941
1000+
￥0.162545 ￥0.1711
5000+
￥0.137655 ￥0.1449
10000+
￥0.128915 ￥0.1357

有货

立即购买

型号：PESD5V0U1BL,315 编号：C85389

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD882无引脚超小型塑料封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

10+
￥0.9706
100+
￥0.8747
300+
￥0.8267
1000+
￥0.7907
5000+
￥0.7619
10000+
￥0.7357

有货

立即购买

型号：CN3165 编号：C559035

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

CN3165是专门为利用太阳能板等输出电流能力有限的输入电源对单节锂电池进行充电管理的芯片，芯片内部的功率晶体管对电池进行恒流和恒压充电。充电电流通过外部电阻设定，最大持续充电电流可达1A，不需要另加阻流二极管和电流检测电阻。CN3165内部集成有充电电流自适应模块，能够根据输入电源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑最坏情况，可根据输入电源的最大电流输出能力设置充电电流，最大限度地利用了输入电源的电流输出能力，非常适合利用太阳能板等输出电流有限的电源供电的锂电池充电应用。

数据手册

5+
￥1.8983
50+
￥1.5203
150+
￥1.3583
500+
￥1.03
2500+
￥0.94
5000+
￥0.886

有货

立即购买

型号：FDMS86101(TOKMAS) 编号：C19626239

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：高速功率开关。增强体二极管dv/dt能力。增强雪崩耐用性。 100% UIS测试，100% Rg测试。无铅、无卤。应用：开关电源中的同步整流。硬开关和高速电路

1+
￥2.808 ￥3.12
10+
￥2.214 ￥2.46
30+
￥1.962 ￥2.18
100+
￥1.647 ￥1.83
500+
￥1.449 ￥1.61
1000+
￥1.368 ￥1.52

有货

立即购买

型号：BSC320N20NS3G(TOKMAS) 编号：C19626238

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：高速功率开关。增强型体二极管 dv/dt 能力。增强型雪崩耐用性。 100% UIS 测试，100% Rg 测试。无铅。应用：开关电源中的同步整流。硬开关和高速电路

1+
￥7.9515 ￥8.37
10+
￥6.6215 ￥6.97
30+
￥5.89 ￥6.2
100+
￥4.6835 ￥4.93
500+
￥4.3225 ￥4.55
1000+
￥4.1515 ￥4.37

有货

立即购买

型号：BDFN2C151R 编号：C18199520

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) ESD静电保护管低结电容接口保护物料

10+
￥0.23355 ￥0.2595
100+
￥0.18603 ￥0.2067
300+
￥0.16227 ￥0.1803
1000+
￥0.14445 ￥0.1605
5000+
￥0.13023 ￥0.1447
10000+
￥0.12312 ￥0.1368

有货

立即购买

型号：PESD3V3S1UL,315 编号：C70371

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD882无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的单向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥1.6991
50+
￥1.4522
150+
￥1.3463
500+
￥1.2143
2500+
￥1.1555
5000+
￥1.1202

有货

立即购买

型号：TC6320TG-G 编号：C624992

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由高压、低阈值 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组成，采用 8 引脚 SOIC 和 DFN 封装。两个 MOSFET 都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。是互补、高速、高压、栅极钳位的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 对，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有 MOS 结构的特性，不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

数据手册