DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PESD18VF1BL-QYL 编号：C7508746

封装：SC-70

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用 DFN1006-2 (SOD882) 无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损害。

10000+
￥6.66
20000+
￥6.6
30000+
￥6.54

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型号：PESD5V5C1ULYL 编号：C20235802

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容单向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列。该器件采用小型无引脚DFN1006 - 2（SOD882 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。超低电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合，使该器件非常适合用于高速数据线保护。

5+
￥1.3552
50+
￥1.0696
150+
￥0.9472
500+
￥0.7945
2500+
￥0.7265
5000+
￥0.6857

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型号：BAV170MYL 编号：C549302

封装：SOT-883

品牌：Nexperia(安世)

双共阴极低泄漏二极管封装在无铅超小型DFN1006-3 (SOT883)表面贴装器件(SMD)塑料封装中。

数据手册

5+
￥1.6438
50+
￥1.6232
150+
￥1.6094
500+
￥1.5957

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型号：BZX884-C5V6,315 编号：C551245

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

10000+
￥0.59
20000+
￥0.575
30000+
￥0.555
60000+
￥0.545

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型号：IP4283CZ10-TBA,115 编号：C551513

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

这些器件旨在保护高速接口，如高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。这些器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构。它们有三种封装形式可供选择：DFN2510 - 10（SOT1165 - 1）、DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）和TSSOP10（SOT552 - 1）。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，仅提供0.6 pF的超低线路电容。根据IEC 61000 - 4 - 2标准4级，这些二极管可为下游组件提供高达±8 kV接触式ESD电压的保护。

数据手册

1+
￥9.74
10+
￥8.48
30+
￥7.86
100+
￥7.24
500+
￥6.86
1000+
￥6.67

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型号：LT3473EDD#TRPBF 编号：C670630

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3473 / LT3473A 是微功耗升压型 DC/DC 转换器，内置肖特基二极管和输出断开电路，采用薄型 DFN 封装。小尺寸封装、高度集成以及使用微型 SMT 元件，使解决方案尺寸小于 50mm²。内部 1A 开关允许该器件从单节锂离子电池输出 25V 电压、提供高达 80mA 电流，同时自动突发模式操作可在轻载时保持高效率

数据手册

1+
￥48.03
10+
￥40.88
30+
￥36.52
100+
￥32.86

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型号：LT3463EDD#PBF 编号：C580060

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是双微功率 DC/DC 转换器，内置肖特基二极管，采用 10 引脚 3mm x 3mm DFN 封装。负向和正向转换器有 250mA 电流限制。正向转换器也有 250mA 限制，而负向转换器有 400mA 限制。两个器件的输入电压范围为 2.4V 至 15V，适用于各种应用。每个转换器的静态电流仅为 20μA，关断时降至 1μA 以下。限流、固定关断时间控制方案可节省工作电流，在宽负载电流范围内实现高效率。42V 开关可轻松产生高达 ±40V 的高压输出，无需使用昂贵的变压器。300ns 的低关断时间允许使用小型、薄型电感和电容，以在对空间敏感的便携式应用中最小化占用空间和成本。

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1+
￥58.3
10+
￥56.97
30+
￥56.09
100+
￥55.2

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型号：BAT46LS-QYL 编号：C7507562

封装：SC-79

品牌：Nexperia(安世)

通用型肖特基二极管，采用超小型DFN1006BD-2 (SOD882BD)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，具有可侧焊侧翼。

5+
￥0.4608
50+
￥0.4548
150+
￥0.4508
500+
￥0.4468

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型号：PESDU0571P6 编号：C610224

封装：DFN1610-2

品牌：PN SILICON(智晶)

PESDUxx71P6是一款单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESDUxx71P6符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.6x1.0x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDUxx71P6成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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5+
￥0.5223
50+
￥0.416
150+
￥0.3629

有货

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型号：PESD12VL1BSLAZ 编号：C3713057

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用DFN1006-2（SOD882-S1）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

5+
￥0.6002
50+
￥0.5924
150+
￥0.5873
500+
￥0.5821

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型号：BZX8850S-C1V8-QYL 编号：C3733666

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

低电流电压调节二极管采用超小型 SOD882BD (DFN1006BD-2) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

10000+
￥1.062
20000+
￥1.035
30000+
￥0.999
60000+
￥0.981

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型号：PESD30VF1BBLYL 编号：C26740546

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用 DFN1006-2 (SOD882) 无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损害。

15+
￥0.535946
30+
￥0.518374
60+
￥0.509588
120+
￥0.48323

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型号：BZX884-B9V1,315 编号：C551216

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

5+
￥0.8845
50+
￥0.7596
150+
￥0.6971
500+
￥0.6503
2500+
￥0.6128
5000+
￥0.5941

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型号：PESD5V5C1BL-QYL 编号：C23476940

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列产品。该器件采用小型无引脚DFN1006 - 2（SOD882 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。超低电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合，使该器件非常适合用于高速汽车数据线保护

单价：
￥1.816325 / 个

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型号：PESD5V0C2BDFZ 编号：C3707148

封装：DFN0603-3

品牌：Nexperia(安世)

对称双向静电放电（ESD）保护二极管阵列，属于TrEOS保护系列。该器件采用DFN0603 - 3（SOT8013）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装，旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

5+
￥0.9427
50+
￥0.9304
150+
￥0.9221
500+
￥0.9138

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型号：BZX884-B3V0,315 编号：C551198

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

10000+
￥0.42
20000+
￥0.413
40000+
￥0.4025
80000+
￥0.385

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型号：BZX884S-C10YL 编号：C3729376

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

1+
￥4.3
10+
￥4.25
30+
￥4.22
100+
￥4.18

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型号：BZX884S-C3V9YL 编号：C3730830

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

5+
￥2.0265
50+
￥1.7271
150+
￥1.5988
500+
￥1.4387
2500+
￥1.3318
5000+
￥1.289

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型号：PUSB3F99X 编号：C553552

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该器件旨在保护高速接口，如超高速USB、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构，采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。

数据手册

1+
￥3.52
10+
￥3.47
30+
￥3.44
100+
￥3.42

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型号：BZX884S-B16-QYL 编号：C3728587

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用超小型SOD882BD (DFN1006BD-2)无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面可焊。

3000+
￥1.062
6000+
￥1.035
9000+
￥0.999
18000+
￥0.981

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型号：ESD5641D15-3/TR 编号：C506140

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

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3000+
￥0.3036
6000+
￥0.30245
9000+
￥0.29344

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型号：AR3304P8 编号：C393847

封装：DFN2626

品牌：Applied Power(应能微)

AR3304P8是一款3.3V单向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和超低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AR3304P8符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用2.6×2.6×0.55 mm DFN无铅封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使AR3304P8成为保护千兆以太网、通信线路和数字视频的理想选择。

数据手册

1+
￥1.1763
10+
￥1.0346
30+
￥0.9738
100+
￥0.898
500+
￥0.8643
1000+
￥0.7155

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型号：LT3591EDDB#TRPBF 编号：C670991

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

采用 3mm x 2mm DFN 封装、具有集成肖特基二极管的白光 LED 驱动器

数据手册

1+
￥11.44
50+
￥10.56
100+
￥10.384
500+
￥10.032
1000+
￥9.856

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型号：SM8SF36CA-Q 编号：C1977734

封装：DFN-2(8.1x10.5)

品牌：BOURNS

SM8SF-Q系列瞬态电压抑制（TVS）二极管专为保护敏感电子设备免受过电压影响而设计，符合ISO7637 - 2和ISO16750 - 2标准（具体依测试条件而定）。SM8SF-Q系列提供24 V至36 V的工作峰值反向电压选择，击穿电压最高可达40 V。SM8SF-Q采用8.1 mm×10.5 mm的紧凑型DFN封装，高度仅1.3 mm，便于在当今紧凑的PCB设计中进行布局。

数据手册

1+
￥19.08
10+
￥18.63
30+
￥18.34
100+
￥18.04

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型号：LT3484EDCB-0#TRMPBF 编号：C670704

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3484系列光电闪存电容器充电器IC专为数码相机和手机等空间极为宝贵的应用设计。LT3484的专利控制技术使其能够使用非常小的变压器，改进的NPN功率开关不需要外部肖特基二极管箝位，从而减小了解决方案的尺寸。输出电压检测不需要外部电路，因为变压器的匝数比决定了最终的充电电压。这些设备具有VBAT引脚，允许使用2个碱性电池来充电电容器。LT3484-0、-2和-1的主要电流限制分别为1.4A、1A和0.7A，从而分别产生严格控制的平均输入电流500mA、350mA和225mA。这三个版本在其他方面是相同的。CHARGE引脚使用户能够完全控制部件。将CHARGE驱动为低电平会使部件进入关断状态。DONE引脚指示部件何时完成充电。LT3484系列部件采用微型低剖面2mm x 3mm DFN封装。

数据手册

1+
￥25.14
10+
￥24.53
30+
￥22.57
100+
￥22.16

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型号：SRV25-4LC-LF-T7 编号：C521262

封装：DFN-10-EP(2x3)

品牌：PROTEK

SRV25-4LC是一款双USB端口保护阵列，具有超低电容特性。该器件可应用于视频卡、智能手机、千兆以太网和其他计算机接口等领域。SRV25-4LC专为静电放电（ESD）保护而设计，能够钳制电源总线上电快速瞬变的影响。SRV25-4LC集成了8个低电容转向二极管，可用于多达四条独立的数据或传输线路，以及一个用于电源总线保护的瞬态电压抑制（TVS）二极管。该器件采用节省空间的DFN-10封装配置，可将引脚电感降至最低，以防止在高ESD电流事件期间出现过冲电压。SRV25-4LC符合IEC 61000-4-2、61000-4-2和61000-4-5标准要求。

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1+
￥2.89
10+
￥2.83
30+
￥2.79
100+
￥2.76

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型号：MIC2289-24YML-TR 编号：C621726

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC2289是一款脉冲宽度调制（PWM）升压开关调节器，专为恒流白光LED驱动应用而优化。MIC2289具有内部肖特基二极管和三级输出过电压保护，提供了一种体积小且高效的DC/DC解决方案，仅需四个外部元件。为了优化效率，反馈电压设置仅为95mV。这减少了电流设定电阻中的功率损耗，并允许最低的总输出电压，从而最小化了从电池抽取的电流。MIC2289实现了1.2MHz恒定频率的PWM控制方案。高频PWM操作通过减小外部元件尺寸节省了电路板空间。与可变频率相比，恒定频率PWM方案的一个额外好处是注入输入电源的噪声和纹波更低。在LED开路情况下，MIC2289会限制输出电压，以保护自身及输出电容。MIC2289提供了三种输出过电压保护（OVP）选项：15V、24V和34V。不同的OVP选项允许根据具体应用选择适当的电压等级使用尽可能小的输出电容。MIC2289采用低轮廓6引脚薄型SOT-23和8引脚2mm x 2mm DFN封装。MIC2289的工作结温范围为-40°C至+125°C。

数据手册

1+
￥11.74
10+
￥11.34
30+
￥11.07
100+
￥10.8

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型号：NCP81075MNTXG 编号：C603803

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81075 是一款高性能双 mosfet（高压侧和低压侧）门极驱动集成电路，适用于驱动在高达 180 V 的电压下运行的高速、高电压 MOSFET。NCP81075 集成了一个驱动器集成电路和一个自举二极管，驱动能力高达 4A。高压侧和低压侧驱动器独立控制，带有匹配的 3.5ns 典型传播延迟。此驱动器适用于高电压降压应用、隔离电源、 2 开关和有源箝位正向转换器。该器件还可用于太阳能优化器和太阳能逆变器应用。该零件采用 SO8，8 引脚 DFN 和 10 引脚 DFN 封装，在 -40C 至 140C 范围内进行完全规格确定。

数据手册

1+
￥11.18
50+
￥10.32
100+
￥10.148
500+
￥9.804
1000+
￥9.632

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型号：TC8220K6-G 编号：C625021

封装：DFN-12-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由六对高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引脚DFN封装。所有MOSFET都集成了输出漏极高压二极管、栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲发生器应用。互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有MOS结构的特性使这些器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度的各种开关和放大应用。

100+
￥18.5248
200+
￥18.194
500+
￥17.8632

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型号：LTC5533EDE#TRPBF 编号：C688654

封装：DFN-12-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC5533是一款双通道RF功率检测器，适用于300MHz到11GHz的频率范围。它具有两个独立的温度补偿肖特基二极管峰值检测器和缓冲放大器，集成在一个小型4mm × 3mm DFN封装中。

数据手册

1+
￥22.9
10+
￥19.63
30+
￥17.68
100+
￥15.72
500+
￥14.81
1000+
￥14.4

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