DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESD8B5.0C 编号：C22368685

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态干扰造成的损坏。

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￥0.11424 ￥0.1344
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￥0.088995 ￥0.1047
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￥0.07497 ￥0.0882
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￥0.066555 ￥0.0783
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￥0.059245 ￥0.0697
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￥0.055335 ￥0.0651

有货

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型号：ESD8B7.0C 编号：C22368647

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

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￥0.12465 ￥0.1662
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￥0.097125 ￥0.1295
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￥0.081825 ￥0.1091
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￥0.0726 ￥0.0968
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￥0.060375 ￥0.0805

有货

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型号：ESD8D12C 编号：C22368679

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006(SOD882)无铅超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态损害。

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￥0.14958 ￥0.1662
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￥0.11655 ￥0.1295
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￥0.09819 ￥0.1091
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￥0.08712 ￥0.0968
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￥0.07758 ￥0.0862
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￥0.07245 ￥0.0805

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型号：WPE1261KP1 编号：C7436954

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

WPE1261KP1是一款12V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使WPE1261KP1成为保护手机、数码相机、音频播放器和其他众多便携式应用的理想选择。

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￥0.22515 ￥0.237
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￥0.17537 ￥0.1846
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￥0.147725 ￥0.1555
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￥0.131195 ￥0.1381
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￥0.11685 ￥0.123
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￥0.10906 ￥0.1148

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型号：BN5C071V160 编号：C19078055

封装：DFN1610-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) DFN1610 7V双向大电流静电保护管 IPP=140A

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￥0.75897 ￥0.8433
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￥0.59481 ￥0.6609
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￥0.51273 ￥0.5697
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￥0.45117 ￥0.5013
3000+
￥0.38718 ￥0.4302
6000+
￥0.36252 ￥0.4028

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型号：HESDNC5VB1AF-A 编号：C3033468

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统设计，提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件，保护电路不受损坏。结电容低至15pF，确保在高速数据接口应用中保持卓越信号完整性，是现代电子设备防止静电干扰的理想解决方案。

数据手册

50+
￥0.0473
500+
￥0.0365
1500+
￥0.0305
5000+
￥0.0256
25000+
￥0.0225
50000+
￥0.0208

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型号：ESD8D5.0C-HXY 编号：C4748767

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道保护。拥有9A峰值脉冲电流IPP能力，可有效抵御双向瞬态ESD冲击，维持电路稳定。结电容低至15pF，确保在高速数据传输应用中信号完整无损，是现代便携式及高集成度电子设备理想的紧凑型、高性能ESD防护方案。

数据手册

100+
￥0.0491
1000+
￥0.0383
3000+
￥0.0323
10000+
￥0.0271
50000+
￥0.0239
100000+
￥0.0222

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型号：HESDNC12VB1AF-A 编号：C3033470

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于12V系统，提供单通道高效保护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电路安全稳定。其结电容低至6.5pF，特别适合高速数据传输接口，兼具出色的信号完整性与卓越的静电放电防护性能。

数据手册

10+
￥0.084
100+
￥0.0651
300+
￥0.0546
1000+
￥0.0483
5000+
￥0.0428
10000+
￥0.0385

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型号：WPE0501P1 编号：C7436956

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

WPE0501P1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有响应速度快、电容极低和静电放电（ESD）钳位电压低等特点，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。WPE0501P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±25 kV，接触放电±22 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容极低，是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想选择。

50+
￥0.109155 ￥0.1149
500+
￥0.085025 ￥0.0895
1500+
￥0.07163 ￥0.0754
10000+
￥0.063555 ￥0.0669
20000+
￥0.05662 ￥0.0596
50000+
￥0.052915 ￥0.0557

有货

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型号：D5V0L1B2LP3-7-HXY 编号：C18198391

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统提供高效单通道保护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD事件。15pF低结电容设计确保在高速数据传输时信号完整性得以保持，是现代紧凑型电子设备及高要求接口的理想选择，提供卓越的静电放电防护性能。

50+
￥0.1127 ￥0.1225
500+
￥0.08832 ￥0.096
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￥0.074796 ￥0.0813
15000+
￥0.064216 ￥0.0698
30000+
￥0.057132 ￥0.0621
45000+
￥0.05336 ￥0.058

有货

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型号：LY8AC05UL 编号：C3019384

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8AC05UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。该器件采用超小型无铅DFN1006-2封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

数据手册

20+
￥0.161025 ￥0.1695
200+
￥0.12255 ￥0.129
600+
￥0.101175 ￥0.1065
2000+
￥0.08835 ￥0.093
10000+
￥0.080845 ￥0.0851
20000+
￥0.07486 ￥0.0788

有货

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型号：LY8AC15UL 编号：C22434953

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8AC15UL 是一款双向 TVS 二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合 IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受 ±20KV 空气放电和 ±15KV 接触放电。该器件采用超小型无铅 DFN1006 - 2 封装。其尺寸小、电容超低且具备高 ESD 浪涌保护能力，是保护手机和大功率 USB 的理想选择。

10+
￥0.16278 ￥0.2713
100+
￥0.12966 ￥0.2161
300+
￥0.1131 ￥0.1885
1000+
￥0.10068 ￥0.1678
5000+
￥0.09078 ￥0.1513
10000+
￥0.0858 ￥0.143

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型号：TT0514SPX 编号：C3038067

封装：DFN2510-10L

品牌：晶扬电子

TT0514SPX是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。其典型电容仅为0.5pF，旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC61000 - 4 - 2（ESD）4级标准（±15kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC61000 - 4 - 4（电气快速瞬变 - EFT）（40A、5/50ns）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。TT0514SPX采用符合RoHS标准且无卤的2.5mm x 1.0mm x 0.55mm DFN2510 - 10L封装。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定的超低电容导向二极管和一个TVS。在瞬态条件下，导向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。

数据手册

10+
￥0.356841 ￥0.3837
100+
￥0.289881 ￥0.3117
300+
￥0.256401 ￥0.2757
3000+
￥0.215946 ￥0.2322
6000+
￥0.195858 ￥0.2106
9000+
￥0.185721 ￥0.1997

有货

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型号：ESD63011N-2/TR 编号：C2941829

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD63011N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD63011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD63011N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD63011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.4425
100+
￥0.3443
300+
￥0.2952
1000+
￥0.2583
5000+
￥0.2289

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型号：MSESD5641D12-3 编号：C3018921

封装：DFN2x2-3L

品牌：MSKSEMI(美森科)

MSESD5641DXX - 3是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。MSESD5641DXX - 3专门设计用于保护USB端口，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。MSESD5641DXX - 3采用DFN2×2 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.51119 ￥0.6014
50+
￥0.40511 ￥0.4766
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￥0.35207 ￥0.4142
500+
￥0.31229 ￥0.3674
3000+
￥0.25024 ￥0.2944
6000+
￥0.23426 ￥0.2756

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型号：HESDLC5VB1AF-A 编号：C3033475

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道保护。具备2.5A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD冲击。其低至2.5pF的结电容确保在高速信号传输中保持优异信号完整性，是小型化电子设备和高要求接口的理想选择，提供强大的静电防护功能。

数据手册

50+
￥0.0526
500+
￥0.0514
1500+
￥0.0507
5000+
￥0.0499

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型号：LESD8D3.3CAT5G-HXY 编号：C5451660

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该DFN1006-2L封装双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，具备单通道强大保护功能。能有效应对9A峰值瞬态电流，双向抑制ESD冲击，保障电路安全。其结电容低至15pF，特别适应高速数据传输需求，提供卓越的信号完整性和高效ESD防护性能，是紧凑型电子设备的理想选择。

50+
￥0.0587
500+
￥0.0457
1500+
￥0.0385
10000+
￥0.0342
20000+
￥0.0305
50000+
￥0.0284

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型号：PESD5V0F1BL-HXY 编号：C19627022

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供高效抗静电保护。采用紧凑型1通道设计，拥有超低结电容0.35pF，确保在高速数据传输中实现卓越信号完整性。峰值脉冲电流IPP达4A，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击，防止敏感电子元件受损，是现代便携式设备、高速接口及高密度电路板的理想ESD防护解决方案。

20+
￥0.063325 ￥0.0745
200+
￥0.06188 ￥0.0728
600+
￥0.060945 ￥0.0717
2000+
￥0.06001 ￥0.0706

有货

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型号：ULC0511CDN 编号：C2972751

封装：DFN1006-2

品牌：JKSEMI(金开盛)

ULC0511CDN是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间、极低电容和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ULC0511 CDN符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15KV，接触放电±8KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和极低电容使ULC0511CDN成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

50+
￥0.0862
500+
￥0.0667
1500+
￥0.0559

有货

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型号：CLAMP0561P1 编号：C2688133

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

CLAMP0561P1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间、极低电容和低静电放电钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。CLAMP0561P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15KV，接触放电±8KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。其小尺寸和极低电容特性，使CLAMP0561P1成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

20+
￥0.09462 ￥0.0996
200+
￥0.074575 ￥0.0785
600+
￥0.06346 ￥0.0668
2000+
￥0.05681 ￥0.0598
10000+
￥0.047595 ￥0.0501
20000+
￥0.04446 ￥0.0468

有货

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型号：LESD8D7.0CAT5G-HXY 编号：C5451653

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，针对7V系统提供单通道强效保护。具备9A峰值脉冲电流IPP承受力，有效抑制双向瞬态ESD，确保电路稳定。结电容仅8pF，特别适合高速接口应用，兼具出色的信号完整性和卓越的ESD防护性能。

50+
￥0.0975
500+
￥0.076
1500+
￥0.064
10000+
￥0.0568
20000+
￥0.0506
50000+
￥0.0472

有货

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型号：HESDNC7VB1AF-A 编号：C3033471

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为7V系统设计，提供单通道卓越保护。具有9A峰值脉冲电流IPP能力，有效应对双向瞬态ESD冲击，确保电路安全稳定运行。8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性，是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。

数据手册

10+
￥0.1048
100+
￥0.0821
300+
￥0.0695
1000+
￥0.062
5000+
￥0.0554
10000+
￥0.0497

有货

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型号：ESD8D12C-HXY 编号：C4748769

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为12V系统设计，提供单通道高效防护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD事件。其低至6.5pF的结电容确保在高速信号传输中保持优异信号完整性，是各类高要求接口和电子设备理想的紧凑型、高性能ESD解决方案。

数据手册

50+
￥0.1169
500+
￥0.0899
1500+
￥0.0749
10000+
￥0.064
20000+
￥0.0562
50000+
￥0.052

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型号：LESD8D24CT5G-HXY 编号：C18198393

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为24V系统设计，提供单通道强效保护。具备5A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路在高电压环境下免受静电损伤。其15pF结电容适配高速接口应用，兼具高性能与可靠ESD防护，在严苛条件下维持信号完整性。

20+
￥0.19266 ￥0.2028
200+
￥0.14801 ￥0.1558
600+
￥0.123215 ￥0.1297
2000+
￥0.1083 ￥0.114
10000+
￥0.09538 ￥0.1004
20000+
￥0.088445 ￥0.0931

有货

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型号：WPE0521NB 编号：C5143680

封装：DFN0603-2

品牌：WPMtek(维攀)

WPE0521NB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单晶硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。WPE0521NB电容超低，典型值为0.25pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±20kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数字视频接口、HDMI、DVI、USB2.0、USB3.0等高速端口的理想选择。

数据手册

20+
￥0.2024
200+
￥0.157
600+
￥0.1318
2000+
￥0.1167
10000+
￥0.0986
20000+
￥0.0915

有货

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型号：BNDY2L5A0C0L1 编号：C50338764

封装：DFN0603-2L

品牌：BORN(伯恩半导体)

DFN0603封装 5V低电容ESD二极管

20+
￥0.2277
200+
￥0.1797
600+
￥0.1557

有货

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型号：HESDUC3V3U4EF-A 编号：C3033479

封装：DFN2510-10L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管适用于4通道保护，具备3.3V高精度VRWM耐压，有效避免过电压损坏。器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP高达4A，并具有超低结电容CJ为0.5pF，确保在提供出色ESD防护的同时维持高速信号传输的卓越品质，是多通道高速接口的理想防静电解决方案。

数据手册

10+
￥0.2863
100+
￥0.2287
300+
￥0.1999
3000+
￥0.1783
6000+
￥0.161
9000+
￥0.1524

有货

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型号：WPE1291ZP4 编号：C7436958

封装：DFN2020-3L

品牌：WPMtek(维攀)

是单向TVS二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30kV。采用超小型2.0×2.0×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

5+
￥0.522405 ￥0.5499
50+
￥0.412965 ￥0.4347
150+
￥0.358245 ￥0.3771
500+
￥0.317205 ￥0.3339
3000+
￥0.284335 ￥0.2993
6000+
￥0.2679 ￥0.282

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型号：RF3077-000 编号：C5342264

封装：DFN-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SESD系列超低电容二极管阵列可为高速串行接口提供保持信号完整性的单向ESD保护。丰富的封装选项，包括标准的1004 DFN 2.5 mmx1.0 mm布局、节省电路板空间的0802 DFN和1103 DFN，可最大程度降低走线布局复杂度，并节省大量PCB空间。0402 DFN可为PCB布局提供最大的灵活性。该系列的接触式ESD保护能力超过20 kV（IEC 61000 - 4 - 2），同时保持极低的泄漏电流和动态电阻，并提供多种流行的封装形式。SESD系列为信号完整性和易用性设定了更高的标准。

数据手册

5+
￥1.5698
50+
￥1.2548
150+
￥1.1198
500+
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2500+
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型号：PUSB3FA2Z 编号：C553555

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该设备旨在保护诸如10 Gbps的SuperSpeed USB 3.1、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口等高速接口免受静电放电（ESD）的影响。该设备包括一个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射器和接收器。该设备封装在一个无引脚的小型DFN2510A-10（SOT1176-1）塑料封装中。所有信号线都由一种特殊二极管配置保护，提供最大仅为0.2 pF的极低线路电容。这些二极管采用箝位结构，以提供对高达±15 kV接触电压的下游组件的保护，超过了IEC 61000-4-2标准的4级要求。

数据手册

1+
￥4.88
10+
￥4.07
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