DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN-8-EP(3x3)

是用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。是一种经济高效、低电压、单P沟道MOSFET负载开关，RDS(ON)为50mΩ，没有寄生体二极管，可消除开关断电时的任何反向电流。当输出电压高于输入电压时，电源开关通过内部输出反向电压保护关闭。具有多种保护功能，包括限流和热关断，可防止在连续重载或短路时因功耗增加而导致开关灾难性故障。FLAG是一个开漏输出，用于报告过流或过温事件，典型消隐时间为13ms。采用绿色DFN3X3-8封装，额定温度范围为-40℃至85℃。

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￥1.457
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￥1.1294
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￥0.989
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￥0.8139
2500+
￥0.7359
5000+
￥0.689

有货

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型号：SLESD8Z5.0 编号：C48971168

封装：DFN1006-2L

品牌：Slkor(萨科微)

是单向TVS二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。采用超小1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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￥0.0651
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￥0.0511
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￥0.0433
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￥0.0386
20000+
￥0.0346
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￥0.0324

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型号：ESD8D3.3C-HXY 编号：C4748775

封装：DFN1006-2

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，提供单通道高效防护。器件能在瞬态条件下承受9A峰值脉冲电流IPP，有效防止双向静电放电对电路的影响。其结电容低至15pF，确保在高速数据接口应用中保持出色的信号完整性，是现代便携式与高集成电子设备的理想ESD保护选择。

数据手册

20+
￥0.06821 ￥0.0718
200+
￥0.054435 ￥0.0573
600+
￥0.046835 ￥0.0493
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￥0.042275 ￥0.0445
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￥0.0323 ￥0.034
20000+
￥0.030115 ￥0.0317

有货

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型号：HESDNC24VB1AF-A 编号：C3033474

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，适用于24V系统，提供单通道高效防护。具备5A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD冲击。其结电容为15pF，在高速数据传输中保持信号完整性，是高电压环境下电子设备接口的理想ESD保护解决方案。

数据手册

20+
￥0.085255 ￥0.1003
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￥0.068765 ￥0.0809
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￥0.059585 ￥0.0701
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￥0.05406 ￥0.0636
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￥0.047005 ￥0.0553
20000+
￥0.044455 ￥0.0523

有货

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型号：ESD11LM5.0C 编号：C22368638

封装：DFN0603-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

飞法双向静电放电（ESD）保护二极管，采用无引脚超小型DFN0603表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。极低的电容、高ESD最大额定值和超小型封装的组合，使该器件非常适合高速数据线保护和天线保护应用。

20+
￥0.103275 ￥0.1377
200+
￥0.081 ￥0.108
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￥0.068625 ￥0.0915
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￥0.0612 ￥0.0816
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￥0.05475 ￥0.073
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￥0.0513 ￥0.0684

有货

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型号：BTRD04A15 编号：C19188343

封装：DFN1006-2

品牌：Slkor(萨科微)

BTRD04A15是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。BTRD04A15符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用超小型1.0x0.6 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使BTRD04A15成为保护手机、数码相机、音频播放器和其他众多便携式应用的理想选择。

20+
￥0.12 ￥0.15
200+
￥0.0928 ￥0.116
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￥0.07768 ￥0.0971
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￥0.06856 ￥0.0857
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￥0.06072 ￥0.0759
20000+
￥0.05648 ￥0.0706

有货

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型号：ESD11LL5.0C 编号：C22368661

封装：DFN0603-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

双向静电放电（ESD）保护二极管，采用无引脚超小型DFN0603表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态信号的损害。极低的电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合，使该器件非常适合高速数据线保护和天线保护应用。

20+
￥0.167705 ￥0.1973
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￥0.12869 ￥0.1514
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￥0.107015 ￥0.1259
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￥0.09401 ￥0.1106
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￥0.082705 ￥0.0973
30000+
￥0.076585 ￥0.0901

有货

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型号：LESD11LL5.0CT5G-HXY 编号：C18198392

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管，适用于5V系统，提供单通道高效保护。拥有4A峰值脉冲电流IPP能力，能快速响应并抑制双向静电放电，确保电路安全。其超低结电容0.35pF设计特别适合高速数据传输应用，有效保障信号完整性，是高端电子设备接口的理想ESD防护方案。

20+
￥0.176979 ￥0.1903
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￥0.138756 ￥0.1492
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￥0.117552 ￥0.1264
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￥0.104904 ￥0.1128
15000+
￥0.093837 ￥0.1009
30000+
￥0.087885 ￥0.0945

有货

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型号：ESDJ12UG0D6 编号：C4154819

封装：DFN1610-2L

品牌：TWGMC(迪嘉)

是单向TVS二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准，空气放电和接触放电均为±30kV。它被组装成超小的1.6x1.0x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护使其成为保护电压敏感数据和电源线的理想选择，适用于保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用。

20+
￥0.21
200+
￥0.1587
600+
￥0.1302
2000+
￥0.1131

有货

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型号：BN5C4R51V160 编号：C19078057

封装：DFN1610

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) DFN1610 4.5V双向静电保护管大电流

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￥0.7403
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￥0.5963
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￥0.5243
500+
￥0.4703
3000+
￥0.4143
6000+
￥0.3926

有货

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型号：BDFN10A056U1 编号：C19077999

封装：DFN-10(2x4.1)

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) DFN4120 5V集成低电容静电保护管

5+
￥1.0275
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￥0.8108
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￥0.7179
500+
￥0.602
3000+
￥0.532
6000+
￥0.501

有货

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型号：TC6320K6-G 编号：C624991

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用8引脚SOIC和DFN封装。两个MOSFET都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。这是一款互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

数据手册

1+
￥22.09
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￥19.15
30+
￥17.39
100+
￥15.62

有货

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型号：HESDNC5VB1AF-B 编号：C3033472

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，适用于5V系统，提供单通道高效保护，有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保敏感电子设备安全。保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性，是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。

数据手册

100+
￥0.0359
1000+
￥0.0279
3000+
￥0.0235
10000+
￥0.0199
50000+
￥0.0176
100000+
￥0.0163

有货

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型号：ESD8LM5.0C 编号：C22368626

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

采用DFN1006(SOD882)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的低电容双向静电放电(ESD)保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

50+
￥0.09459 ￥0.1051
500+
￥0.07371 ￥0.0819
1500+
￥0.0621 ￥0.069
10000+
￥0.05508 ￥0.0612
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￥0.04905 ￥0.0545
50000+
￥0.04581 ￥0.0509

有货

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型号：ESD8V5.0C 编号：C22368623

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

10+
￥0.20077 ￥0.2362
100+
￥0.17629 ￥0.2074
300+
￥0.16405 ￥0.193
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￥0.15487 ￥0.1822
5000+
￥0.14756 ￥0.1736
10000+
￥0.14382 ￥0.1692

有货

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型号：JCA0510D1 编号：C2972755

封装：DFN0603-2

品牌：JKSEMI(金开盛)

JCA0510D1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。JCA0510D1的电容超低，典型值为0.4 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±20 kV，接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具有高ESD浪涌保护能力，使JCA0510D1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

数据手册

10+
￥0.26809 ￥0.2822
100+
￥0.21337 ￥0.2246
300+
￥0.18601 ￥0.1958
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￥0.16549 ￥0.1742
5000+
￥0.149055 ￥0.1569
10000+
￥0.13395 ￥0.141

有货

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型号：ESD5344D-10/TR 编号：C239666

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5344D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5344D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5344D可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5344D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.3017
100+
￥0.2498
300+
￥0.2239
3000+
￥0.2045
6000+
￥0.1889
9000+
￥0.1812

有货

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型号：TT0314TPX 编号：C5307962

封装：DFN2510-10L

品牌：晶扬电子

TT0314TPX是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。其典型电容仅为0.7pF，旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC61000 - 4 - 2（ESD）4级标准（±15kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC61000 - 4 - 5（雷击）标准（5A，8/20μs）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等。TT0314TP采用符合RoHS标准且无卤的2.5mm x 1.0mm x 0.55mm DFN2510 - 10L封装。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定的超低电容转向二极管和一个TVS。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流引导至电源线的正极或接地。

数据手册

5+
￥0.476
50+
￥0.42
150+
￥0.392
500+
￥0.371
3000+
￥0.3374
6000+
￥0.329

有货

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型号：RCLAMP7534P-MS 编号：C22399256

封装：DFN2010-5L

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款态电压抑制二极管采用DFN2010-5L封装，极性单向,反向截止电压(Vrwm)：5V,最大钳位电压:IPP:3.5A@15V,峰值脉冲电流(Ipp)@8/20us:3.5A,CJ容值：0.3PF主要针对I/O接口提供保护，比如USB 3.0、HDMI、DisplayPort等高速数据线，能够保护4条线路免受瞬态电压冲击能够稳定的保护你的电路设计！

5+
￥0.78354 ￥0.8706
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￥0.61938 ￥0.6882
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￥0.5373 ￥0.597
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￥0.47574 ￥0.5286
2500+
￥0.42651 ￥0.4739
5000+
￥0.40185 ￥0.4465

有货

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型号：PESDNC2FD5VB 编号：C5451651

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计，具备强大的单通道保护功能。能有效抑制高达9A的双向瞬态ESD电流，确保电子设备不受静电损害。15pF低结电容特性保证了在高速信号传输中保持卓越的信号完整性，是各类高集成度和高速接口应用的理想ESD防护方案。

100+
￥0.03592 ￥0.0449
1000+
￥0.02752 ￥0.0344
3000+
￥0.02288 ￥0.0286
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￥0.02016 ￥0.0252
50000+
￥0.01776 ￥0.0222
100000+
￥0.0164 ￥0.0205

有货

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型号：ESD8N5.0C 编号：C22368628

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用 DFN1006(SOD882) 无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。

50+
￥0.087975 ￥0.1173
500+
￥0.06855 ￥0.0914
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￥0.05775 ￥0.077
10000+
￥0.0513 ￥0.0684
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￥0.045675 ￥0.0609
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￥0.0426 ￥0.0568

有货

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型号：ESD8U5.0C 编号：C22368652

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

采用DFN1006（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

10+
￥0.15334 ￥0.1804
100+
￥0.13464 ￥0.1584
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￥0.12529 ￥0.1474
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￥0.11832 ￥0.1392
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￥0.11271 ￥0.1326
10000+
￥0.109905 ￥0.1293

有货

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型号：ESD8FT5.0 编号：C22368658

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

ESD8FT5.0是一款单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD8FT5.0符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使ESD8FT5.0成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

10+
￥0.16236 ￥0.1804
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￥0.14256 ￥0.1584
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￥0.13266 ￥0.1474
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￥0.12528 ￥0.1392
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￥0.11934 ￥0.1326
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￥0.11637 ￥0.1293

有货

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型号：ESD8D24C 编号：C22368683

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006(SOD882)无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态电压的损害。

10+
￥0.16236 ￥0.1804
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￥0.14256 ￥0.1584
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￥0.13266 ￥0.1474
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￥0.12528 ￥0.1392
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￥0.11934 ￥0.1326
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￥0.11637 ￥0.1293

有货

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型号：ESD73031N-2/TR 编号：C506146

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73031N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73031N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73031N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达11A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD73031N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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