DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：D5V0L1B2LP3-7-HXY 编号：C18198391

封装：DFN0603-2L

这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统提供高效单通道保护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD事件。15pF低结电容设计确保在高速数据传输时信号完整性得以保持，是现代紧凑型电子设备及高要求接口的理想选择，提供卓越的静电放电防护性能。

50+
￥0.1127 ￥0.1225
500+
￥0.08832 ￥0.096
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￥0.05336 ￥0.058

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型号：ESD8B5.0C 编号：C22368685

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态干扰造成的损坏。

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￥0.11424 ￥0.1344
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￥0.088995 ￥0.1047
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￥0.059245 ￥0.0697
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￥0.055335 ￥0.0651

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型号：ESD8B7.0C 编号：C22368647

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

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￥0.12465 ￥0.1662
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￥0.060375 ￥0.0805

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型号：HESDUC3V3U4EF-A 编号：C3033479

封装：DFN2510-10L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管适用于4通道保护，具备3.3V高精度VRWM耐压，有效避免过电压损坏。器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP高达4A，并具有超低结电容CJ为0.5pF，确保在提供出色ESD防护的同时维持高速信号传输的卓越品质，是多通道高速接口的理想防静电解决方案。

数据手册

10+
￥0.1595
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￥0.156
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￥0.1536
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￥0.1513

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型号：LY8AC05UL 编号：C3019384

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8AC05UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。该器件采用超小型无铅DFN1006-2封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

数据手册

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￥0.161025 ￥0.1695
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￥0.12255 ￥0.129
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￥0.080845 ￥0.0851
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￥0.07486 ￥0.0788

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型号：JCA0510D1 编号：C2972755

封装：DFN0603-2

品牌：JKSEMI(金开盛)

JCA0510D1是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。JCA0510D1的电容超低，典型值为0.4 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±20 kV，接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具有高ESD浪涌保护能力，使JCA0510D1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

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10+
￥0.2822
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￥0.2246
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￥0.1958
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￥0.1742
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型号：IP4292CZ10-TBR,115 编号：C478014

封装：DFN2510A-10

品牌：Nexperia(安世)

该器件旨在保护高速接口，如超高速USB、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含四个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构，并采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均由特殊的二极管配置保护，仅提供0.55 pF的超低线路电容。这些二极管采用独特的回滞结构，以便为下游组件提供高达±8 kV接触的ESD电压保护，超过了IEC 61000 - 4 - 2的4级标准。

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2500+
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5000+
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型号：HESDNC12VB1AF-A 编号：C3033470

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于12V系统，提供单通道高效保护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电路安全稳定。其结电容低至6.5pF，特别适合高速数据传输接口，兼具出色的信号完整性与卓越的静电放电防护性能。

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￥0.0422
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型号：ESD8D5.0C-HXY 编号：C4748767

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道保护。拥有9A峰值脉冲电流IPP能力，可有效抵御双向瞬态ESD冲击，维持电路稳定。结电容低至15pF，确保在高速数据传输应用中信号完整无损，是现代便携式及高集成度电子设备理想的紧凑型、高性能ESD防护方案。

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￥0.0491
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型号：LESD8D7.0CAT5G 编号：C5451653

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，针对7V系统提供单通道强效保护。具备9A峰值脉冲电流IPP承受力，有效抑制双向瞬态ESD，确保电路稳定。结电容仅8pF，特别适合高速接口应用，兼具出色的信号完整性和卓越的ESD防护性能。

50+
￥0.0499
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1500+
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￥0.0472

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型号：HESDNC7VB1AF-A 编号：C3033471

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为7V系统设计，提供单通道卓越保护。具有9A峰值脉冲电流IPP能力，有效应对双向瞬态ESD冲击，确保电路安全稳定运行。8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性，是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。

数据手册

10+
￥0.1048
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￥0.0695
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型号：HESDNC5VB1AF-A 编号：C3033468

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统设计，提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件，保护电路不受损坏。结电容低至15pF，确保在高速数据接口应用中保持卓越信号完整性，是现代电子设备防止静电干扰的理想解决方案。

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50+
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25000+
￥0.0225
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￥0.0208

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型号：PESD5V0F1BL-HXY 编号：C19627022

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供高效抗静电保护。采用紧凑型1通道设计，拥有超低结电容0.35pF，确保在高速数据传输中实现卓越信号完整性。峰值脉冲电流IPP达4A，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击，防止敏感电子元件受损，是现代便携式设备、高速接口及高密度电路板的理想ESD防护解决方案。

20+
￥0.061625 ￥0.0725
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￥0.06018 ￥0.0708
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￥0.059245 ￥0.0697
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型号：LESD8D24CT5G 编号：C18198393

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为24V系统设计，提供单通道强效保护。具备5A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路在高电压环境下免受静电损伤。其15pF结电容适配高速接口应用，兼具高性能与可靠ESD防护，在严苛条件下维持信号完整性。

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￥0.09405 ￥0.099
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￥0.091675 ￥0.0965
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型号：ESD8D12C-HXY 编号：C4748769

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为12V系统设计，提供单通道高效防护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD事件。其低至6.5pF的结电容确保在高速信号传输中保持优异信号完整性，是各类高要求接口和电子设备理想的紧凑型、高性能ESD解决方案。

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50+
￥0.1169
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型号：BNDY2L5A0C0L1 编号：C50338764

封装：DFN0603-2L

品牌：BORN(伯恩半导体)

DFN0603封装 5V低电容ESD二极管

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￥0.1228
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￥0.1199
600+
￥0.118

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型号：PHDMI2F4X 编号：C552638

封装：DFN2510A-10

品牌：Nexperia(安世)

该设备旨在保护高速接口，如高清多媒体接口 (HDMI) 标准 2.0 及以下的最小化传输差分信号 (TDMS) 线路，免受静电放电 (ESD) 的影响。该设备包括四个用于超高速信号线的高级 ESD 保护二极管结构，并采用无铅小型 DFN2510A-10 (SOT1176-1) 塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，仅提供 0.5 pF 的超低线路电容。这些二极管采用独特的回滞结构，以保护下游组件免受高达 ±10 kV 的 ESD 电压影响，超过了 IEC 61000-4-2 4 级标准。

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￥2.17
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￥2.13
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￥2.1
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￥1.9968 ￥2.08

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型号：NCR420PASX 编号：C3190648

封装：DFN2020D-6

品牌：Nexperia(安世)

LED 驱动器由配备电阻的 NPN 晶体管和两个二极管组成，它们集成在一个芯片上，采用无引脚中功率 DFN2020D-6（SOT1118D）表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有可见且可焊接的侧边焊盘。

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￥2.37
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￥2.32
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￥2.29
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￥2.1922 ￥2.26

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型号：LT3591EDDB#TRPBF 编号：C670991

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

采用 3mm x 2mm DFN 封装、具有集成肖特基二极管的白光 LED 驱动器

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￥18.83
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￥16.3
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￥12.61
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￥10.99

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型号：LT3473EDD#TRPBF 编号：C670630

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3473 / LT3473A 是微功耗升压型 DC/DC 转换器，内置肖特基二极管和输出断开电路，采用薄型 DFN 封装。小尺寸封装、高度集成以及使用微型 SMT 元件，使解决方案尺寸小于 50mm²。内部 1A 开关允许该器件从单节锂离子电池输出 25V 电压、提供高达 80mA 电流，同时自动突发模式操作可在轻载时保持高效率

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1+
￥48.67
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￥41.52
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￥37.16
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￥33.5

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型号：UAD8C05L01-HXY 编号：C19627024

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的高性能双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计，采用先进的1通道结构，拥有超低电容0.35pF，确保高速信号无损传输。器件具备卓越的瞬态抑制能力，峰值脉冲电流IPP高达4A，有效抵御双向静电放电冲击，保护敏感电子设备免受ESD损害，是高速接口和紧凑型电路的理想防护选择。

20+
￥0.0657 ￥0.0876
200+
￥0.064125 ￥0.0855
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￥0.06315 ￥0.0842
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￥0.062175 ￥0.0829

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型号：CLAMP1211P 编号：C2688135

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

CLAMP1211P是一款12V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。CLAMP1211P符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。其尺寸小巧且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

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20+
￥0.2249
200+
￥0.173
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￥0.1442
2000+
￥0.1269
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￥0.1089
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￥0.1008

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型号：HESDUC5VU4EF-A 编号：C3033480

封装：DFN2510-10L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管，适用于4通道保护，具备5V高稳定VRWM电压阈值，有效防止过电压。器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP，并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF，确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性，是多通道高速接口的理想防静电解决方案。

数据手册

10+
￥0.2506
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￥0.1978
300+
￥0.1714
3000+
￥0.1425
6000+
￥0.1266
9000+
￥0.1187

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型号：ESD5681N12-2/TR 编号：C240205

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5681NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD5681NXX专门设计用于保护USB端口，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5681NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。电源保护电源管理

数据手册

10+
￥0.2558
100+
￥0.1984
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￥0.1697
1000+
￥0.1481
5000+
￥0.1309

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型号：ESD3324P-HXY 编号：C4748778

封装：DFN2510-10L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管，专为4通道设计，具有3.3V工作电压耐受值VRWM，有效防止过电压损伤。器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP达4A，并配备超低结电容CJ仅0.5pF，确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号传输的优异品质，是现代多通道高速接口的理想防静电解决方案。

数据手册

10+
￥0.2686
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￥0.211
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￥0.1822
3000+
￥0.1506
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￥0.1333
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￥0.1247

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型号：PUSB3FA2Z 编号：C553555

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该设备旨在保护诸如10 Gbps的SuperSpeed USB 3.1、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口等高速接口免受静电放电（ESD）的影响。该设备包括一个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射器和接收器。该设备封装在一个无引脚的小型DFN2510A-10（SOT1176-1）塑料封装中。所有信号线都由一种特殊二极管配置保护，提供最大仅为0.2 pF的极低线路电容。这些二极管采用箝位结构，以提供对高达±15 kV接触电压的下游组件的保护，超过了IEC 61000-4-2标准的4级要求。

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1+
￥1.85
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￥1.82
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￥1.79
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￥1.77

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型号：LY8BC05 编号：C3034459

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8BAC05是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使其成为保护手机、数码相机和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

20+
￥0.05256 ￥0.0876
200+
￥0.05124 ￥0.0854
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￥0.0504 ￥0.084
2000+
￥0.0495 ￥0.0825

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型号：WPE0521NB 编号：C5143680

封装：DFN0603-2

品牌：WPMtek(维攀)

WPE0521NB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单晶硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。WPE0521NB电容超低，典型值为0.25pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±20kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数字视频接口、HDMI、DVI、USB2.0、USB3.0等高速端口的理想选择。

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20+
￥0.2024
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￥0.157
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￥0.1318
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￥0.1167
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￥0.0986
20000+
￥0.0915

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型号：LY03AC5UL 编号：C3019525

封装：DFN1610-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY03AC5UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具备快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。它采用超小型无铅DFN1610 - 2封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

数据手册

10+
￥0.20772 ￥0.3462
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￥0.16392 ￥0.2732
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￥0.14202 ￥0.2367
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￥0.10698 ￥0.1783
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￥0.10044 ￥0.1674

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型号：WPE1261KP1 编号：C7436954

封装：DFN1006-2

品牌：WPMtek(维攀)

WPE1261KP1是一款12V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使WPE1261KP1成为保护手机、数码相机、音频播放器和其他众多便携式应用的理想选择。

20+
￥0.237
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