DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN-8-EP(4x4)

由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用8引脚SOIC和DFN封装。两个MOSFET都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。这是一款互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

数据手册

1+
￥29.35
10+
￥25.44
30+
￥23.11

有货

立即购买

型号：ESD11LM5.0C 编号：C22368638

封装：DFN0603-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

飞法双向静电放电（ESD）保护二极管，采用无引脚超小型DFN0603表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。极低的电容、高ESD最大额定值和超小型封装的组合，使该器件非常适合高速数据线保护和天线保护应用。

20+
￥0.1008 ￥0.1344
200+
￥0.078525 ￥0.1047
600+
￥0.06615 ￥0.0882
2000+
￥0.058725 ￥0.0783
15000+
￥0.052275 ￥0.0697
30000+
￥0.048825 ￥0.0651

有货

立即购买

型号：ESD11LL5.0C 编号：C22368661

封装：DFN0603-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

双向静电放电（ESD）保护二极管，采用无引脚超小型DFN0603表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态信号的损害。极低的电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合，使该器件非常适合高速数据线保护和天线保护应用。

20+
￥0.11458 ￥0.1348
200+
￥0.09826 ￥0.1156
600+
￥0.08925 ￥0.105
2000+
￥0.08381 ￥0.0986
15000+
￥0.079135 ￥0.0931
30000+
￥0.076585 ￥0.0901

有货

立即购买

型号：BTRD04A15 编号：C19188343

封装：DFN1006-2

品牌：Slkor(萨科微)

BTRD04A15是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。BTRD04A15符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用超小型1.0x0.6 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使BTRD04A15成为保护手机、数码相机、音频播放器和其他众多便携式应用的理想选择。

20+
￥0.12 ￥0.15
200+
￥0.0928 ￥0.116
600+
￥0.07768 ￥0.0971
2000+
￥0.06856 ￥0.0857
10000+
￥0.06072 ￥0.0759
20000+
￥0.05648 ￥0.0706

有货

立即购买

型号：ESD5304D-10/TR 编号：C153722

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5304D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5304D可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5304D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3626
100+
￥0.2905
300+
￥0.2545
3000+
￥0.2275
6000+
￥0.2059

有货

立即购买

型号：TT0514SPX 编号：C3038067

封装：DFN2510-10L

品牌：晶扬电子

TT0514SPX是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。其典型电容仅为0.5pF，旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC61000 - 4 - 2（ESD）4级标准（±15kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC61000 - 4 - 4（电气快速瞬变 - EFT）（40A、5/50ns）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。TT0514SPX采用符合RoHS标准且无卤的2.5mm x 1.0mm x 0.55mm DFN2510 - 10L封装。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定的超低电容导向二极管和一个TVS。在瞬态条件下，导向二极管将瞬态电流引导至电源线的正端或接地。

数据手册

10+
￥0.3691
100+
￥0.2971
300+
￥0.2611
3000+
￥0.20672 ￥0.2176
6000+
￥0.1862 ￥0.196
9000+
￥0.17594 ￥0.1852

有货

立即购买

型号：TT0314TPX 编号：C5307962

封装：DFN2510-10L

品牌：晶扬电子

TT0314TPX是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。其典型电容仅为0.7pF，旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC61000 - 4 - 2（ESD）4级标准（±15kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC61000 - 4 - 5（雷击）标准（5A，8/20μs）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等。TT0314TP采用符合RoHS标准且无卤的2.5mm x 1.0mm x 0.55mm DFN2510 - 10L封装。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定的超低电容转向二极管和一个TVS。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流引导至电源线的正极或接地。

数据手册

5+
￥0.476
50+
￥0.42
150+
￥0.392
500+
￥0.371
3000+
￥0.3374
6000+
￥0.329

有货

立即购买

型号：BN5C071V160 编号：C19078055

封装：DFN1610-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) DFN1610 7V双向大电流静电保护管 IPP=140A

5+
￥0.75897 ￥0.8433
50+
￥0.59481 ￥0.6609
150+
￥0.51273 ￥0.5697
500+
￥0.45117 ￥0.5013
3000+
￥0.38718 ￥0.4302
6000+
￥0.36252 ￥0.4028

有货

立即购买

型号：ESD8D5.0C-V2-HXY 编号：C4748771

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道保护。具有5.5A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD冲击，确保电路安全。结电容低至10pF，保障高速数据传输时信号完整性，是现代电子设备接口的理想选择，为高集成度应用提供卓越的静电防护性能。

数据手册

100+
￥0.0348 ￥0.0435
1000+
￥0.02704 ￥0.0338
3000+
￥0.02272 ￥0.0284
10000+
￥0.01888 ￥0.0236
50000+
￥0.01664 ￥0.0208
100000+
￥0.01544 ￥0.0193

有货

立即购买

型号：ULC0511CDN 编号：C2972751

封装：DFN1006-2

品牌：JKSEMI(金开盛)

ULC0511CDN是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间、极低电容和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ULC0511 CDN符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15KV，接触放电±8KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和极低电容使ULC0511CDN成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口和许多其他便携式应用的理想选择。

数据手册

50+
￥0.0862
500+
￥0.0667
1500+
￥0.0559
10000+
￥0.0508

有货

立即购买

型号：LESD11LL5.0CT5G 编号：C18198392

封装：DFN0603-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管，适用于5V系统，提供单通道高效保护。拥有4A峰值脉冲电流IPP能力，能快速响应并抑制双向静电放电，确保电路安全。其超低结电容0.35pF设计特别适合高速数据传输应用，有效保障信号完整性，是高端电子设备接口的理想ESD防护方案。

20+
￥0.096999 ￥0.1043
200+
￥0.094953 ￥0.1021
600+
￥0.093651 ￥0.1007
2000+
￥0.092256 ￥0.0992

有货

立即购买

型号：ESD8D12C 编号：C22368679

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006(SOD882)无铅超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态损害。

20+
￥0.14958 ￥0.1662
200+
￥0.11655 ￥0.1295
600+
￥0.09819 ￥0.1091
2000+
￥0.08712 ￥0.0968
10000+
￥0.07758 ￥0.0862
20000+
￥0.07245 ￥0.0805

有货

立即购买

型号：LY8AC15UL 编号：C22434953

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8AC15UL 是一款双向 TVS 二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。它符合 IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受 ±20KV 空气放电和 ±15KV 接触放电。该器件采用超小型无铅 DFN1006 - 2 封装。其尺寸小、电容超低且具备高 ESD 浪涌保护能力，是保护手机和大功率 USB 的理想选择。

10+
￥0.15468 ￥0.2578
100+
￥0.12156 ￥0.2026
300+
￥0.105 ￥0.175
1000+
￥0.09258 ￥0.1543
5000+
￥0.08262 ￥0.1377
10000+
￥0.08112 ￥0.1352

有货

立即购买

型号：ESD8FT5.0 编号：C22368658

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

ESD8FT5.0是一款单向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD8FT5.0符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使ESD8FT5.0成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

10+
￥0.16236 ￥0.1804
100+
￥0.14256 ￥0.1584
300+
￥0.13266 ￥0.1474
1000+
￥0.12528 ￥0.1392
5000+
￥0.11934 ￥0.1326
10000+
￥0.11637 ￥0.1293

有货

立即购买

型号：ESD63011N-2/TR 编号：C2941829

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD63011N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD63011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD63011N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD63011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.418
100+
￥0.335
300+
￥0.2935
1000+
￥0.2623
5000+
￥0.2374

有货

立即购买

型号：RS2599AYTDC8 编号：C42459548

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：RUNIC(润石)

是用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。是一种经济高效、低电压、单P沟道MOSFET负载开关，RDS(ON)为50mΩ，没有寄生体二极管，可消除开关断电时的任何反向电流。当输出电压高于输入电压时，电源开关通过内部输出反向电压保护关闭。具有多种保护功能，包括限流和热关断，可防止在连续重载或短路时因功耗增加而导致开关灾难性故障。FLAG是一个开漏输出，用于报告过流或过温事件，典型消隐时间为13ms。采用绿色DFN3X3-8封装，额定温度范围为-40℃至85℃。

5+
￥1.457
50+
￥1.1294
150+
￥0.989
500+
￥0.8139
2500+
￥0.7359

有货

立即购买

型号：HESDNC5VB1AF-B 编号：C3033472

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，适用于5V系统，提供单通道高效保护，有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保敏感电子设备安全。保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性，是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。

数据手册

100+
￥0.0183
1000+
￥0.0179
3000+
￥0.0176
10000+
￥0.0164

有货

立即购买

型号：PESDNC2FD5VB 编号：C5451651

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计，具备强大的单通道保护功能。能有效抑制高达9A的双向瞬态ESD电流，确保电子设备不受静电损害。15pF低结电容特性保证了在高速信号传输中保持卓越的信号完整性，是各类高集成度和高速接口应用的理想ESD防护方案。

100+
￥0.03592 ￥0.0449
1000+
￥0.02752 ￥0.0344
3000+
￥0.02288 ￥0.0286
10000+
￥0.02016 ￥0.0252
50000+
￥0.01776 ￥0.0222
100000+
￥0.0164 ￥0.0205

有货

立即购买

型号：PESD5V0U1UA 编号：C7473296

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道高效防护。具备2.5A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，保护电路免受损坏。结电容低至2.5pF，确保在高速数据传输应用中保持出色的信号完整性，是小型化电子设备的理想选择，提供卓越的静电防护性能。

50+
￥0.075975 ￥0.1013
500+
￥0.058725 ￥0.0783
1500+
￥0.0492 ￥0.0656
10000+
￥0.041775 ￥0.0557
20000+
￥0.036825 ￥0.0491
50000+
￥0.034125 ￥0.0455

有货

立即购买

型号：HESDUC5VB1AF-B 编号：C3033473

封装：DFN1006-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路安全。超低结电容0.6pF设计，尤其适合高速数据传输接口，兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能，是现代电子设备的理想选择。

数据手册

50+
￥0.08942 ￥0.1052
500+
￥0.070125 ￥0.0825
1500+
￥0.059415 ￥0.0699
10000+
￥0.05083 ￥0.0598
20000+
￥0.04522 ￥0.0532
50000+
￥0.042245 ￥0.0497

有货

立即购买

型号：ESD8L5.0C 编号：C22368644

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

采用无引脚超小型DFN1006表面贴装器件（SMD）塑料封装的飞法双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。极低的电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合，使该器件非常适合高速数据线保护和天线保护应用。

50+
￥0.09459 ￥0.1051
500+
￥0.07371 ￥0.0819
1500+
￥0.0621 ￥0.069
10000+
￥0.05508 ￥0.0612
20000+
￥0.04905 ￥0.0545
50000+
￥0.04581 ￥0.0509

有货

立即购买

型号：ESD8E7.0C 编号：C22368633

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

采用DFN1006(SOD882)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的低电容双向静电放电(ESD)保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

20+
￥0.099 ￥0.132
200+
￥0.0771 ￥0.1028
600+
￥0.06495 ￥0.0866
2000+
￥0.057675 ￥0.0769
10000+
￥0.051375 ￥0.0685
20000+
￥0.047925 ￥0.0639

有货

立即购买

型号：ESD8U5.0C 编号：C22368652

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

采用DFN1006（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

10+
￥0.15334 ￥0.1804
100+
￥0.13464 ￥0.1584
300+
￥0.12529 ￥0.1474
1000+
￥0.11832 ￥0.1392
5000+
￥0.11271 ￥0.1326
10000+
￥0.109905 ￥0.1293

有货

立即购买

型号：ESD8D24C 编号：C22368683

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006(SOD882)无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态电压的损害。

10+
￥0.16236 ￥0.1804
100+
￥0.14256 ￥0.1584
300+
￥0.13266 ￥0.1474
1000+
￥0.12528 ￥0.1392
5000+
￥0.11934 ￥0.1326
10000+
￥0.11637 ￥0.1293

有货

立即购买

型号：ESD8V5.0C 编号：C22368623

封装：DFN1006-2L

品牌：Wild Goose(威谷)

低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，采用DFN1006（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

10+
￥0.20077 ￥0.2362
100+
￥0.17629 ￥0.2074
300+
￥0.16405 ￥0.193
1000+
￥0.15487 ￥0.1822
5000+
￥0.14756 ￥0.1736
10000+
￥0.14382 ￥0.1692

有货

立即购买

型号：RCLAMP7534P-MS 编号：C22399256

封装：DFN2010-5L

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款态电压抑制二极管采用DFN2010-5L封装，极性单向,反向截止电压(Vrwm)：5V,最大钳位电压:IPP:3.5A@15V,峰值脉冲电流(Ipp)@8/20us:3.5A,CJ容值：0.3PF主要针对I/O接口提供保护，比如USB 3.0、HDMI、DisplayPort等高速数据线，能够保护4条线路免受瞬态电压冲击能够稳定的保护你的电路设计！

5+
￥0.56088 ￥0.6232
50+
￥0.49248 ￥0.5472
150+
￥0.45828 ￥0.5092
500+
￥0.43263 ￥0.4807
2500+
￥0.41211 ￥0.4579
5000+
￥0.40185 ￥0.4465

有货

立即购买

型号：MSESD5641D12-3 编号：C3018921

封装：DFN2x2-3L

品牌：MSKSEMI(美森科)

MSESD5641DXX - 3是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。MSESD5641DXX - 3专门设计用于保护USB端口，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。MSESD5641DXX - 3采用DFN2×2 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册