DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SBR0240LP-7 编号：C460742

封装：DFN-2(0.6x1)

品牌：DIODES(美台)

特性：超低正向压降。卓越的反向雪崩能力。专利超级势垒整流器技术（SBR）。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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5+
￥0.5391
50+
￥0.5275
150+
￥0.5197

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型号：PMEG2005EL-QYL 编号：C41709209

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

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￥0.5971
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型号：PESD1IVN24L-QYL 编号：C20235748

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

ESD保护器件采用无铅超小型DFN1006-2 (SOD882)表面贴装器件(SMD)塑料封装，旨在保护汽车车内网络总线免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压的损害。

5+
￥0.606
50+
￥0.5937
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型号：PMEG3001EEFZ 编号：C552842

封装：DFN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

平面最大效率通用应用 (MEGA) 肖特基势垒整流器，带有集成保护环，用于在DFN0603-2 (SOD972E) 无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 封装中进行应力保护。

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型号：BZT52C15LP-7 编号：C2978911

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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型号：BAV99QAZ 编号：C440744

封装：DFN1010D-3

品牌：Nexperia(安世)

双系列高速开关二极管，采用无铅超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装，侧面焊盘可见且可焊接。

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￥0.7811
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￥0.6733
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2500+
￥0.5465
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型号：PESD32VF1BLS-QYL 编号：C20235774

封装：DFN1006BD-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用 DFN1006BD-2 (SOD882BD) 无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态电压的损坏。

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￥0.9531
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型号：PZU5.1B2L,315 编号：C553748

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882无铅超小表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥1.0086
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型号：V3NM103HM3/I 编号：C20039091

封装：DFN3820A

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。典型高度为 0.88mm。带可侧焊侧翼的无铅 DFN 封装，适用于客户自动光学检测 (AOL)。沟槽 MOS 肖特基技术。低功耗，高效率。低正向压降。应用：用于低压、高频逆变器。续流

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型号：PMEG2020CPASX 编号：C552837

封装：DFN2020D-3

品牌：Nexperia(安世)

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型号：EMC1814T-AE/9R 编号：C625049

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

EMC1812/13/14/15/33 系列器件是高精度两线制（I²C）温度传感器，可监测多达五个温度通道。其具备诸如电阻误差校正（REC）、β补偿（以支持需要 BJT/晶体管模型的 CPU 二极管）和温度变化率测量等先进特性，为复杂的环境监测应用提供了可靠的解决方案。该系列器件引入了带相关警报的温度变化率（ROC）测量功能，可提前发出系统警报，并增加一层保护测量机制，以捕捉和管理系统的温度变化

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￥6.9282 ￥12.83
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型号：NRVB30H100MFST3G 编号：C895804

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低功率损耗/高效率。新封装，可在电路板安装后进行检查和探测。保护环用于应力保护。低正向压降。工作结温175℃。可选择可焊侧翼。应用：紧凑型便携式消费应用中的输出整流。与感性负载一起使用的续流二极管

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型号：V10K100DUHM3/H 编号：C6582731

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VISHAY(威世)

特性：Trench MOS Schottky技术可用。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，RoHS LF最高峰值260°C，符合无卤要求。可提供AEC-Q101认证-汽车订购代码：基础型号NHM3。应用：用于低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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￥9.01
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型号：TPS61166DSKT 编号：C2678758

封装：DFN-10-EP(2.5x2.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS61166 具有集成功率二极管和快速突发调光模式的白光 LED 驱动器

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￥18.19
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型号：LT3591EDDB#TRMPBF 编号：C580106

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

该产品是一款固定频率升压型DC/DC转换器，专为从锂离子电池驱动多达十个串联的白色LED而设计。LED串联可提供相同的LED电流，确保亮度均匀，无需镇流电阻。该器件具有独特的高端LED电流检测功能，可作为“单线电流源”工作；LED串的一侧可在任意位置接地，实现更简单的单线LED连接。传统的LED驱动器使用接地电阻来检测LED电流，需要与LED串进行双线连接。高开关频率允许使用小型电感器和电容器。单引脚可同时实现关断和精确的LED调光控制。只需很少的外部组件：开路LED保护和肖特基二极管都集成在一个3mm×2mm的薄型DFN封装中。

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￥20.41
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￥17.964 ￥19.96
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￥15.488 ￥19.36

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型号：LT3491ESC8#TRMPBF 编号：C670728

封装：SC-70-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款固定频率升压型 DC/DC 转换器，专门设计用于从锂离子电池驱动多达六个串联的白光 LED。LED 串联可提供相同的 LED 电流，实现均匀亮度，无需镇流电阻。该器件具有独特的高端 LED 电流检测功能，使其能够作为“单线电流源”工作；LED 串的一侧可以在任何位置接地，从而实现更简单的单线 LED 连接。传统的 LED 驱动器使用接地电阻来检测 LED 电流，需要与 LED 串进行双线连接

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￥23.37
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￥22.85
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￥19.944 ￥22.16

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型号：LT3497EDDB#TRMPBF 编号：C670762

封装：DFN-10-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款双功能升压 DC/DC 转换器，专为从锂离子电池驱动多达 12 个白光 LED（每个转换器串联 6 个白光 LED）而设计。LED 串联可提供相同的 LED 电流，实现均匀亮度，无需镇流电阻和昂贵的工厂校准。两个独立的转换器能够驱动不对称的 LED 串，还可以独立控制两个 LED 串的精确调光和关断。具有独特的高端 LED 电流检测功能，使该器件能够作为“单线电流源”工作，LED 串的一侧可以在任何位置接地，实现更简单的单线 LED 连接

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￥29.019 ￥34.14
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￥28.373 ￥33.38
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￥27.9395 ￥32.87
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￥27.5145 ￥32.37

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型号：LTC4357HDCB#TRPBF 编号：C688219

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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￥32.121 ￥37.35
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￥27.7608 ￥32.28
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￥25.0948 ￥29.18
100+
￥22.8674 ￥26.59

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型号：LTC4357IDCB#TRMPBF 编号：C580863

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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￥34.14
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￥29.31
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￥26.44

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型号：LTC4355IDE#TRPBF 编号：C688211

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

一种正电压理想二极管或控制器，驱动两个外部 N 沟道 MOSFET。用 N 沟道 MOSFET 代替肖特基二极管形成二极管或，可降低功耗、散热和 PCB 面积。电源可轻松并联，提高系统可靠性。可对两个正电源或两个负电源的返回路径进行二极管或操作，如在 -48V 系统中。正向时，控制 MOSFET 两端的电压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径，无振荡。若电源故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。电源故障检测可指示输入电源是否失调、串联保险丝是否熔断，或 MOSFET 两端的电压是否超过故障阈值。

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1+
￥46.5394 ￥49.51
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￥45.4114 ￥48.31
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￥44.6594 ￥47.51
100+
￥43.9168 ￥46.72

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型号：LTC4364HDE-2#TRPBF 编号：C688295

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

具理想二极管的浪涌抑制器

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￥64.9
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￥56.04
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￥50.64

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型号：LT4320HDD-1#PBF 编号：C672453

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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