DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMEG2005EL-QYL 编号：C41709209

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

5+
￥0.966
50+
￥0.9549
150+
￥0.9475

有货

立即购买

型号：PZU5.1B2L,315 编号：C553748

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD882无铅超小表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.0086
50+
￥0.8657
150+
￥0.7942
500+
￥0.7406
2500+
￥0.6977
5000+
￥0.6762

订货

我要订货

型号：V5NL63HM3/H 编号：C23917000

封装：DFN3820A

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥1.51
10+
￥1.47
30+
￥1.45

有货

立即购买

型号：NSR201MXT5G 编号：C604341

封装：DFN1006-2L

品牌：onsemi(安森美)

NSR201MX 是一款 RF 肖特基势垒二极管，2 V，50 mA，0.15 pF，单 X2DFN2 封装。此肖特基势垒二极管适用于高频应用。它可广泛用于 C 波段功率检测器和 Ku 波段混频器等。X2DFN2 的封装尺寸为 1.0 x 0.6 x 0.4 mm。这是市场上的最小尺寸。它还有助于减小 PCB 板的尺寸。

数据手册

1+
￥1.55
10+
￥1.52
30+
￥1.49
100+
￥1.47

有货

立即购买

型号：V5N22HM3/I 编号：C29774770

封装：DFN3820A

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥2.02
10+
￥1.97
30+
￥1.93

有货

立即购买

型号：PMEG3020EPA,115 编号：C552877

封装：DFN2020-3

品牌：Nexperia(安世)

平面型最大效率通用（MEGA）肖特基势垒整流器，集成保护环用于应力保护。PMEG3020EPA采用超薄SOT1061无引脚小尺寸表面贴装器件（SMD）塑料封装，具备中等功率能力。

数据手册

5+
￥2.7621
50+
￥2.3606
150+
￥2.1886
500+
￥1.9739
3000+
￥1.8783
6000+
￥1.8209

有货

立即购买

型号：BZX884B6V2L-HG3-08 编号：C3740922

封装：DFN1006-2A

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面稳压二极管。低漏电流，低噪声。出色的稳定性。浪涌额定。稳压电压容差 ±2%。无铅超小型 DFN1006-2A 封装（1mm×0.6mm×0.45mm）。功耗优于 SOT-23。表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面有可见且镀锡/可焊侧翼。可通过标准目视检查焊接情况，无需 X 射线检查即可满足汽车自动光学检测（AOI）要求。符合 AEC-Q101 标准。材料分类：有关合规性定义请参考相关文档

1+
￥2.97
10+
￥2.36
30+
￥2.1

有货

立即购买

型号：ZXTNS618MCTA 编号：C445510

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 20V。连续集电极电流IC = 4.5A。低饱和电压：最大150mV（@1A）。应用：DC-DC转换器

数据手册

1+
￥3.285 ￥10.95
10+
￥2.142 ￥10.71
30+
￥1.055 ￥10.55
100+
￥1.039 ￥10.39

有货

立即购买

型号：EMC1814T-AE/9R 编号：C625049

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

EMC1812/13/14/15/33 系列器件是高精度两线制（I²C）温度传感器，可监测多达五个温度通道。其具备诸如电阻误差校正（REC）、β补偿（以支持需要 BJT/晶体管模型的 CPU 二极管）和温度变化率测量等先进特性，为复杂的环境监测应用提供了可靠的解决方案。该系列器件引入了带相关警报的温度变化率（ROC）测量功能，可提前发出系统警报，并增加一层保护测量机制，以捕捉和管理系统的温度变化

数据手册

1+
￥7.8263 ￥12.83
10+
￥6.4005 ￥12.55
30+
￥5.0676 ￥12.36
100+
￥4.9897 ￥12.17

有货

立即购买

型号：WNSC08650T6J 编号：C602743

封装：DFN-5(8x8)

品牌：WeEn(瑞能)

碳化硅肖特基二极管采用DFN 8×8塑料封装，专为高频开关模式电源设计。

数据手册

1+
￥16.9811 ￥36.13
10+
￥11.5144 ￥31.12
30+
￥7.5951 ￥28.13
100+
￥6.7824 ￥25.12
500+
￥6.4071 ￥23.73
1000+
￥6.237 ￥23.1

有货

立即购买

型号：LT3591EDDB#TRMPBF 编号：C580106

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

该产品是一款固定频率升压型DC/DC转换器，专为从锂离子电池驱动多达十个串联的白色LED而设计。LED串联可提供相同的LED电流，确保亮度均匀，无需镇流电阻。该器件具有独特的高端LED电流检测功能，可作为“单线电流源”工作；LED串的一侧可在任意位置接地，实现更简单的单线LED连接。传统的LED驱动器使用接地电阻来检测LED电流，需要与LED串进行双线连接。高开关频率允许使用小型电感器和电容器。单引脚可同时实现关断和精确的LED调光控制。只需很少的外部组件：开路LED保护和肖特基二极管都集成在一个3mm×2mm的薄型DFN封装中。

数据手册

1+
￥17.2329 ￥18.53
10+
￥16.8144 ￥18.08
30+
￥16.5354 ￥17.78
100+
￥16.2564 ￥17.48

有货

立即购买

型号：TC7920K6-G 编号：C625020

封装：DFN-12-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由两对高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引脚DFN封装。所有MOSFET都集成了输出漏极高压二极管、栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲发生器应用。互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有MOS结构的特性使这些器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度的各种开关和放大应用。

1+
￥31.13
10+
￥26.69
30+
￥24.05

有货

立即购买

型号：LTC4413EDD-1#TRPBF 编号：C688485

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 快速理想二极管

数据手册

1+
￥31.473 ￥34.97
10+
￥27.072 ￥30.08
30+
￥24.381 ￥27.09
100+
￥22.131 ￥24.59

有货

立即购买

型号：NRVTS1545EMFST1G 编号：C900235

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

NTS1545EMFS 和 NRVTS1545EMFS 是极低漏沟槽型肖特基整流器。此项新技术可实现低正向电压降，而且不会发生平面肖特基整流器出现的高逆向泄漏。此平台还基于宽温度范围提供非常稳定的开关特性，是用于开关电源的理想输出整流器。

数据手册

1+
￥37.55
10+
￥36.66
30+
￥36.07
100+
￥35.49

有货

立即购买

型号：LTC4359IDCB#TRPBF 编号：C688241

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

数据手册

1+
￥39.55
10+
￥34.01
30+
￥30.64
100+
￥26.1414 ￥27.81

有货

立即购买

型号：LTC4364IDE-1#PBF 编号：C688301

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

具理想二极管的浪涌抑制器

数据手册

1+
￥44.156 ￥126.16
10+
￥30.78 ￥123.12
30+
￥18.468 ￥123.12

有货

立即购买

型号：LTC4373CDD#PBF 编号：C3229225

封装：DFN-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降，即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率

1+
￥50.78
10+
￥49.6
30+
￥48.81
100+
￥43.218 ￥48.02

有货

立即购买

型号：LT4320HDD#PBF 编号：C672451

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

数据手册

1+
￥56.58
10+
￥55.2
30+
￥54.27
100+
￥50.6825 ￥53.35

有货

立即购买

型号：LTC4364HDE-2#PBF 编号：C580873

封装：DFN-14(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

具理想二极管的浪涌抑制器

1+
￥58.92
10+
￥50.57
30+
￥45.49

有货

立即购买

型号：LTC4364IDE-1#TRPBF 编号：C688302

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4364浪涌抑制器与理想二极管控制器可保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件（如汽车负载突降）期间，它通过控制外部N沟道MOSFET传输器件两端的压降来限制和调节输出。LTC4364还包含一个定时、限流断路器

数据手册

1+
￥59.26
10+
￥50.88
30+
￥45.76
100+
￥39.8208 ￥41.48

有货

立即购买

型号：LT4320IDD#TRPBF 编号：C672462

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

数据手册

1+
￥67.57
10+
￥65.42

有货

立即购买

型号：LT4320HDD-1#PBF 编号：C672453

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

数据手册