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首页 > 热门关键词 > DFN二极管
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是一款正向高压理想二极管控制器,可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降,以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式,可将负载开关的静态电流降至 9μA,理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时,可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值,可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。
数据手册
  • 1+

    ¥31.3544 ¥35.63
  • 10+

    ¥26.9456 ¥30.62
  • 30+

    ¥24.3232 ¥27.64
  • 100+

    ¥21.6744 ¥24.63
  • 500+

    ¥20.4512 ¥23.24
  • 1000+

    ¥19.8968 ¥22.61
  • 有货
  • LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器,可驱动四个N沟道MOSFET,支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗,理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本,尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器,并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计,从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流,而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流,也可以实现更高的工作频率。
    数据手册
    • 1+

      ¥67.7072 ¥76.94
    • 10+

      ¥58.5024 ¥66.48
    • 30+

      ¥52.8968 ¥60.11
    • 100+

      ¥48.1976 ¥54.77
  • 有货
  • 快速开关器件 | 低反向漏电流 | 符合ROHS标准 | UL-94 V-0阻燃等级/绿色电磁兼容 | 雾锡引脚涂层(无铅)
    • 50+

      ¥0.0626
    • 500+

      ¥0.0491
    • 1500+

      ¥0.0416
  • 有货
  • 肖特基 LOW VF肖特基 反向耐压(Vr):40V 正向压降(Vf):VF<0.37V IF=1A VF<0.5V IF=2A 超低压降
    • 10+

      ¥0.3044
    • 100+

      ¥0.242
    • 300+

      ¥0.2108
    • 3000+

      ¥0.1809
    • 6000+

      ¥0.1622
    • 9000+

      ¥0.1528
  • 订货
  • 通用齐纳二极管,采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3682
    • 50+

      ¥0.3606
    • 150+

      ¥0.3556
    • 500+

      ¥0.335
  • 有货
  • 超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管,采用 DFN1006BD-2 (SOD882BD) 无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。
    • 5+

      ¥0.6908
    • 50+

      ¥0.5809
    • 150+

      ¥0.526
    • 500+

      ¥0.4848
    • 2500+

      ¥0.4518
    • 5000+

      ¥0.4353
  • 订货
  • 通用齐纳二极管,采用SOD882无铅超小表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9852
    • 50+

      ¥0.9696
    • 150+

      ¥0.9592
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 低泄漏电流,低噪声。 出色的稳定性。 浪涌额定。 ±2%齐纳电压容差。 无铅超小DFN1006-2A封装(1mm×0.6mm×0.45mm)。 功率耗散优于SOT-23。 表面贴装器件(SMD)塑料封装,侧面有可见且镀锡/可焊侧翼。 可通过标准目视检查焊接情况,无需X射线检查即可满足汽车AOI要求。 可提供AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥1.0777
    • 50+

      ¥0.8521
    • 150+

      ¥0.7554
    • 500+

      ¥0.6348
  • 有货
  • 双系列高速开关二极管,采用超小型DFN1412D-3 (SOT8009)无铅表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,侧面可焊。
    • 5+

      ¥1.3884
    • 50+

      ¥1.3664
    • 150+

      ¥1.3517
  • 有货
  • 特性:低功耗/高效率。 新封装可在电路板安装后进行检查和探测。 保护环用于应力保护。 低正向压降。 175℃工作结温。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。 可选可焊侧翼。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 1+

      ¥1.6031 ¥3.91
    • 10+

      ¥0.9889 ¥3.19
    • 30+

      ¥0.5943 ¥2.83
    • 100+

      ¥0.5187 ¥2.47
    • 500+

      ¥0.4725 ¥2.25
    • 1000+

      ¥0.4494 ¥2.14
  • 有货
    • 5+

      ¥1.7365
    • 50+

      ¥1.7098
    • 150+

      ¥1.6919
  • 有货
    • 1+

      ¥2.04 ¥2.55
    • 10+

      ¥1.616 ¥2.02
    • 30+

      ¥1.432 ¥1.79
    • 100+

      ¥1.208 ¥1.51
    • 500+

      ¥1.112 ¥1.39
    • 1000+

      ¥1.048 ¥1.31
  • 有货
  • ESD7382 适用于针对 ESD 事件为需要超低电容的电压敏感部件提供保护。出色的箝位功能、低电容、低漏和快速响应时间,使得这些零部件非常适用于在板空间非常宝贵的设计中提供 ESD 防护。由于其电容较低,适用于 USB 2.0 高速和天线应用等高频率设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.48
    • 10+

      ¥1.97
    • 30+

      ¥1.74
  • 有货
  • 该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为6A,最大反向重复峰值电压达650V,正向压降典型值为1.32V,在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性,具备低导通损耗与优异的高频性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景,如开关电源、光伏逆变器及高频整流模块等,能够在高频率和高温环境下保持稳定工作特性。
    • 1+

      ¥5.11
    • 10+

      ¥4.99
    • 30+

      ¥4.91
  • 有货
  • 该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为6A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.32V,在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。
    • 1+

      ¥5.74
    • 10+

      ¥5.61
    • 30+

      ¥5.53
  • 有货
  • 该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为4A,反向重复峰值电压(VR)达650V,适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降(VF)为1.4V,具备较低的导通损耗,有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料特性,器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路,适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。
    • 1+

      ¥7.0965 ¥7.47
    • 10+

      ¥5.8995 ¥6.21
    • 30+

      ¥5.244 ¥5.52
    • 100+

      ¥4.503 ¥4.74
    • 500+

      ¥4.1705 ¥4.39
    • 1000+

      ¥4.0185 ¥4.23
  • 有货
  • 该碳化硅二极管采用独立式配置,具备4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR),在高效能电力转换中表现出色。其正向导通压降(VF)低至1.4V,有助于减少导通损耗,提升系统整体效率。器件利用碳化硅材料的优异特性,支持高频工作,反向恢复时间极短,适用于高密度电源设计。典型应用场景包括开关模式电源、服务器电源单元、可再生能源逆变装置及高效率DC-DC转换器,适合对热性能和空间布局有严格要求的紧凑型电子设备。
    • 1+

      ¥8.721 ¥9.18
    • 10+

      ¥7.2485 ¥7.63
    • 30+

      ¥6.441 ¥6.78
    • 100+

      ¥5.529 ¥5.82
    • 500+

      ¥5.1205 ¥5.39
    • 1000+

      ¥4.94 ¥5.2
  • 有货
  • 该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性,具有优异的开关性能和高温工作能力,反向恢复时间极短,可有效降低系统开关损耗。其封装设计有利于散热与电路集成,适用于高频率、高效率的电力转换场合,如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景,有助于提升整体能效与系统可靠性。
    • 1+

      ¥9.557 ¥10.06
    • 10+

      ¥8.1225 ¥8.55
    • 30+

      ¥7.2295 ¥7.61
    • 100+

      ¥6.308 ¥6.64
    • 500+

      ¥5.8995 ¥6.21
    • 1000+

      ¥5.719 ¥6.02
  • 有货
  • 该碳化硅二极管为独立式器件,额定正向电流(IF)为8A,反向重复峰值电压(VR)达650V,适用于中等功率的电力转换应用。其正向压降(VF)典型值为1.42V,具有较低的导通损耗,有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性,该器件具备优异的高频开关性能和良好的热导率,反向恢复电荷小,可减少开关过程中的能量损耗。广泛应用于高效开关电源、可再生能源发电系统的逆变模块、储能设备中的整流电路以及对能效和功率密度要求较高的电力电子装置。
    • 1+

      ¥11.4665 ¥12.07
    • 10+

      ¥9.747 ¥10.26
    • 30+

      ¥8.6735 ¥9.13
    • 100+

      ¥7.5715 ¥7.97
    • 500+

      ¥7.0775 ¥7.45
    • 1000+

      ¥6.859 ¥7.22
  • 有货
  • 该碳化硅二极管为独立式单管结构,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)达650V,适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降(VF)低至1.37V,有效降低导通损耗,提升系统能效。基于碳化硅材料的优异特性,该器件具备快速开关能力、较小的反向恢复电荷及良好的热稳定性,适合在高频、高效率电源设计中应用。典型使用场景包括高效AC-DC/DC-DC转换器、不间断电源模块及高密度电源适配器等对性能与可靠性要求较高的场合。
    • 1+

      ¥11.4665 ¥12.07
    • 10+

      ¥9.747 ¥10.26
    • 30+

      ¥8.6735 ¥9.13
    • 100+

      ¥7.5715 ¥7.97
    • 500+

      ¥7.0775 ¥7.45
    • 1000+

      ¥6.859 ¥7.22
  • 有货
  • 该款碳化硅二极管采用独立式配置,具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降低至1.32V,有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。基于碳化硅材料的优异特性,该器件支持高频开关操作,反向恢复特性优异,可有效降低开关损耗,适用于高效率电源转换设计。其稳定的电气性能和高可靠性,使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。
    • 1+

      ¥11.4665 ¥12.07
    • 10+

      ¥9.747 ¥10.26
    • 30+

      ¥8.6735 ¥9.13
    • 100+

      ¥7.5715 ¥7.97
    • 500+

      ¥7.0775 ¥7.45
    • 1000+

      ¥6.859 ¥7.22
  • 有货
  • 该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为6A,反向重复峰值电压(VR)达650V,适用于中等功率电力转换场景。其正向导通压降(VF)低至1.32V,显著减少导通损耗,提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强,器件具备优良的高温工作能力与快速恢复特性,支持高频开关运行。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、可再生能源发电系统的功率调节模块、高密度电源适配器以及不间断电源设备中的整流与反向阻断电路,适用于对效率与可靠性要求较高的电力电子设计。
    • 1+

      ¥11.4665 ¥12.07
    • 10+

      ¥9.747 ¥10.26
    • 30+

      ¥8.6735 ¥9.13
    • 100+

      ¥7.5715 ¥7.97
    • 500+

      ¥7.0775 ¥7.45
    • 1000+

      ¥6.859 ¥7.22
  • 有货
  • 该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高频开关条件下表现出优异的导通能力与耐压性能。其正向压降(VF)低至1.42V,有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性,具备快速恢复速度和良好的热稳定性,适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路,适合对功率密度和转换效率有较高要求的电子设备。
    • 1+

      ¥11.4665 ¥12.07
    • 10+

      ¥9.747 ¥10.26
    • 30+

      ¥8.6735 ¥9.13
    • 100+

      ¥7.5715 ¥7.97
    • 500+

      ¥7.0775 ¥7.45
    • 1000+

      ¥6.859 ¥7.22
  • 有货
  • 该碳化硅二极管采用独立式配置,具备4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR),在高负载条件下仍可保持稳定性能。其正向导通压降(VF)典型值为1.4V,有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性,该器件具有优异的高温工作能力和快速开关特性,反向恢复时间极短,适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于高效开关电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中,满足对功率密度和热管理有严苛要求的应用需求。
    • 1+

      ¥13.376 ¥14.08
    • 10+

      ¥11.3715 ¥11.97
    • 30+

      ¥10.1175 ¥10.65
    • 100+

      ¥8.835 ¥9.3
    • 500+

      ¥8.2555 ¥8.69
    • 1000+

      ¥7.999 ¥8.42
  • 有货
  • 该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR),在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降(VF)为1.42V,有助于降低导通损耗,提升能效。器件利用碳化硅材料特性,具有优异的高温工作能力与开关速度,适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于各类电力变换装置中,如开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路,可有效提升系统整体效率与功率密度。
    • 1+

      ¥13.376 ¥14.08
    • 10+

      ¥11.3715 ¥11.97
    • 30+

      ¥10.1175 ¥10.65
    • 100+

      ¥8.835 ¥9.3
    • 500+

      ¥8.2555 ¥8.69
    • 1000+

      ¥7.999 ¥8.42
  • 有货
  • 该碳化硅二极管为单体结构,额定正向电流(IF)为6A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向导通压降(VF)低至1.32V。依托碳化硅半导体材料,具备出色的热稳定性和极快的开关速度,反向恢复时间短,漏电流小。适用于高效率、高频率的电力转换场景,如通信电源、不间断电源系统、光伏逆变器中的续流与整流环节,以及高功率密度的开关电源模块,有助于降低系统功耗,提升整体能效与运行可靠性。
    • 1+

      ¥13.376 ¥14.08
    • 10+

      ¥11.3715 ¥11.97
    • 30+

      ¥10.1175 ¥10.65
    • 100+

      ¥8.835 ¥9.3
    • 500+

      ¥8.2555 ¥8.69
    • 1000+

      ¥7.999 ¥8.42
  • 有货
  • 该碳化硅二极管为独立式设计,额定正向电流(IF)为10A,反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)为1.37V。基于碳化硅半导体材料,具备优异的开关速度和高温工作能力,反向恢复时间极短,可显著降低开关损耗。适用于高效率电源转换电路,如功率因数校正(PFC)模块、开关模式电源(SMPS)、直流-直流变换器及逆变装置。其高耐压与低导通损耗特性有助于提升系统能效,支持紧凑型、高功率密度的电路设计需求。
    • 1+

      ¥13.376 ¥14.08
    • 10+

      ¥11.3715 ¥11.97
    • 30+

      ¥10.1175 ¥10.65
    • 100+

      ¥8.835 ¥9.3
    • 500+

      ¥8.2555 ¥8.69
    • 1000+

      ¥7.999 ¥8.42
  • 有货
  • 该碳化硅二极管为独立式单管结构,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向导通压降(VF)典型值为1.37V。基于碳化硅半导体材料,具备出色的开关速度与高温稳定性,反向恢复特性优异,漏电流低。其物理特性支持高频工作环境下的高效能量转换,适用于高密度电源系统,如通信电源、大功率适配器、不间断电源(UPS)及可再生能源发电设备中的整流与防逆流电路,有助于降低系统热损耗并提升功率密度。
    • 1+

      ¥15.2855 ¥16.09
    • 10+

      ¥12.996 ¥13.68
    • 30+

      ¥11.5615 ¥12.17
    • 100+

      ¥10.0985 ¥10.63
    • 500+

      ¥9.4335 ¥9.93
    • 1000+

      ¥9.1485 ¥9.63
  • 有货
  • 该碳化硅二极管为独立式器件,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降为1.42V,在高频工作条件下可有效降低导通损耗,提升系统效率。基于碳化硅材料的特性,该器件具有优异的开关速度与热导性能,反向恢复电荷极小,有助于减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效开关电源、直流-直流变换模块、功率因数校正电路及高密度电源适配器,适合对能效、功率密度和热管理有较高要求的电子系统设计。
    • 1+

      ¥15.2855 ¥16.09
    • 10+

      ¥12.996 ¥13.68
    • 30+

      ¥11.5615 ¥12.17
    • 100+

      ¥10.0985 ¥10.63
    • 500+

      ¥9.4335 ¥9.93
    • 1000+

      ¥9.1485 ¥9.63
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  • 该碳化硅二极管为独立式器件,额定平均正向整流电流为8A,反向重复峰值电压达650V,可承受较高的电压应力。其正向导通压降为1.42V,在同类器件中表现优异,有助于减少功率损耗。采用碳化硅材料,具备出色的反向恢复特性与高温稳定性,适用于高频率、高效率的电力转换电路,如开关模式电源、不间断电源系统、光伏逆变装置及高功率密度适配器等,能够提升系统整体能效并优化热设计。
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