DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率的电力转换应用。其正向压降（VF）典型值为1.42V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能和良好的热导率，反向恢复电荷小，可减少开关过程中的能量损耗。广泛应用于高效开关电源、可再生能源发电系统的逆变模块、储能设备中的整流电路以及对能效和功率密度要求较高的电力电子装置。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
30+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

立即购买

型号：STPSC6H065DLF-HXY 编号：C51896362

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.32V，有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗，适用于高效率电源转换设计。其稳定的电气性能和高可靠性，使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
30+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

立即购买

型号：S3D10065L-HXY 编号：C51896320

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.37V，有效降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速开关能力、较小的反向恢复电荷及良好的热稳定性，适合在高频、高效率电源设计中应用。典型使用场景包括高效AC-DC/DC-DC转换器、不间断电源模块及高密度电源适配器等对性能与可靠性要求较高的场合。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
30+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

立即购买

型号：FFSM0665B-HXY 编号：C51896312

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.32V，显著减少导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，器件具备优良的高温工作能力与快速恢复特性，支持高频开关运行。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、可再生能源发电系统的功率调节模块、高密度电源适配器以及不间断电源设备中的整流与反向阻断电路，适用于对效率与可靠性要求较高的电力电子设计。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
30+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

立即购买

型号：SIC0860PL8-HXY 编号：C51896314

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高频开关条件下表现出优异的导通能力与耐压性能。其正向压降（VF）低至1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，具备快速恢复速度和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，适合对功率密度和转换效率有较高要求的电子设备。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
30+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

立即购买

型号：HC1D06065L 编号：C41428797

封装：DFN-4(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有6A的额定电流（IF），能够承受高达650V的反向电压（VR），且其正向电压（VF）仅为1.3V，表现出优异的导电性能和低能耗特点。适用于高频开关电源设计，能够在减少能量损失的同时，提供高效的能量转换。此外，它也是构建高性能电子设备的理想选择，特别是在需要可靠快速开关特性的场合下，能有效增强电路的稳定性和响应速度。

1+
￥7.6818 ￥8.26
10+
￥7.5051 ￥8.07
30+
￥7.3935 ￥7.95
100+
￥7.1889 ￥7.73

有货

立即购买

型号：WNSC08650T6J-HXY 编号：C51896380

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）为1.42V，有助于降低导通损耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高温工作能力与开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于各类电力变换装置中，如开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，可有效提升系统整体效率与功率密度。

1+
￥8.4455 ￥8.89
10+
￥8.2555 ￥8.69
30+
￥8.132 ￥8.56
100+
￥7.999 ￥8.42

有货

立即购买

型号：FFSM0465A-HXY 编号：C51896345

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作能力和快速开关特性，反向恢复时间极短，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于高效开关电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，满足对功率密度和热管理有严苛要求的应用需求。

1+
￥8.4455 ￥8.89
10+
￥8.2555 ￥8.69
30+
￥8.132 ￥8.56
100+
￥7.999 ￥8.42

有货

立即购买

型号：C6D06065Q-TR-HXY 编号：C51896317

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）低至1.32V。依托碳化硅半导体材料，具备出色的热稳定性和极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流小。适用于高效率、高频率的电力转换场景，如通信电源、不间断电源系统、光伏逆变器中的续流与整流环节，以及高功率密度的开关电源模块，有助于降低系统功耗，提升整体能效与运行可靠性。

1+
￥8.4455 ￥8.89
10+
￥8.2555 ￥8.69
30+
￥8.132 ￥8.56
100+
￥7.999 ￥8.42

有货

立即购买

型号：FFSM1065B-HXY 编号：C51896366

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关速度和高温工作能力，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗。适用于高效率电源转换电路，如功率因数校正（PFC）模块、开关模式电源（SMPS）、直流-直流变换器及逆变装置。其高耐压与低导通损耗特性有助于提升系统能效，支持紧凑型、高功率密度的电路设计需求。

1+
￥8.4455 ￥8.89
10+
￥8.2555 ￥8.69
30+
￥8.132 ￥8.56
100+
￥7.999 ￥8.42

有货

立即购买

型号：IDL10G65C5XUMA2-HXY 编号：C51896361

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）典型值为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的开关速度与高温稳定性，反向恢复特性优异，漏电流低。其物理特性支持高频工作环境下的高效能量转换，适用于高密度电源系统，如通信电源、大功率适配器、不间断电源（UPS）及可再生能源发电设备中的整流与防逆流电路，有助于降低系统热损耗并提升功率密度。

1+
￥9.652 ￥10.16
10+
￥9.4335 ￥9.93
30+
￥9.291 ￥9.78
100+
￥9.1485 ￥9.63

有货

立即购买

型号：FFSM0865B-HXY 编号：C51896356

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），适用于中等功率电压等级的电路设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提高能效表现。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温稳定性和快速开关能力，反向恢复特性理想，适用于高频开关电源、通信电源模块、光伏逆变系统及高密度直流变换装置等应用场景，能够满足对效率、尺寸和热性能有较高要求的电力电子系统设计需求。

1+
￥9.652 ￥10.16
10+
￥9.4335 ￥9.93
30+
￥9.291 ￥9.78
100+
￥9.1485 ￥9.63

有货

立即购买

型号：STPSC8H065DLF-HXY 编号：C51896351

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降为1.42V，在高频工作条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关速度与热导性能，反向恢复电荷极小，有助于减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效开关电源、直流-直流变换模块、功率因数校正电路及高密度电源适配器，适合对能效、功率密度和热管理有较高要求的电子系统设计。

1+
￥9.652 ￥10.16
10+
￥9.4335 ￥9.93
30+
￥9.291 ￥9.78
100+
￥9.1485 ￥9.63

有货

立即购买

型号：FFSM0865A-HXY 编号：C51896355

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定平均正向整流电流为8A，反向重复峰值电压达650V，可承受较高的电压应力。其正向导通压降为1.42V，在同类器件中表现优异，有助于减少功率损耗。采用碳化硅材料，具备出色的反向恢复特性与高温稳定性，适用于高频率、高效率的电力转换电路，如开关模式电源、不间断电源系统、光伏逆变装置及高功率密度适配器等，能够提升系统整体能效并优化热设计。

1+
￥9.652 ￥10.16
10+
￥9.4335 ￥9.93
30+
￥9.291 ￥9.78
100+
￥9.1485 ￥9.63

有货

立即购买

型号：STPSC10H065DLF-HXY 编号：C51896386

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）为650V，适用于中高电压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，可有效减少开关损耗。适用于高频率开关电源、高效直流变换器、储能系统功率模块及可再生能源逆变装置等应用，特别适合对热管理、能效和空间布局有较高要求的电路设计。

1+
￥10.8585 ￥11.43
10+
￥10.6115 ￥11.17
30+
￥10.45 ￥11
100+
￥10.2885 ￥10.83

有货

立即购买

型号：STPSC10065DLF-HXY 编号：C51896369

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的优良特性，具有较快的开关速度和较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电源转换场合。该产品适合应用于需要紧凑设计与高热稳定性的电力电子设备中，满足对功率密度和长期可靠性要求较高的场景。

1+
￥10.8585 ￥11.43
10+
￥10.6115 ￥11.17
30+
￥10.45 ￥11
100+
￥10.2885 ￥10.83

有货

立即购买

型号：C6D10065Q-TR-HXY 编号：C51896354

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和高频开关特性，反向恢复时间极短，漏电流小。该器件适用于高密度电源系统，如高效能电源适配器、服务器电源模块及可再生能源逆变装置，能够在高温与高频环境下保持稳定运行，有效降低系统能量损耗，提升转换效率，同时有助于减小外围无源元件的体积与整体散热需求。

1+
￥10.8585 ￥11.43
10+
￥10.6115 ￥11.17
30+
￥10.45 ￥11
100+
￥10.2885 ￥10.83

有货

立即购买

型号：WNSC10650T6J-HXY 编号：C51896306

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具备出色的开关速度与高温工作稳定性，适用于需要快速恢复和高可靠性的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流配电系统，可满足对散热性能和空间布局有严苛要求的设计需求。

1+
￥11.9605 ￥12.59
10+
￥11.685 ￥12.3
30+
￥11.5045 ￥12.11
100+
￥11.324 ￥11.92

有货

立即购买

型号：C6D08065Q-TR-HXY 编号：C51896342

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在额定工况下正向压降（VF）仅为1.3V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具有极低的反向恢复电荷和出色的高温稳定性，支持高频开关操作。其低导通损耗与快速恢复特性使其适用于高效能电源转换系统，如服务器电源、通信设备供电单元、可再生能源逆变装置及高功率密度适配器等，有助于提升系统能效、减少热耗散并简化散热设计，满足对可靠性和功率密度有较高要求的电力电子应用。

1+
￥11.9605 ￥12.59
10+
￥11.685 ￥12.3
30+
￥11.5045 ￥12.11
100+
￥11.324 ￥11.92

有货

立即购买

型号：NRVB30H100MFST1G 编号：C900221

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低功率损耗/高效率。新封装提供板载安装后检查和探测能力。保护环用于应力保护。低正向压降。 175℃工作结温。可选择可焊侧翼。应用：紧凑型便携式消费应用中的输出整流。与感性负载一起使用的续流二极管

数据手册

1+
￥12.59
10+
￥12.32
30+
￥12.13

有货

立即购买

型号：SIC1060PL8-HXY 编号：C51896326

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具有10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该二极管具备快速开关响应和优良的热导性能，可支持高频工作模式。广泛应用于高效率电源转换装置、不间断电源系统、可再生能源发电设备以及高密度开关电源模块，满足对小型化、高效化电路设计的需求。

1+
￥13.1575 ￥13.85
10+
￥12.8535 ￥13.53
30+
￥12.654 ￥13.32
100+
￥12.4545 ￥13.11

有货

立即购买

型号：FFSM1065A-HXY 编号：C51896376

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的最高反向重复峰值电压（VR），在额定工作条件下正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具备优异的热稳定性和高电场强度特性，显著减少反向恢复电荷与开关损耗。适用于高效率电源系统，如高功率密度AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、储能系统及高性能服务器电源模块，有助于提升系统能效、缩小被动元件体积，并增强高频工作下的可靠性。

1+
￥14.3545 ￥15.11
10+
￥14.022 ￥14.76
30+
￥13.8035 ￥14.53
100+
￥13.585 ￥14.3

有货

立即购买

型号：LT3491EDC#TRMPBF 编号：C670726

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款固定频率升压型 DC/DC 转换器，专门设计用于从锂离子电池驱动多达六个串联的白光 LED。LED 串联可提供相同的 LED 电流，实现均匀亮度，无需镇流电阻。该器件具有独特的高端 LED 电流检测功能，使其能够作为“单线电流源”工作；LED 串的一侧可以在任何位置接地，从而实现更简单的单线 LED 连接。传统的 LED 驱动器使用接地电阻来检测 LED 电流，需要与 LED 串进行双线连接

数据手册

1+
￥22.46
10+
￥19.12
30+
￥17.14

有货

立即购买

型号：LT3491ESC8#TRMPBF 编号：C670728

封装：SC-70-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款固定频率升压型 DC/DC 转换器，专门设计用于从锂离子电池驱动多达六个串联的白光 LED。LED 串联可提供相同的 LED 电流，实现均匀亮度，无需镇流电阻。该器件具有独特的高端 LED 电流检测功能，使其能够作为“单线电流源”工作；LED 串的一侧可以在任何位置接地，从而实现更简单的单线 LED 连接。传统的 LED 驱动器使用接地电阻来检测 LED 电流，需要与 LED 串进行双线连接

数据手册

1+
￥22.47
10+
￥21.95
30+
￥21.6
100+
￥19.7718 ￥21.26

有货

立即购买

型号：PTVS2-029C-H 编号：C5710944

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

设计用于高功率直流母线钳位应用，提供双向端口保护，耐受电压额定值为 22 至 86 V，符合 RoHS 标准且无卤，满足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 电流浪涌要求。

1+
￥30.65
10+
￥30.05
30+
￥29.65

有货

立即购买

型号：LT3497EDDB#TRMPBF 编号：C670762

封装：DFN-10-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款双功能升压 DC/DC 转换器，专为从锂离子电池驱动多达 12 个白光 LED（每个转换器串联 6 个白光 LED）而设计。LED 串联可提供相同的 LED 电流，实现均匀亮度，无需镇流电阻和昂贵的工厂校准。两个独立的转换器能够驱动不对称的 LED 串，还可以独立控制两个 LED 串的精确调光和关断。具有独特的高端 LED 电流检测功能，使该器件能够作为“单线电流源”工作，LED 串的一侧可以在任何位置接地，实现更简单的单线 LED 连接

数据手册

1+
￥32.82
10+
￥32.06
30+
￥31.56
100+
￥28.566 ￥31.05

有货

立即购买

型号：LTC4357CDCB#TRPBF 编号：C688217

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

数据手册

1+
￥34.911 ￥38.79
10+
￥30.213 ￥33.57
30+
￥25.965 ￥28.85
100+
￥23.562 ￥26.18

有货

立即购买

型号：LTC4359IDCB#TRMPBF 编号：C580869

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

数据手册

1+
￥35.01
10+
￥29.99
30+
￥27.01

有货

立即购买

型号：LTC4415EDHC#PBF 编号：C580901

封装：DFN-16(3x5)

品牌：ADI(亚德诺)

包含两个单片 PowerPath 理想二极管，每个能够提供高达 4A 的电流，典型正向导通电阻为 50mΩ。二极管电压降在低电流正向导通期间被调节到 15mV，扩展了电源工作范围，并确保在电源切换期间无振荡。从 OUT 到 IN 的反向电流小于 1A，适用于电源 ORing 应用。两个理想二极管使用输入 EN1 和 EN2 独立启用和优先排序

1+
￥39.2784 ￥40.08
10+
￥37.3674 ￥38.13
30+
￥36.2012 ￥36.94
73+
￥35.2212 ￥35.94

有货

立即购买

型号：LTC4364HDE-1#TRPBF 编号：C688294

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4364浪涌抑制器与理想二极管控制器可保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件（如汽车负载突降）期间，它通过控制外部N沟道MOSFET传输器件两端的压降来限制和调节输出。LTC4364还包含一个定时、限流断路器

数据手册

1+
￥54.56
10+
￥46.73
30+
￥41.97

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示