DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：低漏电流。专利超级势垒整流器技术（SBR）。优异的高温稳定性。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具备高可靠性

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1+
￥2.523 ￥4.35
10+
￥1.6992 ￥3.54
30+
￥1.1932 ￥3.14
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￥1.0412 ￥2.74
500+
￥0.95 ￥2.5
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￥0.9044 ￥2.38

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型号：BAS16QAZ 编号：C549199

封装：DFN1010-3

品牌：Nexperia(安世)

单只高速开关二极管，采用无铅超小型DFN1010D-3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面焊盘可见且可焊接。

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￥2.9561
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￥2.5378
150+
￥2.3585
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￥2.1348
2500+
￥1.9854
5000+
￥1.9256

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型号：AOZ8131DI-05L 编号：C1973792

封装：DFN1006-2

品牌：AOS

AOZ8131是一款超低电容的单线路双向瞬态电压抑制二极管，旨在保护高速数据线和电压敏感型电子设备免受高瞬态状况和静电放电（ESD）的影响。该器件在超小型DFN 1006封装中集成了一个TVS二极管。它可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级（±15KV空气放电、±8KV接触放电）的ESD抗扰度要求。AOZ8131采用符合RoHS标准的DFN 1006封装，额定环境温度范围为 - 40℃至 + 85℃。1.0×0.6×0.5mm的超小型DFN封装使其非常适合印刷电路板（PCB）空间有限的应用。其小巧的尺寸和高ESD保护能力使其成为保护电压敏感型电子设备免受高瞬态状况和ESD影响的理想选择。

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1+
￥4.48
10+
￥4.38
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￥4.31

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型号：MADL-011008-14120T 编号：C4468299

封装：DFN-6(1.2x1.6)

品牌：MACOM

1+
￥15.67
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￥15.31
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￥15.07

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型号：TPS61166DSKT 编号：C2678758

封装：DFN-10-EP(2.5x2.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS61166 具有集成功率二极管和快速突发调光模式的白光 LED 驱动器

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1+
￥17.56
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￥17.12
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￥16.82

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型号：LTC4085EDE-4#PBF 编号：C687285

封装：DFN-14-EP(3x4)

是一款用于便携式电池供电应用的 USB 电源管理器和锂离子/聚合物电池充电器。该器件控制 USB 外设用于操作和电池充电的总电流。总输入电流可限制为编程值的 20% 或 100%，最高可达 1.5A（通常为 100mA 或 500mA）。电池充电电流会自动降低，以使负载电流和充电电流之和不超过编程的输入电流限制

1+
￥24.71
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￥24.14
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￥23.75
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￥21.033 ￥23.37

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型号：LTC4357IDCB#TRPBF 编号：C688222

封装：DFN-6-EP(2x3)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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1+
￥41.526 ￥46.14
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￥35.712 ￥39.68
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￥32.166 ￥35.74
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￥29.196 ￥32.44

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型号：LTC4364IDE-2#TRPBF 编号：C688304

封装：DFN-14-EP(3x4)

具理想二极管的浪涌抑制器

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1+
￥52.3061 ￥67.93
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￥39.396 ￥58.8
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￥30.3468 ￥53.24
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￥27.6906 ￥48.58

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型号：LTC4364IDE-2#PBF 编号：C107964

封装：DFN-14-EP(3x4)

LTC4364浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程（例如：汽车中的负载突降）中限制和调节输出。另外，LTC4364还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1将锁断传输器件，而LTC4364-2则在一个延迟之后自动重新起动。LTC4364可精确地监视输入电源的过压（OV）和欠压（UV）情况。外部MOSFET在欠压状况下保持关断，自动重试在过压状态下停用。一个集成型理想二极管控制器负责驱动第二个MOSFET，以替代一个用于实现反向输出保护和输出电压保持的肖特基二极管。LTC4364控制MOSFET两端的正向电压降，并最大限度地抑制电源故障、掉电或输入短路时的反向电流瞬变。

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1+
￥54.56
10+
￥46.73
30+
￥41.97

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型号：PB4010M5 编号：C46821611

封装：DFN1006-2

品牌：POPPULA(宝浦莱)

低电流整流 | 低正向压降 | 符合ROHS标准 | UL-94 V-0阻燃等级/绿色电磁兼容 | 雾锡引脚涂层（无铅）

50+
￥0.0964
500+
￥0.0756
1500+
￥0.0641
8000+
￥0.0571

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型号：MSESD5451X 编号：C2836382

封装：DFN1006-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

C

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20+
￥0.125
200+
￥0.0979
600+
￥0.0828
2000+
￥0.0738
10000+
￥0.0584
20000+
￥0.0542

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型号：BAS116L2B-TP 编号：C712277

封装：DFN1006-2L

品牌：MCC(美微科)

特性：低泄漏电流。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）

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20+
￥0.1405
200+
￥0.1376
600+
￥0.1357
2000+
￥0.1337

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型号：BAS16LP-7B 编号：C519025

封装：X1-DFN1006-2

特性：快速开关速度。超小型无铅表面贴装封装。用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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50000+
￥0.14088
100000+
￥0.138532
200000+
￥0.13501
400000+
￥0.12914

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型号：GDZ15LP3-7 编号：C5244918

封装：X3-DFN0603-2

特性：超小型无铅表面贴装封装 (0.6×0.3mm)。超薄封装 (0.3mm)。非常适合自动化组装工艺。低泄漏电流，适用于电池供电应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.1851
100+
￥0.1807
300+
￥0.1778

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型号：BAS21-QR 编号：C7507524

封装：DFN1006BD-2

品牌：Nexperia(安世)

高压开关二极管采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装。

100+
￥0.42714
1000+
￥0.41132
3000+
￥0.3955
6000+
￥0.36386
10000+
￥0.354368

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型号：B1040A2 编号：C5295410

封装：DFN1006-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低正向电压降。超小贴片封装。应用：低电压整流。高效DC/DC转换

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20+
￥0.217
200+
￥0.1738
600+
￥0.1497
2000+
￥0.1353
10000+
￥0.1228
20000+
￥0.1161

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型号：BZT52C6V8LP-7 编号：C460796

封装：X1-DFN1006-2

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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10+
￥0.4252
100+
￥0.3476
300+
￥0.3088

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型号：PESD18VF1BBL-QYL 编号：C22421838

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用DFN1006 2（SOD882）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

5+
￥0.7917
50+
￥0.6795
150+
￥0.6234
500+
￥0.5813
2500+
￥0.5476
5000+
￥0.5308

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型号：D5V0L1B2LP3-7 编号：C282418

封装：X3-DFN0603-2

特性：超小、薄型无铅表面贴装封装（0.6mm x 0.3mm x 0.3mm）。符合IEC 61000-4-2标准提供ESD保护：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。单通道ESD保护。低通道输入电容。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。便携式电子产品

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5+
￥0.8488
50+
￥0.8329
150+
￥0.8223

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型号：NZD2V2MUT5G 编号：C3764741

封装：X3DFN2(0.3x0.6)

该齐纳二极管旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。由于其尺寸小，适合用于移动应用。

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5+
￥0.8925
50+
￥0.8726
150+
￥0.8594

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型号：SZESD7462MXWT5G 编号：C896559

封装：X-DFN-2

旨在保护需要超低电容的电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。它在电压范围内具有行业领先的电容线性度，非常适合RF应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

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1+
￥1.95
10+
￥1.91
30+
￥1.88

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型号：NRVB8H100MFSWFT1G 编号：C900225

封装：DFN-5(5x6)

特性：低功耗/高效率。新封装可在电路板安装后进行检查和探测。保护环用于应力保护。低正向压降。 175°C工作结温。 WF后缀产品具有可焊侧翼。 NRVB前缀适用于汽车和其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些是无铅器件

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1+
￥4.63
10+
￥3.71
30+
￥3.24

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型号：NSVR201MXT5G 编号：C604384

封装：DFN1006-2L

NSVR201MX 是一款 RF 肖特基势垒二极管，采用 X2DFN2 封装。该器件适用于高频率混音器应用。低正向电压和低电容可在亚毫米级波形等高频率下运行。目标应用为碰撞检测雷达和多普勒雷达。X2DFN2 封装尺寸为 1.0x0.6x0.4mm。这是市场上的最小尺寸。它有利于降低 PCB 板尺寸。AEC-Q101 认证且具备 PPAP 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥5.04
10+
￥4.03
30+
￥3.53
100+
￥3.03

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型号：NRVB10100MFST1G 编号：C900218

封装：DFN-5(5x6)

特性：低功率损耗/高效率。新封装提供板载安装后检查和探测能力。保护环用于应力保护。低正向压降。 175℃工作结温。可选择可焊侧翼。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些是无铅器件

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1+
￥10.55
10+
￥8.97
30+
￥7.98

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型号：LTC4359CDCB#TRPBF 编号：C688233

封装：DFN-6-EP(2x3)

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，确保即使在轻负载下也能平稳输送电流而无振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还能轻松在具有冗余电源的系统中实现电源并联。

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1+
￥18.6822 ￥19.26
10+
￥18.2069 ￥18.77
30+
￥17.8965 ￥18.45
100+
￥17.5764 ￥18.12

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型号：LTC4359HDCB#TRMPBF 编号：C580867

封装：DFN-6-EP(2x3)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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1+
￥20.85
10+
￥20.37
30+
￥20.04

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型号：LTC4355IDE#TRPBF 编号：C688211

封装：DFN-14-EP(3x4)

一种正电压理想二极管或控制器，驱动两个外部 N 沟道 MOSFET。用 N 沟道 MOSFET 代替肖特基二极管形成二极管或，可降低功耗、散热和 PCB 面积。电源可轻松并联，提高系统可靠性。可对两个正电源或两个负电源的返回路径进行二极管或操作，如在 -48V 系统中。正向时，控制 MOSFET 两端的电压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径，无振荡。若电源故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。电源故障检测可指示输入电源是否失调、串联保险丝是否熔断，或 MOSFET 两端的电压是否超过故障阈值。

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1+
￥46.0071 ￥47.43
10+
￥44.8528 ￥46.24
30+
￥44.0768 ￥45.44
100+
￥43.3008 ￥44.64

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型号：LTC4357HDCB#TRMPBF 编号：C580862

封装：DFN-6-EP(2x3)