DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：超低正向压降。卓越的反向雪崩能力。专利超势垒整流器技术（SBR）。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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￥0.5978
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型号：NZD5V1MUT5G 编号：C5206682

封装：X3-DFN-2

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型号：RB161SS-20T2R 编号：C2766158

封装：DFN1608-2

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小封装类型。超低正向电压 (VF)。应用：一般整流

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型号：NSR01L30MXT5G 编号：C604336

封装：X3DFN

此肖特基势垒二极管适用于低漏电流应用。它采用 x3DFN2 超小型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。

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￥1.2671
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型号：BCS65S04D3 编号：C46472726

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,4A

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￥1.7602
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￥1.3915
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型号：PMEG2010EPK,315 编号：C552829

封装：DFN1608-2

品牌：Nexperia(安世)

平面肖特基势垒整流器，集成保护环以提供应力保护，采用无引脚超小型 SOD1608（DFN1608D 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面焊盘可见且可焊接。

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￥1.5255
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型号：PMEG3020EPA,115 编号：C552877

封装：DFN2020-3

品牌：Nexperia(安世)

平面型最大效率通用（MEGA）肖特基势垒整流器，集成保护环用于应力保护。PMEG3020EPA采用超薄SOT1061无引脚小尺寸表面贴装器件（SMD）塑料封装，具备中等功率能力。

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￥2.7621
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型号：BCS65S06D3 编号：C46472729

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,,6A

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￥2.91
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￥2.04
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型号：BAS16QAZ 编号：C549199

封装：DFN1010-3

品牌：Nexperia(安世)

单只高速开关二极管，采用无铅超小型DFN1010D-3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面焊盘可见且可焊接。

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型号：SZESD7462MXWT5G 编号：C896559

封装：X-DFN-2

旨在保护需要超低电容的电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。它在电压范围内具有行业领先的电容线性度，非常适合RF应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

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型号：ZXTNS618MCTA 编号：C445510

封装：DFN-8-EP(2x3)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 20V。连续集电极电流IC = 4.5A。低饱和电压：最大150mV（@1A）。应用：DC-DC转换器

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￥3.285 ￥10.95
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￥2.142 ￥10.71
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￥1.039 ￥10.39

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型号：NSVR201MXT5G 编号：C604384

封装：DFN1006-2L

NSVR201MX 是一款 RF 肖特基势垒二极管，采用 X2DFN2 封装。该器件适用于高频率混音器应用。低正向电压和低电容可在亚毫米级波形等高频率下运行。目标应用为碰撞检测雷达和多普勒雷达。X2DFN2 封装尺寸为 1.0x0.6x0.4mm。这是市场上的最小尺寸。它有利于降低 PCB 板尺寸。AEC-Q101 认证且具备 PPAP 功能，适用于汽车应用。

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型号：NRVB30H100MFST1G 编号：C900221

封装：DFN-5(5x6)

特性：低功率损耗/高效率。新封装提供板载安装后检查和探测能力。保护环用于应力保护。低正向压降。 175℃工作结温。可选择可焊侧翼。应用：紧凑型便携式消费应用中的输出整流。与感性负载一起使用的续流二极管

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型号：LTC4359CDCB#TRPBF 编号：C688233

封装：DFN-6-EP(2x3)

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，确保即使在轻负载下也能平稳输送电流而无振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还能轻松在具有冗余电源的系统中实现电源并联。

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￥19.1045 ￥20.11
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￥18.639 ￥19.62
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￥18.0215 ￥18.97

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型号：LTC4413EDD-1#TRPBF 编号：C688485

封装：DFN-10-EP(3x3)

采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 快速理想二极管

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￥30.9858 ￥36.03
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￥26.7804 ￥31.14
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￥22.059 ￥25.65

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型号：NRVTS1545EMFST1G 编号：C900235

封装：DFN-5(5x6)

NTS1545EMFS 和 NRVTS1545EMFS 是极低漏沟槽型肖特基整流器。此项新技术可实现低正向电压降，而且不会发生平面肖特基整流器出现的高逆向泄漏。此平台还基于宽温度范围提供非常稳定的开关特性，是用于开关电源的理想输出整流器。

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￥37.55
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￥36.66
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￥36.07
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型号：LTC4357IDCB#TRPBF 编号：C688222

封装：DFN-6-EP(2x3)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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￥40.8844 ￥47.54
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￥35.3288 ￥41.08
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￥31.9404 ￥37.14
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￥29.1024 ￥33.84

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型号：LTC4364IDE-2#TRPBF 编号：C688304

封装：DFN-14-EP(3x4)

具理想二极管的浪涌抑制器

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￥42.7959 ￥67.93
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￥31.164 ￥58.8
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￥22.8932 ￥53.24
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￥20.8894 ￥48.58

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型号：LTC4371IDD#PBF 编号：C688415

封装：DFN-10-EP(3x3)

双负电压理想二极管“或”控制器和监视器

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￥56.11
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￥50.871 ￥54.7
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￥44.6208 ￥53.76
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￥43.8406 ￥52.82

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型号：LTC4364IDE-1#TRPBF 编号：C688302

封装：DFN-14-EP(3x4)

LTC4364浪涌抑制器与理想二极管控制器可保护负载免受高压瞬变影响。在过压事件（如汽车负载突降）期间，它通过控制外部N沟道MOSFET传输器件两端的压降来限制和调节输出。LTC4364还包含一个定时、限流断路器

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￥61.08
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￥52.69
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￥41.568 ￥43.3

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型号：LTC4364IDE-2#PBF 编号：C107964

封装：DFN-14-EP(3x4)

LTC4364浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程（例如：汽车中的负载突降）中限制和调节输出。另外，LTC4364还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1将锁断传输器件，而LTC4364-2则在一个延迟之后自动重新起动。LTC4364可精确地监视输入电源的过压（OV）和欠压（UV）情况。外部MOSFET在欠压状况下保持关断，自动重试在过压状态下停用。一个集成型理想二极管控制器负责驱动第二个MOSFET，以替代一个用于实现反向输出保护和输出电压保持的肖特基二极管。LTC4364控制MOSFET两端的正向电压降，并最大限度地抑制电源故障、掉电或输入短路时的反向电流瞬变。

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1+
￥68
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￥58.87
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￥53.31

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型号：LTC4376IDHD#PBF 编号：C580893

封装：DFN-16-EP(4x5)

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1+
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￥84.14
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型号：LTC4376HDHD#PBF 编号：C688421

封装：DFN-16-EP(4x5)

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￥98.02
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￥93.54
30+
￥85.77

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型号：BZX884C3V3 编号：C7529009

封装：DFN1006-2L

品牌：AM(安美)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：3.3V 稳压值(范围)：3.14V~3.47V 精度：±5% 功率：250mW

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￥0.1045
500+
￥0.0802
1500+
￥0.0667
10000+
￥0.0586
20000+
￥0.0515
50000+
￥0.0477

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型号：GDZ11LP3-7 编号：C5244916

封装：X3-DFN0603-2

特性：超小型无铅表面贴装封装 (0.6×0.3mm)。超薄封装 (0.3mm)。非常适合自动化组装工艺。低泄漏电流，适用于电池供电应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.1913
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￥0.1867
300+
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型号：GDZ13LP3-7 编号：C5244917

封装：X3-DFN0603-2

特性：超小型无铅表面贴装封装 (0.6×0.3mm)。超薄封装 (0.3mm)。非常适合自动化组装工艺。低泄漏电流，适用于电池供电应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.1923
100+
￥0.1878
300+
￥0.1847

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型号：GDZ10LP3-7 编号：C5244914

封装：X3-DFN0603-2

特性：超小型无铅表面贴装封装 (0.6×0.3mm)。超薄封装 (0.3mm)。非常适合自动化组装工艺。低泄漏电流，适用于电池供电应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.2229
100+
￥0.2181
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￥0.2149

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型号：AOZ8231ADI-12 编号：C1980564

封装：DFN1006-2

品牌：AOS

AOZ8231A是一款单线路双向瞬态电压抑制二极管，旨在保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和静电放电（ESD）的影响。该器件在超小型DFN 1006封装中集成了一个瞬态电压抑制（TVS）二极管。它可用于满足EC 61000 - 4 - 2标准4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）的静电放电抗扰度要求

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10+
￥0.253
100+
￥0.2475
300+
￥0.2439

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型号：BZT52C13LP-7B 编号：C5381665

封装：X1-DFN1006-2