DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）为650V，适用于中高电压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，可有效减少开关损耗。适用于高频率开关电源、高效直流变换器、储能系统功率模块及可再生能源逆变装置等应用，特别适合对热管理、能效和空间布局有较高要求的电路设计。

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型号：STPSC10065DLF-HXY 编号：C51896369

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的优良特性，具有较快的开关速度和较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电源转换场合。该产品适合应用于需要紧凑设计与高热稳定性的电力电子设备中，满足对功率密度和长期可靠性要求较高的场景。

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型号：C6D10065Q-TR-HXY 编号：C51896354

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和高频开关特性，反向恢复时间极短，漏电流小。该器件适用于高密度电源系统，如高效能电源适配器、服务器电源模块及可再生能源逆变装置，能够在高温与高频环境下保持稳定运行，有效降低系统能量损耗，提升转换效率，同时有助于减小外围无源元件的体积与整体散热需求。

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型号：WNSC10650T6J-HXY 编号：C51896306

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向压降（VF）低至1.37V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具备出色的开关速度与高温工作稳定性，适用于需要快速恢复和高可靠性的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流配电系统，可满足对散热性能和空间布局有严苛要求的设计需求。

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型号：C6D08065Q-TR-HXY 编号：C51896342

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在额定工况下正向压降（VF）仅为1.3V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具有极低的反向恢复电荷和出色的高温稳定性，支持高频开关操作。其低导通损耗与快速恢复特性使其适用于高效能电源转换系统，如服务器电源、通信设备供电单元、可再生能源逆变装置及高功率密度适配器等，有助于提升系统能效、减少热耗散并简化散热设计，满足对可靠性和功率密度有较高要求的电力电子应用。

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型号：SIC1060PL8-HXY 编号：C51896326

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管为独立式器件，具有10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该二极管具备快速开关响应和优良的热导性能，可支持高频工作模式。广泛应用于高效率电源转换装置、不间断电源系统、可再生能源发电设备以及高密度开关电源模块，满足对小型化、高效化电路设计的需求。

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型号：LT3491EDC#TRMPBF 编号：C670726

封装：DFN-6-EP(2x2)

是一款固定频率升压型 DC/DC 转换器，专门设计用于从锂离子电池驱动多达六个串联的白光 LED。LED 串联可提供相同的 LED 电流，实现均匀亮度，无需镇流电阻。该器件具有独特的高端 LED 电流检测功能，使其能够作为“单线电流源”工作；LED 串的一侧可以在任何位置接地，从而实现更简单的单线 LED 连接。传统的 LED 驱动器使用接地电阻来检测 LED 电流，需要与 LED 串进行双线连接

数据手册

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￥23.08
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￥19.75
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型号：LTC4359IDCB#TRPBF 编号：C688241

封装：DFN-6-EP(2x3)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

数据手册

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￥35.21
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￥26.6892 ￥29.01

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型号：LT4320IDD#PBF 编号：C672461

封装：DFN-8-EP(3x3)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

数据手册

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￥77.32
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￥66.57
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￥52.8941 ￥54.53

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型号：PSBD2XD40V01 编号：C2875813

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

特性：正向电流：100mA。反向电压：40V。低正向电压。低泄漏电流。沟槽MOS势垒肖特基技术。超小型模具类型（DFN0603-2L）。应用：低电流整流。电压钳位

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￥0.05634 ￥0.1878
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型号：PSBD2FD40V01 编号：C496546

封装：DFN1006-2L

品牌：Prisemi(芯导)

特性：超小型模具类型。 DFN1006-2L。低IR。高可靠性。应用：低电流整流

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￥0.1181
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￥0.0761

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型号：WSR4010BF 编号：C3039428

封装：DFN1006-2L

品牌：Wayon(上海维安)

特性：低正向电压。低电流泄漏。小外形表面贴装封装。符合RoHS标准/环保EMC。应用：低电流整流。开关模式电源

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￥0.2814
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￥0.170715 ￥0.1797
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￥0.14611 ￥0.1538
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￥0.13832 ￥0.1456

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型号：PESD15VL2BT-QR 编号：C7508740

封装：DFN1412D-3

低电容双双向静电放电（ESD）保护二极管，采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬变造成的损坏。

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￥1.7628
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￥1.6272
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型号：BZX884B12L-G3-08 编号：C3728319

封装：DFN1006-2A

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面稳压二极管。低漏电流，低噪声。出色的稳定性。浪涌额定。稳压电压容差 ±2%。无铅超小型 DFN1006-2A 封装（1mm×0.6mm×0.45mm）。功耗优于 SOT-23。表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面有可见且镀锡/可焊侧翼。可通过标准目视检查焊接情况，无需 X 射线检查即可满足汽车自动光学检测（AOI）要求。符合 AEC-Q101 标准。材料分类：有关合规性定义请参考相关文档

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￥0.4988
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￥0.4729

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型号：PMEG3005EL-QYL 编号：C42188525

封装：DFN1006-2

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￥0.6048
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￥0.5937
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￥0.5863

有货

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型号：PMEG3002EEFZ 编号：C552846

封装：DFN0603-2

数据手册

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￥0.9481
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￥0.9129

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型号：BZX884-C56,315 编号：C551243

封装：SOD-882(DFN1006-2)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

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￥1.0677
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￥1.0159
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￥0.9848

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型号：NSDP301MX2WT5G 编号：C4468231

封装：DFN-2(0.6x1)

品牌：onsemi(安森美)

低串联电阻特性使其能够用于高频应用。该PIN二极管旨在实现紧凑高效的设计。采用X2DFNW2微型封装，使设计人员能够应对提高效率和满足减小空间要求的挑战。此外，可焊侧翼封装提高了安装到PCB上的质量。

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￥2.88
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￥2.28
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￥2.02
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￥1.7

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型号：HC1D06065L 编号：C41428797

封装：DFN-4(8x8)

这款碳化硅二极管拥有6A的额定电流（IF），能够承受高达650V的反向电压（VR），且其正向电压（VF）仅为1.3V，表现出优异的导电性能和低能耗特点。适用于高频开关电源设计，能够在减少能量损失的同时，提供高效的能量转换。此外，它也是构建高性能电子设备的理想选择，特别是在需要可靠快速开关特性的场合下，能有效增强电路的稳定性和响应速度。

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￥7.8492 ￥8.44
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￥7.6167 ￥8.19

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型号：PTVS2-029C-H 编号：C5710944

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

设计用于高功率直流母线钳位应用，提供双向端口保护，耐受电压额定值为 22 至 86 V，符合 RoHS 标准且无卤，满足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 电流浪涌要求。

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￥29.96
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￥29.36
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￥28.95

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型号：LTC4357CDCB#TRPBF 编号：C688217

封装：DFN-6-EP(2x3)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

数据手册

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￥35.1296 ￥39.92
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￥30.536 ￥34.7
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￥26.3824 ￥29.98
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￥24.0328 ￥27.31

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型号：LTC4415EDHC#PBF 编号：C580901

封装：DFN-16(3x5)

包含两个单片 PowerPath 理想二极管，每个能够提供高达 4A 的电流，典型正向导通电阻为 50mΩ。二极管电压降在低电流正向导通期间被调节到 15mV，扩展了电源工作范围，并确保在电源切换期间无振荡。从 OUT 到 IN 的反向电流小于 1A，适用于电源 ORing 应用。两个理想二极管使用输入 EN1 和 EN2 独立启用和优先排序

1+
￥39.2732 ￥41.78
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￥37.4308 ￥39.82
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￥36.3122 ￥38.63
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￥35.3722 ￥37.63

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型号：LTC4352CDD#TRPBF 编号：C688175

封装：DFN-12(3x3)

创建接近理想的二极管，使用外部 N 沟道 MOSFET。取代高功率肖特基二极管和相关散热器，节省功率和电路板面积。理想二极管功能允许低损耗功率 OR 操作和电源保持应用。调节 MOSFET 两端的正向压降，确保在二极管 OR 应用中实现平滑的电流转移

数据手册

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￥44.0544 ￥45.89
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￥42.9504 ￥44.74
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￥42.2112 ￥43.97
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￥41.472 ￥43.2

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型号：LTC4425EDD#PBF 编号：C688533

封装：DFN-12-EP(3x3)