DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：LTC4370CDE#PBF 编号：C688404

封装：DFN-16-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

该产品是一个双电源电流共享控制器，集成了MOSFET理想二极管。在启动和故障条件下，二极管可阻止反向和直通电流。通过调整其正向电压，可在电源之间共享负载电流。与其他共享方法不同，既不需要共享总线，也不需要电源上的微调引脚

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1+
￥97
10+
￥92.29
30+
￥84.12
100+
￥76.2201 ￥76.99

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型号：BZX884B12 编号：C22470307

封装：DFN-2L(1x0.6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：总功耗：最大 250mW。无引脚超小型塑料封装，适用于表面贴装设计。小封装尺寸，适用于高密度应用。齐纳反向电压范围 2.4V 至 75V

20+
￥0.0876
200+
￥0.0855
600+
￥0.0842

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型号：1N4148WL2 编号：C52204446

封装：DFN1006-2L

品牌：GOODWORK(固得沃克)

该开关二极管适用于电源转换、信号切换及电路保护等电子设备

50+
￥0.0877
500+
￥0.0688
1500+
￥0.0583
10000+
￥0.052
20000+
￥0.0465
50000+
￥0.0436

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型号：MBR4010D1 编号：C46821609

封装：DFN1006-2

品牌：POPPULA(宝浦莱)

低电流整流 | 低正向压降 | 符合ROHS标准 | UL-94 V-0阻燃等级/绿色电磁兼容 | 雾锡引脚涂层（无铅）

50+
￥0.0977
500+
￥0.0766
1500+
￥0.0649

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型号：MS2A40LDF 编号：C7380000

封装：DFN1610-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

肖特基 LOW VF肖特基反向耐压(Vr)：40V 正向压降(Vf)：VF<0.37V IF=1A VF<0.5V IF=2A 超低压降

10+
￥0.3044
100+
￥0.242
300+
￥0.2108
3000+
￥0.1809
6000+
￥0.1622
9000+
￥0.1528

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型号：GDZ3V3LP3-7 编号：C5157733

封装：X3-DFN0603-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小型无铅表面贴装封装 (0.6×0.3mm)。超薄封装 (0.3mm)。非常适合自动化组装工艺。低泄漏电流，适用于电池供电应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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单价：
￥0.3865 / 个

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型号：NSR01L30MXT5G 编号：C604336

封装：X3DFN

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基势垒二极管适用于低漏电流应用。它采用 x3DFN2 超小型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。

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5+
￥0.4478
50+
￥0.4395
150+
￥0.4339

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型号：AOZ8231ADI-05 编号：C431199

封装：DFN1006-2

品牌：AOS

AOZ8231A是一款单线路双向瞬态电压抑制二极管，旨在保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和静电放电（ESD）的影响。该器件在超小型DFN 1006封装中集成了一个瞬态电压抑制（TVS）二极管。它可用于满足EC 61000 - 4 - 2标准4级（±15 kV空气放电、±8 kV接触放电）的ESD抗扰度要求。AOZ8231A采用符合RoHS标准、无卤的DFN 1.0 mm×0.6 mm封装，额定环境温度范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。超小型1.0 mm×0.6 mm×0.5 mm DFN封装使其非常适合印刷电路板（PCB）空间有限的应用。其尺寸小且具备高ESD防护能力，使其成为保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和ESD影响的理想选择。

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5+
￥0.4483
50+
￥0.4397
150+
￥0.4339

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型号：BZX884B15L-HG3-08 编号：C3736423

封装：DFN1006-2A

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面稳压二极管。低漏电流，低噪声。出色的稳定性。浪涌额定。稳压电压容差 ±2%。无铅超小型 DFN1006-2A 封装（1mm×0.6mm×0.45mm）。功耗优于 SOT-23。表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面有可见且镀锡/可焊侧翼。可通过标准目视检查焊接情况，无需 X 射线检查即可满足汽车自动光学检测（AOI）要求。符合 AEC-Q101 标准。材料分类：有关合规性定义请参考相关文档