DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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型号：BAS70L-QYL 编号：C5575839

封装：DFN1006-2

通用肖特基二极管，采用无铅超小SOD882 (DFN1006-2)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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型号：RB520CS30L,315 编号：C461213

封装：DFN1006-2

平面最大效率通用型（MEGA）肖特基势垒整流器，集成保护环用于应力保护，采用SOD882无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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型号：uClamp3331ZA 编号：C5187106

封装：DFN0603

特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。低电容。保护一条数据线或电源线。超低泄漏：nA级。工作电压：3.3V。低钳位电压。应用：手机及配件。个人数字助理

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￥0.46911 ￥0.4938
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型号：LM-AZ9313-01F 编号：C49330840

封装：DFN1610-2

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：4.5V。低钳位电压。 2引脚无铅封装。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。IEC61000-4-4（EFT）80A（5/50ns）。应用：手机及配件。电池保护

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￥0.488076 ￥0.5484
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型号：LM-AZ5413-01F 编号：C49330868

封装：DFN1006

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：3.3V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接触放电 ±20kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（Lightning）4A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视

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型号：BZX884-C10,315 编号：C551217

封装：SOD-882(DFN1006-2)

通用齐纳二极管，采用SOD882 (DFN1006-2)无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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型号：STD22A12L01 编号：C5123482

封装：DFN2020-3

ESD二极管 ESD二极管

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￥0.542625 ￥0.7235
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型号：JS12U1GD50-3 编号：C5123480

封装：DFN2020-3

ESD二极管 ESD二极管

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型号：LM-AZ4714-01F 编号：C49330856

封装：DFN2020-3

特性：5700W 峰值脉冲功率 (8/20μs)。低泄漏：nA 级别。工作电压：15V。超低钳位电压。单电源线保护。符合以下标准:IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。应用：手机及配件。个人数字助理 (PDA)

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￥0.735674 ￥0.8266
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￥0.581882 ￥0.6538
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￥0.504986 ￥0.5674
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￥0.447314 ￥0.5026
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型号：LM-AZ9724-01F 编号：C49332777

封装：DFN1610-2

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：24V。低钳位电压。 2引脚无铅封装。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试。 -空气放电：±30kV。应用：手机及配件。电池保护

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型号：SBRT05U20LPSQ-7B 编号：C5249210

封装：X2-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

封装在紧凑的X2-DFN1006-2中，提供超低正向压降（VF），在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。适用于整流、续流或极性保护。

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￥0.7507
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型号：WS12P4N3 编号：C5123483

封装：DFN2020-3

ESD二极管 ESD二极管

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￥0.51975
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￥0.5005
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￥0.48125
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型号：LM-AZ4715-01F 编号：C49330857

封装：DFN2020-3

特性：5700W 峰值脉冲功率 (8/20μs)。低泄漏：nA 级别。工作电压：15V。超低钳位电压。单电源线保护。符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。应用：手机及配件。个人数字助理 (PDA)

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￥0.945803 ￥1.0627
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￥0.743951 ￥0.8359
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￥0.657443 ￥0.7387
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￥0.549575 ￥0.6175
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￥0.501515 ￥0.5635
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型号：LM-AZ1013-04F 编号：C49330832

封装：DFN2510-10

特性：超低电容：典型值0.4pF（I/O到I/O）。超低泄漏：纳安级别。低工作电压：3.3V。应用：HDMI 1.3 & 1.4、USB 2.0 & 3.0和MDDI端口

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￥0.743951 ￥0.8359
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￥0.657443 ￥0.7387
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￥0.549575 ￥0.6175
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￥0.501515 ￥0.5635
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型号：UCQ06A05L05 编号：C5180014

封装：DFN1616-6

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试：空气放电±18kV，接触放电±15kV。IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。IEC61000-4-5 (Lightning) 5A (8/20ns)。应用：USB 2.0/3.1电源和数据线。机顶盒和数字电视

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1+
￥0.953025 ￥1.2707
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￥0.75345 ￥1.0046
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￥0.667875 ￥0.8905
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￥0.56115 ￥0.7482
500+
￥0.513675 ￥0.6849
1000+
￥0.4614 ￥0.6152

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型号：LM-AZ3105-01F 编号：C49330834

封装：DFN1610-2

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。 2引脚无铅封装。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试: -空气放电：±30kV。 -接触放电：±30kV。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

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￥0.99674 ￥1.0492
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￥0.78128 ￥0.8224
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￥0.68894 ￥0.7252
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￥0.5738 ￥0.604
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￥0.5225 ￥0.55
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￥0.491625 ￥0.5175

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型号：VBUS54CV 编号：C5180012

封装：DFN1616-6

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±18kV，接触放电 ±15kV。IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC 61000-4-5（雷电）5A（8/20ns）。应用：USB 2.0/3.1电源和数据线。机顶盒和数字电视

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1+
￥1.08817 ￥1.2802
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￥0.861985 ￥1.0141
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￥0.765 ￥0.9
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￥0.644045 ￥0.7577
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￥0.59024 ￥0.6944
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￥0.557855 ￥0.6563

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型号：TPD4E001DPKR 编号：C5180016

封装：DFN1616-6

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±18kV，接触放电±15kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（雷电）5A（8/20ns）。应用：USB 2.0/3.1电源和数据线。机顶盒和数字电视

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型号：PZU884LS-B3V9-QYL 编号：C32874507

封装：DFN1006BD-2

1+
￥1.74
10+
￥1.7
30+
￥1.68
100+
￥1.65

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型号：LM-AZ3133-04F 编号：C49330829

封装：DFN2626-10

特性：超低泄漏：nA级别。超低工作电压：3.3V。超低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试。空气放电：±25kV。接触放电：±15kV。应用：模拟视频。RJ-45连接器

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￥2.059727 ￥2.3143
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￥1.620156 ￥1.8204
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￥1.431743 ￥1.6087
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￥1.196694 ￥1.3446
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￥1.09203 ￥1.227
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￥1.029196 ￥1.1564

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型号：PMEG2010EPK-QYL 编号：C25767848

封装：DFN1608D-2

平面肖特基势垒整流器，带有用于应力保护的集成保护环，封装在无铅超小 SOD1608 (DFN1608D-2) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中，具有可见且可焊接的侧焊盘。

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￥4.29
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￥3.55
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￥3.24
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￥2.84
500+
￥2.67
1000+
￥2.56

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型号：MBR5H100MFST1G 编号：C152503

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低功耗/高效率。新封装，可在电路板安装后进行检查和探测。保护环，用于应力保护。低正向压降。工作结温175℃。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序能力。这些是无铅器件

数据手册

1+
￥6.22
10+
￥5.09
30+
￥4.47
100+
￥3.77
500+
￥3.46
1500+
￥3.32

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型号：WNSC2D06650TJ-HXY 编号：C53468015

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.32V，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达60A。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与低导通损耗特性，在高频开关条件下仍能维持稳定性能，适用于对效率、体积及热管理有严苛要求的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的整流与续流路径。

1+
￥6.32
10+
￥6.18
30+
￥6.08

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型号：WNSC2D08650TJ-HXY 编号：C53468100

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.42V，具备较低的导通损耗。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达60A，适用于高频、高效率要求的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备，在提升系统效率与功率密度方面具有显著优势。

1+
￥6.42
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￥6.27
30+
￥6.18

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型号：WNSC6D10650T6J-HXY 编号：C53468133

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低导通压降与高耐压特性相结合，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景，能有效降低系统损耗并提升整体能效表现。

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￥7.43
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￥7.26
30+
￥7.15

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型号：WNSC2D10650TJ-HXY 编号：C53468111

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低导通压降与高耐压特性相结合，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场景，能够有效降低系统损耗并提升整体性能表现。

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￥8.2175 ￥8.65
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￥8.037 ￥8.46
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￥7.9135 ￥8.33
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￥7.7805 ￥8.19

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型号：FFSM0665A-HXY 编号：C53468043

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）典型值为1.42V。器件可承受60A的非重复浪涌正向电流（IFSM），展现出良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料特性，其在高频开关条件下具有较低的开关损耗与较高的热稳定性，适用于高效率电源、功率因数校正模块以及对体积和温升敏感的电力电子系统中。

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￥9.0915 ￥9.57
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￥8.8825 ￥9.35
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￥8.7495 ￥9.21
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￥8.607 ￥9.06

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型号：WNSC06650T6J-HXY 编号：C53468032

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管为独立式配置，具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压，正向压降典型值为1.32V，能承受高达60A的非重复浪涌正向电流。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置，在高温或高频率运行环境中仍可维持可靠性能。

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￥9.405 ￥9.9
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￥9.1865 ￥9.67
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￥9.044 ￥9.52
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￥8.9015 ￥9.37

有货

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型号：FFSM1065A-HXY 编号：C51896376

封装：DFN-5B(8x8)