DFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：超小封装：1.0×0.6×0.5mm。保护一条数据或电源线。超低泄漏：纳安级别。工作电压：24V。低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。个人数字助理

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￥0.467695 ￥0.5255
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￥0.369439 ￥0.4151
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￥0.320311 ￥0.3599
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￥0.283465 ￥0.3185
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￥0.254006 ￥0.2854
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￥0.239321 ￥0.2689

有货

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型号：LM-AZ4A24-01F 编号：C49330869

封装：DFN0603

特性：保护一条数据线或电源线。超低泄漏：nA级别。工作电压：24V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试。空气放电：±30kV。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

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￥0.470009 ￥0.5281
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￥0.371753 ￥0.4177
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￥0.322625 ￥0.3625
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￥0.285779 ￥0.3211
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￥0.25632 ￥0.288
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￥0.241546 ￥0.2714

有货

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型号：LM-AZ9817-01F 编号：C49330842

封装：DFN1006

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：24V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC 61000-4-5（雷电）1.5A（8/20μs）。应用：USB端口。 SIM端口

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￥0.49514 ￥0.5212
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￥0.39026 ￥0.4108
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￥0.33782 ￥0.3556
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￥0.29849 ￥0.3142
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￥0.267045 ￥0.2811
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￥0.251275 ￥0.2645

有货

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型号：LM-AZ9568-01F 编号：C49330839

封装：DFN1006

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：8V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接触放电 ±20kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（雷电）3.5A（8/20μs）。应用：USB端口。 SIM端口

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￥0.53133 ￥0.597
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￥0.420258 ￥0.4722
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￥0.364722 ￥0.4098
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￥0.32307 ￥0.363
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￥0.289784 ￥0.3256
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￥0.273052 ￥0.3068

有货

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型号：LM-AZ4617-01F 编号：C49330841

封装：DFN1006

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：24V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（6/50ns）。 -IEC 61000-4-5（Lightning）1.5A（8/20μs）。应用：USB端口。 SIM端口

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￥0.572181 ￥0.6429
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￥0.452565 ￥0.5085
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￥0.392757 ￥0.4413
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￥0.347901 ￥0.3909
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￥0.312034 ￥0.3506
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￥0.294056 ￥0.3304

有货

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型号：LM-AZ1345-04F 编号：C49330849

封装：DFN2510-10

特性：超低电容：典型值0.3pF（I/O到I/O）。超低泄漏：nA级。低工作电压：5V。低钳位电压。最多保护4条线路。无铅直插式封装。应用：HDMI 1.3、1.4和2.0、USB 2.0和3.0以及MDDI端口。 10/100/1000以太网

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￥0.572181 ￥0.6429
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￥0.452565 ￥0.5085
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￥0.312034 ￥0.3506
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￥0.294056 ￥0.3304

有货

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型号：BZT52C6V2LP-7 编号：C151369

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

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￥0.651398 ￥1.1231
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￥0.437424 ￥0.9113
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￥0.31179 ￥0.8205
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￥0.268736 ￥0.7072
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￥0.249546 ￥0.6567
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￥0.238032 ￥0.6264

有货

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型号：BZT52C3V6LP-7 编号：C151430

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

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￥0.684
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￥0.5412
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￥0.4698
500+
￥0.4163

有货

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型号：SD2402P4-3 编号：C3040124

封装：DFN2020-3

特性：5400W峰值脉冲功率 (8/20)。低泄漏：nA级别。低工作电压：24V。超低钳位电压。单电源线保护。符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。应用：电源管理。工业应用

数据手册

100+
￥0.5265
1000+
￥0.507
3000+
￥0.4875
6000+
￥0.4485
10000+
￥0.4368

我要订货

型号：BAT54LPS-7 编号：C134412

封装：X2-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小型无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。本产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

数据手册

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￥0.7162
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￥0.5819
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￥0.5147

有货

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型号：SD0771P6W 编号：C2939740

封装：DFN1610-2

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：7V。低钳位电压。2引脚无铅封装。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。IEC61000-4-4（EFT）80A（5/50ns）。应用：手机及配件。电池保护

数据手册

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￥0.721905 ￥0.8493
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￥0.575025 ￥0.6765
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￥0.501585 ￥0.5901
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￥0.446505 ￥0.5253
3000+
￥0.40239 ￥0.4734
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￥0.380375 ￥0.4475

有货

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型号：LM-AZ4724-01F 编号：C49330870

封装：DFN2020-3

特性：7000W峰值脉冲功率 (8/20 μs)。低泄漏：nA级别。低工作电压：24V。超低钳位电压。单电源线保护。符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。应用：手机及配件。个人数字助理 (PDA)

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￥0.735674 ￥0.8266
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￥0.581882 ￥0.6538
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￥0.504986 ￥0.5674
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￥0.447314 ￥0.5026
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￥0.401212 ￥0.4508
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￥0.378072 ￥0.4248

有货

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型号：LM-AZ9707-01F 编号：C49330831

封装：DFN1610-2

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：7V。低钳位电压。 2引脚无铅封装。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ± 30kV，接触放电 ± 30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）80A（5/50ns）。应用：手机及配件。基于微处理器的设备

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￥0.941353 ￥1.0577
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￥0.739501 ￥0.8309
150+
￥0.652993 ￥0.7337
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￥0.545036 ￥0.6124
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￥0.496976 ￥0.5584
6000+
￥0.46814 ￥0.526

有货

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型号：PMEG2005BELD,315 编号：C478124

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

平面肖特基势垒整流器，集成保护环以进行应力保护，采用无引脚超小型 SOD882D（DFN1006D - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面焊盘可见且可焊接。

数据手册

5+
￥1.6601
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￥1.6388
150+
￥1.6246
500+
￥1.6104

有货

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型号：PESD5V0F1BRLDYL 编号：C552549

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

飞法双向静电放电 (ESD) 保护二极管，用于保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态电压的损害。该器件采用无铅超小型 DFN1006D-2 (SOD882D) 表面贴装塑料封装，具有可见且可焊接的侧面焊盘。极低的电容、高 ESD 最大额定值和超小封装的组合，使其非常适合高速数据线保护和天线保护应用。

数据手册

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￥2.26
10+
￥2.22
30+
￥2.19
100+
￥2.16

有货

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型号：SSTPSC10065DLF 编号：C49450374

封装：DFN-4L(8x8)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.1
10+
￥5.84
30+
￥5.15
100+
￥4.37

有货

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型号：SWNSC10650T6J 编号：C49450393

封装：DFN-4L(8x8)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.1
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￥5.84
30+
￥5.15
100+
￥4.37

有货

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型号：SC6D08065Q 编号：C49450297

封装：DFN-4L(8x8)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥7.23
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￥5.97
30+
￥5.28

有货

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型号：SWNSC08650T6J 编号：C49450391

封装：DFN-4L(8x8)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

1+
￥8.27
10+
￥6.83
30+
￥6.04
100+
￥5.14

有货

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型号：BSDL10S65E6-HXY 编号：C53467912

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.37V，导通损耗较低。其非重复浪涌正向电流（IFSM）为80A，具备良好的瞬态电流承受能力。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频工作条件下仍能保持高效性能和快速开关响应，适用于高效率电源转换、开关模式电源及高频整流等应用场合。

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￥10.8585 ￥11.43
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￥10.6115 ￥11.17
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￥10.45 ￥11
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￥10.2885 ￥10.83

有货

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型号：DSC06A065LP-13-HXY 编号：C53468012

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.32V，可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。得益于碳化硅材料的物理特性，器件具有快速开关响应、低导通损耗和良好的高温稳定性，适用于高效率电源转换及对热性能要求较高的电力电子系统。

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￥10.9345 ￥11.51
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￥10.6875 ￥11.25
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￥10.5165 ￥11.07
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￥10.355 ￥10.9

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型号：DSC08A065LP-13-HXY 编号：C53468046

封装：DFN-5B(8x8)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为8A，最大反向重复电压VR达650V，正向压降VF典型值为1.42V，具备较低的导通损耗。器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性。适用于高效率电源转换、开关模式整流及对能效与响应速度有较高要求的电子系统。

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￥11.9605 ￥12.59
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￥11.685 ￥12.3
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￥11.5045 ￥12.11
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￥11.324 ￥11.92

有货

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型号：DSC10A065LP-13-HXY 编号：C53468119

封装：DFN-5B(8x8)