DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD-4P

SFH610A和SFH6106具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：SFH6106-4 编号：C5334343

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端对端堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，可在高达 400VRMS 或直流的工作电压下实现加强绝缘。

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型号：CYHCPL2530 编号：C47115513

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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型号：SFH6106-2 编号：C17611806

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：SFH6186-4T 编号：C553981

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。

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型号：LTV-0223 编号：C2918480

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

固态继电器是砷化镓铝发光二极管、光电三端双向可控硅探测器和主功率三端双向可控硅的集成。这些器件非常适合控制高压交流负载，具有固态可靠性，同时在输入和输出之间提供5 kV隔离（Vso(rms)）。

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型号：MOC3010M 编号：C124474

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：CNY17F-2X007T 编号：C145432

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

CNY17F是一款光耦合器，由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压

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型号：TCET1103G 编号：C144879

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：SFH615A-2X019T 编号：C7603882

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：FOD852 编号：C900931

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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型号：SFH6106-1X001T 编号：C6901

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH610A（DIP）和 SFH6106（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器有一个砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料 DIP - 4 或 SMD 封装。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：MOC3062TVM 编号：C899839

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：SFH6286-4T 编号：C6668612

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH628A（DIP）和SFH6286（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓（GaAs）红外发射二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：PS2565L-1-A 编号：C22416549

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2565-1 是光耦合隔离器，包含砷化镓（GaAs）发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。PS2565-1 采用塑料双列直插式封装（DIP），而 PS2565L-1 是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）封装。

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型号：TCET1109G 编号：C143036

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：SFH6186-4 编号：C17253776

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：SFH6186-5X001T 编号：C5361071

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端对端堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8mm。

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型号：6N136-X007T 编号：C241873

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器带有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

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型号：4N29M 编号：C898952

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：SFH628A-3X017T 编号：C17337506

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发光二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为2.54mm。选择选项6可实现大于8mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，可在400VRMS或直流的工作电压下实现加强绝缘。

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型号：6N137-300E 编号：C6795936

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时，共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40°C至+85°C范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：SFH6286-3 编号：C17514152

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH628A（DIP）和 SFH6286（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：H11L3M 编号：C899482

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：FOD8523SD 编号：C463971

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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型号：MOC3042SM 编号：C606032

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：TBD62004AFNG(Z,EL) 编号：C7495063

封装：SSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62003A系列和TBD62004A系列是带有7个电路的DMOS晶体管阵列。每个输出都内置有用于切换感性负载的箝位二极管。使用时应注意热条件。特点：- 内置7个电路- 高电压：VOUT = 50 V（最大值）- 高电流：Iout = 500 mA/通道（最大值）- 输入电压（输出开启）：- TBD62003A系列：2.5 V（最小值）- TBD62004A系列：7.0 V（最小值）- 输入电压（输出关闭）：- TBD62003A系列：0.6 V（最大值）- TBD62004A系列：1.0 V（最大值）- 封装选项：- PG型 DIP16-P-300-2.54A- FG型 SOP16-P-225-1.27- FNG型 SSOP16-P-225-0.65B- FWG型 P-SOP16-0410-1.27-002重量：- DIP16-P-300-2.54A：1.11 g（典型值）- SOP16-P-225-1.27：0.16 g（典型值）- SSOP16-P-225-0.65B：0.07 g（典型值）- P-SOP16-0410-1.27-002：0.15 g（典型值）提供了引脚连接和说明，以及每个驱动器的等效电路图。指定了绝对最大额定值和工作范围，包括功率耗散和温度条件。测试电路和时序图涵盖了各种参数，如输出漏电流、输入电流和开通/关断延迟。使用IC时需要注意外部保护电路以防止过流或过压，并考虑散热设计和反电动势。

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型号：CNY65A 编号：C3008878

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离>3mm，可满足最高安全要求。

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型号：TBD62308APG,HZ 编号：C1556732

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62308APG/FG是一款四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的钳位二极管。

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型号：6N138M 编号：C898994

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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