DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

由一个与高速光电探测器晶体管光耦合的AlGaAs LED组成。光电二极管偏置的独立连接通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级的速度。内部噪声屏蔽提供了10kV/µs的卓越共模抑制能力。改进的封装允许480V的工作电压，而行业标准为220V。

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型号：HCNW4506-300E 编号：C6052274

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4506和HCPL - 0466包含一个GaAsP（磷砷化镓）发光二极管，而HCPL - J456和HCNW4506包含一个AlGaAs（铝镓砷）发光二极管。该发光二极管与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小，这使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：ILQ621 编号：C17554764

封装：DIP-16

品牌：VISHAY(威世)

ILD621、ILQ621、ILD621GB、ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。鉴于在 1.0 mA 的正向电流（lF）下，其集电极 - 发射极饱和电流传输比（CTRCEsat）最低为 30%，ILD621、ILQ621GB 非常适合用于 CMOS 接口

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型号：HCPL-2602-000E 编号：C692029

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合线路接收器，结合了GaAsP发光二极管、输入电流调节器和集成高增益光电探测器。输入调节器可作为线路接收器应用的线路终端，它能钳位线路电压并调节LED电流，使线路反射不影响电路性能。调节器在开始分流多余电流之前允许典型的8.5 mA LED电流。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管，使能输入对探测器进行门控

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型号：IL4108 编号：C19631577

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

IL410和IL4108由一个与光敏晶闸管系统光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，该系统集成了噪声抑制和过零电路。晶闸管系统可实现2 mA的低触发电流，其dV/dt比大于10 kV/μs，负载电压最高可达800 V。

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型号：ASSR-1411-001E 编号：C5555230

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

该系列由与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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￥25.76
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型号：HCNW3120-000E 编号：C692002

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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￥27.31
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型号：HCPL-3120-060E 编号：C6795900

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：CNY65EXI 编号：C80228

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

CNY65Exi 由一个光电晶体管和一个红外发光二极管通过光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。这些组件相对安装，输入和输出之间的距离大于 3.0 毫米，满足最高安全要求。根据欧洲指令 94/9/EG，CNY65Exi 获得了适用于爆炸性环境的 ATEX 认证

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￥29.51

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型号：HCPL-3700-500E 编号：C2927820

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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￥32.68
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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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￥36.95
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型号：FOD4208SD 编号：C899305

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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￥38.7
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型号：PVT412LS-TPBF 编号：C538633

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

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￥41.69
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型号：PVT412AS-TPBF 编号：C538630

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计。该系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼）端子。它可提供标准塑料运输管或卷带包装。

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单价：
￥52.91 / 个

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型号：BM63763S-VC 编号：C3615203

封装：DIP-25

品牌：ROHM(罗姆)

由栅极驱动器、自举二极管、IGBT和续流二极管组成。采用了适用于高速开关驱动（如洗衣机或风扇电机）的低开关损耗IGBT。

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型号：PVA3055NSPBF 编号：C538582

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA30系列交流继电器（PVA）是单极常开固态继电器，用于替代通用模拟信号切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新颖结构的集成光电池发电机驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光电池发电机光学隔离。PVA30系列结合了非常低的固态输出电容、非常高的关断电阻和非常快的响应时间。这些光电继电器专为在高性能仪器系统中精确切换低电平信号而设计。PVA30系列克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，提供了固态继电器的优势，如长寿命、快速操作速度、低启动功率、无反弹操作、低热偏移电压和小型封装。这些优势允许在许多应用中改进产品和设计创新，如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集。PVA30可以切换从热电偶电平到300伏峰值交流或直流极性的模拟信号。信号频率可以轻松控制到射频范围，并且可实现高达1.7千赫兹的切换速率。极小的热生成偏移电压允许提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，提供通孔或表面贴装（“鸥翼”）引线，在塑料运输管中供货。

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