DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：TBD62004AFNG(Z,EL) 编号：C7495063

封装：SSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62003A系列和TBD62004A系列是带有7个电路的DMOS晶体管阵列。每个输出都内置有用于切换感性负载的箝位二极管。使用时应注意热条件。特点：- 内置7个电路- 高电压：VOUT = 50 V（最大值）- 高电流：Iout = 500 mA/通道（最大值）- 输入电压（输出开启）：- TBD62003A系列：2.5 V（最小值）- TBD62004A系列：7.0 V（最小值）- 输入电压（输出关闭）：- TBD62003A系列：0.6 V（最大值）- TBD62004A系列：1.0 V（最大值）- 封装选项：- PG型 DIP16-P-300-2.54A- FG型 SOP16-P-225-1.27- FNG型 SSOP16-P-225-0.65B- FWG型 P-SOP16-0410-1.27-002重量：- DIP16-P-300-2.54A：1.11 g（典型值）- SOP16-P-225-1.27：0.16 g（典型值）- SSOP16-P-225-0.65B：0.07 g（典型值）- P-SOP16-0410-1.27-002：0.15 g（典型值）提供了引脚连接和说明，以及每个驱动器的等效电路图。指定了绝对最大额定值和工作范围，包括功率耗散和温度条件。测试电路和时序图涵盖了各种参数，如输出漏电流、输入电流和开通/关断延迟。使用IC时需要注意外部保护电路以防止过流或过压，并考虑散热设计和反电动势。

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型号：HCPL-3140-000E 编号：C692035

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：H11L2M 编号：C258255

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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型号：FOD2741AS 编号：C899225

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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型号：SPE04M50T-A 编号：C52976373

封装：DIP-23-FP

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU。 ·下臂 MOSFET 源极输出 ·内置自举二极管 ·内置防直通保护 ·内置欠压保护 ·内部集成温度检测输出 ·绝缘耐压1500V

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型号：HCNW2611-300E 编号：C7466708

封装：DIP

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：ASSR-1411-001E 编号：C5555230

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

该系列由与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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型号：HCPL-3120-060E 编号：C6795900

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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型号：HCPL-3760-000E 编号：C6795981

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：PVA3055NSPBF 编号：C538582

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA30系列交流继电器（PVA）是单极常开固态继电器，用于替代通用模拟信号切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新颖结构的集成光电池发电机驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光电池发电机光学隔离。PVA30系列结合了非常低的固态输出电容、非常高的关断电阻和非常快的响应时间。这些光电继电器专为在高性能仪器系统中精确切换低电平信号而设计。PVA30系列克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，提供了固态继电器的优势，如长寿命、快速操作速度、低启动功率、无反弹操作、低热偏移电压和小型封装。这些优势允许在许多应用中改进产品和设计创新，如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集。PVA30可以切换从热电偶电平到300伏峰值交流或直流极性的模拟信号。信号频率可以轻松控制到射频范围，并且可实现高达1.7千赫兹的切换速率。极小的热生成偏移电压允许提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，提供通孔或表面贴装（“鸥翼”）引线，在塑料运输管中供货。

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型号：BPC-817B 编号：C2692099

封装：DIP-4

品牌：BrtLed(佰鸿)

BPC - 817系列是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。引脚间距为2.54mm。

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型号：ZGY1505(ITR) 编号：C277755

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-T2403-01 编号：C5337549

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-R1305-09 编号：C5337531

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZGY9606(ITR) 编号：C277751

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：CYMOC3021 编号：C970349

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

均由一个 GaAs 红外发光二极管与一个单片硅光电双向可控硅开关元件光耦合组成。

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型号：ZGY230A(ITR) 编号：C277743

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZGY20001/T24(ITR ) 编号：C277773

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-T1002-02 编号：C5337539

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-T1306-02-F34 编号：C5337546

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-T1305-02-F 编号：C5337542

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-T1405-A02-F6 编号：C5337547

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-T1305-A02 编号：C5337543

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-T1406-02 编号：C5337548

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：CYMOC3061 编号：C3018799

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

CYMOC304X, CYMOC306X, CYMOC308X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

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型号：CYMOC3063 编号：C970351

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

CYMOC304X、CYMOC306X、CYMOC308X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

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型号：ZSOS-T1405-A58 编号：C5337545

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZGY1203DT50A(ITR) 编号：C277748

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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