DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：4N25-300E 编号：C17604748

封装：SMD-6P

品牌：Broadcom(博通)

是用于通用应用的光耦合器。它包含一个发光二极管,该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用6引脚DIP封装,有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。响应时间tr通常为3μs,在输入电流为10mA时,最小电流传输比(CTR)为20%。

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型号：FOD819 编号：C479729

封装：DIP-4

FOD819 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，驱动带有集成的基极发射电阻 RBE 的硅光电达林顿输出。当绝缘数据信号传输中需要更高速度性能时，它适用于以更高性能替代受欢迎的 FOD817 系列。

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型号：HCPL-2531-C1L0 编号：C19185356

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

这类晶体二极管型光耦在LED与集成光敏接收器之间用一绝缘层来保证输入与输出间的电器隔离。光电二极管和输出晶体管集电极分别给予偏置电压，可以使常规光敏晶体管的速度提高。

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型号：TLP785(GRH-TP6,F) 编号：C17447197

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料DIP封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000Vrms（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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型号：HCPL-181-06DE 编号：C17658017

封装：Mini-4-FlAt

品牌：Broadcom(博通)

包含一个发光二极管，该二极管与光电晶体管光耦合。采用4引脚迷你扁平贴片（SMD）封装，高度为2.0mm。产品尺寸小，可显著节省空间，封装体积比传统DIP类型小30%。输入-输出隔离电压为3750Vrms。响应时间tr典型值为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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型号：MOC3041VM 编号：C899809

封装：DIP-6

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：K3023P 编号：C3008946

封装：DIP-6

该系列由一个光控双向可控硅和一个砷化镓红外发光二极管组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流和电气噪声隔离功能，输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率双向可控硅。

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型号：ILD615-4 编号：C17496455

封装：DIP-8

ILD615、ILQ615 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 光电晶体管。这些器件采用上下引线框架光耦合和双塑封绝缘技术制造，耐受测试电压达 7500 V 交流峰值，工作电压为 1700 Vrms。经过分档的最小/最大和线性电流传输比（CTR）特性使这些器件非常适合用于直流或交流电压检测

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型号：PS2561DL2-1Y-V-F3-A 编号：C17496545

封装：SMD-4P

是一种光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。采用塑料 DIP（双列直插式封装），PS2561DL-1 是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。PS2561DL1-1 是用于长爬电距离的引脚弯曲型。PS2561DL2-1 是用于长爬电距离（鸥翼型）的表面贴装引脚弯曲型。

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型号：PS2535L-1-F3-A 编号：C28213641

封装：SMD-4P

PS2535 - 1和PS2535L - 1是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅达林顿连接光电晶体管。输入/输出之间具有高隔离电压，晶体管集电极和发射极之间具有高电压，且达林顿晶体管输出支持低电流输入。PS2535 - 1是用于引脚插入式安装的塑料双列直插式封装（DIP）型号，PS2535L1是由PS2535 - 1改进而来的鸥翼式引脚弯曲型号，用于表面贴装

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型号：PS2561L2-1-F3-A 编号：C17488591

封装：SMD-4P

是一种光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），PS2561L-1为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。PS2561L2-1为表面贴装的宽引脚弯曲型。

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型号：VO3063 编号：C68036

封装：DIP-6

由砷化镓红外发光二极管与单片光敏过零三端双向可控硅探测器芯片光耦合组成。600V 阻断电压允许控制高达 240VAC 的离线电压，安全系数超过 2，足以应对高达 380V 的电压。

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型号：VOT8125AB-T 编号：C7149092

封装：SMD-6P

由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用 DIP-6 封装，输出端具有高隔离距离。可将低压逻辑与 120VAC、240VAC 和 380VAC 线路隔离，以控制阻性、感性或容性负载，包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。

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型号：MOC3073M 编号：C899852

封装：DIP-6

MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关（三端双向可控硅元件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。这些器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。这些器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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型号：PS2561FL-1Y-F3-A 编号：C17465034

封装：SMD-4P

是一种光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），PS2561FL-1为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：MOC3053M 编号：C603333

封装：DIP-6