DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZGY8103(ITR) 编号：C277742

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ULN2004L-D16-T 编号：C109232

封装：DIP-16

品牌：UTC(友顺)

UTC ULN2004 是高压、大电流达林顿驱动器，由七对 NPN 达林顿管组成。所有单元均内置钳位二极管，用于切换感性负载。应用领域包括继电器、锤击器、灯和显示器（LED）驱动器

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型号：ZGY20002(ITR ) 编号：C277775

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-T6003 编号：C5337550

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：KP40102B TLD 编号：C920669

封装：SMD-4P

品牌：Cosmo(冠西)

KP4010系列由一个光电达林顿管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。集电极 - 发射极电压为300V。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点

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型号：ZSOS-T0502-02 编号：C5337535

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：CNY172M 编号：C899072

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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型号：CNY17-3-500E 编号：C2686005

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个发光二极管，该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用6引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。集电极-发射极电压高于70V。响应时间tr通常为5μs，在输入电流为10mA时，最小电流传输比（CTR）为40%。

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型号：4N26M 编号：C89367

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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型号：CNY171M 编号：C899065

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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型号：H11L1TVM 编号：C899475

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：NSG21531DP 编号：C46473163

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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型号：4N25-300E 编号：C17604748

封装：SMD-6P

品牌：Broadcom(博通)

是用于通用应用的光耦合器。它包含一个发光二极管,该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用6引脚DIP封装,有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。响应时间tr通常为3μs,在输入电流为10mA时,最小电流传输比(CTR)为20%。

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型号：CNY17F-3X007T 编号：C142631

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

CNY17F是一款光耦合器，由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压

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型号：MOC8050SR2VM 编号：C899881

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：MOC3023TVM 编号：C899795

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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型号：PS2501L-1-L-A 编号：C17190145

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），还有用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：PS2565L-1-A 编号：C22416549

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2565-1 是光耦合隔离器，包含砷化镓（GaAs）发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。PS2565-1 采用塑料双列直插式封装（DIP），而 PS2565L-1 是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）封装。

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型号：MOC3041VM 编号：C899809

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：4N29M 编号：C898952

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：H11L3M 编号：C899482

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：PS2561L2-1-F3-A 编号：C17488591

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），PS2561L-1为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。PS2561L2-1为表面贴装的宽引脚弯曲型。

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型号：FOD8523SD 编号：C463971

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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型号：MOC3053M 编号：C603333

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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