DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

AiP2803是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动电路。电路内部设计有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。AiP2803的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

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型号：HCPL-3150-C1H0 编号：C48392934

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

应用于工业逆变器、不间断电源、感应加热和隔离 IGBT/功率MOSFET栅极驱动等。 HCPL-3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/ 20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管以光学方式耦合到具有高速驱动器的集成电路，以实现推挽式MOSFET输出级。

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型号：CNY17F3M 编号：C258229

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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型号：MCT2EM 编号：C258259

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MCT2XXX 系列光绝缘体包括一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双线内封装。

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型号：CYHCPL2530 编号：C47115513

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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￥3.27
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型号：MOC3010M 编号：C124474

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：K3010P 编号：C3009282

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由一个光控三端双向可控硅和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流隔离和电气噪声隔离功能，输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率三端双向可控硅。

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￥5.55
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￥4.48
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型号：K3023P 编号：C3008946

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

该系列由一个光控双向可控硅和一个砷化镓红外发光二极管组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流和电气噪声隔离功能，输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率双向可控硅。

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￥5.29
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型号：DRV8300DIPWR 编号：C2862908

封装：TSSOP-20

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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型号：PS2502L-1-F3-A 编号：C17496046

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2502 - 1、-4 以及 PS2502L - 1、-4 是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个采用 NPN 硅达林顿连接的光电晶体管。PS2502 - 1、-4 采用塑料双列直插式封装（DIP），而 PS2502L - 1、-4 为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）封装。

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￥8.06
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￥6.73
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型号：MOC8204M 编号：C899887

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

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￥9.62
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型号：6N138M 编号：C898994

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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￥13.39
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￥11.45
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型号：HCPL2530 编号：C410940

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

由一个与高速光电探测器晶体管光耦合的AlGaAs LED组成。光电二极管偏置的独立连接通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级的速度。内部噪声屏蔽提供了10kV/µs的卓越共模抑制能力。改进的封装允许480V的工作电压，而行业标准为220V。

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型号：FOD4108SD 编号：C899279

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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￥21.3
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型号：HCNW4506-300E 编号：C6052274

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4506和HCPL - 0466包含一个GaAsP（磷砷化镓）发光二极管，而HCPL - J456和HCNW4506包含一个AlGaAs（铝镓砷）发光二极管。该发光二极管与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小，这使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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￥25.38
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型号：HCPL-2611-020E 编号：C6955745

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。