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首页 > 热门关键词 > DIP二极管
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是光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
  • 1+

    ¥22.06
  • 10+

    ¥21.53
  • 30+

    ¥21.17
  • 有货
  • ·600V/10A三相逆变器,内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT ·信号高电平有效,兼容3.3V和5V的MCU ·内置自举二极管 ·内置欠压保护、过流保护 ·使能关断功能 ·恒流温度检测输出
    • 1+

      ¥31.654 ¥33.32
    • 10+

      ¥27.1985 ¥28.63
    • 30+

      ¥24.548 ¥25.84
    • 105+

      ¥21.869 ¥23.02
    • 495+

      ¥20.634 ¥21.72
    • 810+

      ¥20.0735 ¥21.13
  • 有货
  • ·下臂IGBT发射极输出,内置自举二极管。 ·600V/6A三相逆变器,内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动:增强型输入滤波,上下臂互锁,高速600V电平转换,电源欠压保护,短路(过流)保护。 ·故障信号:对应于短路(过流)和VP1电源欠压故障。 ·输入接口:兼容3.3V&5V输入信号,高电平有效。 ·温度检测:负温度系数热敏电阻检测输出和IC内部检测输出。
    • 1+

      ¥33.23
    • 10+

      ¥28.28
    • 24+

      ¥25.33
  • 有货
  • ·下臂 IGBT 发射极输出,内置自举二极管。 ·600V/20A 三相逆变器,内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动:增强型输入滤波,高速600V电平转换,电源欠压保护,短路(过流)保护,过温保护和温度输出。 ·故障信号:对应于短路(过流)、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口:兼容 3.3V &5V 输入信号,高电平有效。
    • 1+

      ¥59.8975 ¥63.05
    • 10+

      ¥51.68 ¥54.4
    • 24+

      ¥46.664 ¥49.12
    • 96+

      ¥42.465 ¥44.7
  • 有货
  • 博通ASSR - 14XX系列包含一个铝镓砷(AlGaAs)红外发光二极管(LED)输入级,该输入级与高压输出检测电路进行光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于控制两个分立高压MOSFET的开关。当输入LED的最小输入电流达到3 mA时,继电器导通(触点闭合)
    • 1+

      ¥66.48
    • 10+

      ¥64.31
  • 有货
  • 是光耦合隔离器,包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。引脚间距为2.54mm
    • 10+

      ¥0.3547
    • 100+

      ¥0.2851
    • 300+

      ¥0.2503
  • 有货
  • LED,Φ3,白发蓝,5MA,插装,2.54MM间距,DIP-2
    • 10+

      ¥0.3922
    • 100+

      ¥0.3173
    • 300+

      ¥0.2799
    • 3000+

      ¥0.2266
    • 6000+

      ¥0.2041
    • 9000+

      ¥0.1929
  • 订货
  • MOC3021-AW(KTP)该系列器件包含一个红外发光二极管和光电探测器。应用在交流电动机驱动、照明控制、交流电机启动器和电磁阀控制等。
    • 5+

      ¥0.7932
    • 50+

      ¥0.6252
    • 130+

      ¥0.5412
    • 520+

      ¥0.4782
  • 有货
  • 由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成,它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时,光电晶体管不能接收辐射。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9406
    • 50+

      ¥0.7386
    • 150+

      ¥0.652
  • 有货
  • KP1020系列由一个红外发光二极管和一个光耦合的光电晶体管探测器组成。它们采用8引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距和表面贴装器件(SMD)可选。
    数据手册
    • 6+

      ¥1.033
    • 60+

      ¥1.01
    • 192+

      ¥0.9946
  • 有货
  • 均由一个 GaAs 红外发光二极管与一个单片硅光电双向可控硅开关元件光耦合组成。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1351
    • 50+

      ¥0.8752
    • 150+

      ¥0.7726
  • 有货
  • 由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成,它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时,光电晶体管不能接收辐射。
    • 5+

      ¥1.2202
    • 50+

      ¥0.9582
    • 150+

      ¥0.8458
  • 有货
  • 由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成,它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时,光电晶体管不能接收辐射。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2514
    • 50+

      ¥0.9894
    • 200+

      ¥0.8458
  • 有货
  • 由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成,它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时,光电晶体管不能接收辐射。
    • 5+

      ¥1.2643
    • 50+

      ¥1.0022
    • 150+

      ¥0.8587
  • 有货
  • 由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成,它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时,光电晶体管不能接收辐射。
    • 5+

      ¥1.2643
    • 50+

      ¥1.0022
    • 180+

      ¥0.8587
  • 有货
  • CYMOC304X, CYMOC306X, CYMOC308X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元,可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输,使输入端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2934
    • 50+

      ¥0.986
    • 150+

      ¥0.8683
    • 500+

      ¥0.7214
    • 2500+

      ¥0.656
    • 5000+

      ¥0.6168
  • 订货
  • CYMOC304X、CYMOC306X、CYMOC308X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元,可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输,使输入端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.3966
    • 10+

      ¥1.1118
    • 50+

      ¥0.9087
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。 这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个4引脚DIP封装中。 耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。 耦合器端部可堆叠,间距为2.54mm。 选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于高达400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥1.42
    • 10+

      ¥1.38
    • 30+

      ¥1.36
  • 有货
  • 由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成,它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时,光电晶体管不能接收辐射。
    • 5+

      ¥1.4224
    • 50+

      ¥1.1275
    • 200+

      ¥0.9661
  • 有货
  • AiP2003内部包含七个独立的达林顿管驱动电路,每路达林顿管输入均串联一个2.7K的基极电阻,输出内置续流二极管,单路达林顿管最大可输出500mA电流,多路并联可承受更大的电流。该电路主要应用于照明驱动、继电器驱动、步进电机驱动和逻辑缓冲器等。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4726
    • 50+

      ¥1.1324
    • 150+

      ¥0.9866
    • 500+

      ¥0.8047
    • 2000+

      ¥0.7237
    • 5000+

      ¥0.675
  • 有货
  • TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥1.49
    • 10+

      ¥1.45
    • 30+

      ¥1.42
  • 有货
  • 由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成,它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时,光电晶体管不能接收辐射。
    • 5+

      ¥1.5253
    • 50+

      ¥1.1977
    • 200+

      ¥1.0573
  • 有货
  • TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥1.54
    • 10+

      ¥1.5
    • 30+

      ¥1.48
  • 有货
  • 由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成,它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时,光电晶体管不能接收辐射。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6205
    • 50+

      ¥1.2929
    • 180+

      ¥1.0573
  • 有货
  • 该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.24
    • 10+

      ¥2.19
    • 50+

      ¥2.15
  • 有货
  • CQY80N(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用 6 引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥2.28
    • 10+

      ¥2.23
    • 30+

      ¥2.2
  • 有货
  • CY6N138、CY6N139光耦合器由一个AlGaAs LED和一个高增益分离达林顿光电探测器组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容,用于光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚DIP/SMD封装,具有不同的引线形成选项。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.58
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.8
    • 100+

      ¥1.51
  • 有货
  • SFH615XXX的特点是电流传输比范围大、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器采用砷化镓(GaAs)红外发光二极管作为发射端,与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥2.72
    • 10+

      ¥2.67
    • 30+

      ¥2.63
  • 有货
  • 该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管,采用 6 引脚双列直插封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.74
    • 10+

      ¥2.16
    • 50+

      ¥1.78
  • 有货
  • CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用双列直插封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.8
    • 10+

      ¥2.25
    • 50+

      ¥2.02
  • 有货
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