DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MOC3022-AW(KTP) 编号：C50380044

封装：DIP-6

品牌：KTP(科泰普)

MOC3022-AW（KTP）该系列器件包含一个红外发光二极管和光电探测器。应用在交流电动机驱动、照明控制、交流电机启动器和电磁阀控制等。

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￥0.796575 ￥0.8385
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型号：MOC3023-AW(KTP) 编号：C50380045

封装：DIP-6

品牌：KTP(科泰普)

MOC3023-AW（KTP）该系列器件包含一个红外发光二极管和光电探测器。应用在交流电动机驱动、照明控制、交流电机启动器和电磁阀控制等。

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￥0.83961 ￥0.8838
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￥0.57285 ￥0.603
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￥0.50616 ￥0.5328
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￥0.45277 ￥0.4766
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型号：CYMOC3020 编号：C47115515

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

302X, CYMOC305X系列产品由一颗GaAs红外二极管和一颗光电TRIAC组成光电耦合器件

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￥1.0588
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￥0.837
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￥0.742

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型号：ZGY9608-F(ITR) 编号：C277753

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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￥1.1389
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型号：SN74LS32N(XBLW) 编号：C42395512

封装：DIP-14

品牌：XBLW(芯伯乐)

SN74LS32是一个四路2输入或门，输入包含钳位二极管，允许使用限流电阻将输入接口至超过VCC的电压。

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型号：ITR9606 编号：C264271

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

由红外发光二极管和硅光电晶体管组成，并排封装在黑色热塑性外壳中，光轴汇聚。光电晶体管仅接收红外LED的辐射，这是正常情况。但当物体位于两者之间时，光电晶体管无法接收辐射

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型号：XD1413 编号：C556278

封装：DIP-16

品牌：XINLUDA(信路达)

开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic)：3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic)：1.1V@500uA,350mA 输出漏电流(Icex@Vce)：50uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi)：930uA@3.85V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic)：100uA@500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR)：50uA@50V 嵌位二

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￥1.8248
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型号：ZSOS-T0705 编号：C5337538

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：6N136-L 编号：C194516

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6 由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

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￥2.63
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型号：LTV-3223 编号：C575505

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

固态继电器（SSR）是砷化镓铝发光二极管、光控三端双向可控硅探测器和主功率三端双向可控硅的集成器件。这些器件非常适合控制高压交流负载，具备固态可靠性，同时在输入与输出之间提供 5 KV 的隔离（Viso (rms)）。

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￥3.02
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型号：FOD852 编号：C900931

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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￥4.38
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￥3.5
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￥3.06
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型号：ILD615-4 编号：C17496455

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD615、ILQ615 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 光电晶体管。这些器件采用上下引线框架光耦合和双塑封绝缘技术制造，耐受测试电压达 7500 V 交流峰值，工作电压为 1700 Vrms。经过分档的最小/最大和线性电流传输比（CTR）特性使这些器件非常适合用于直流或交流电压检测

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￥6.76
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￥6.59
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型号：TLP627M(D4-TP5,E 编号：C17497898

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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￥7.33
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￥5.99
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￥5.25
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￥4.42

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型号：MCT6SD 编号：C899751

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

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￥8.17
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￥6.86
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型号：VOT8125AB-T 编号：C7149092

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用 DIP-6 封装，输出端具有高隔离距离。可将低压逻辑与 120VAC、240VAC 和 380VAC 线路隔离，以控制阻性、感性或容性负载，包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。

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￥8.17
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￥6.69
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型号：H11A1TVM 编号：C899425

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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￥8.21
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￥6.78
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型号：SC39-11SURKWA 编号：C6801847

封装：DIP-10

品牌：Kingbright

超红色源颜色器件由GaAs衬底上的AlGaInP制成发光二极管。静电放电和电源浪涌可能会损坏LED。建议在处理LED时使用腕带或防静电手套。所有设备、仪器和机器必须接地。

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￥10.42
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￥9.4944 ￥9.89

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型号：TBD62308APG,HZ 编号：C1556732

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62308APG/FG是一款四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的钳位二极管。

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￥13.38
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￥13.07
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型号：BRT23F 编号：C19078476

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由一个光耦合的砷化镓红外发光二极管和一个光敏晶闸管系统组成，集成了噪声抑制和过零电路。该晶闸管系统可实现低触发电流1.2 mA，具有大于10 kV/μs的dV/dt比和高达800 V的负载电压。是一种非常适合微控制器的解决方案，可将低电压逻辑与120 VAC、240 VAC和380 VAC的高电压线路隔离，并控制电阻性、电感性或电容性交流负载，如电机、螺线管、高功率晶闸管、双向晶闸管和固态继电器。

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￥21.29
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￥20.78
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型号：HE721C1200 编号：C1519209

封装：DIP,19.1x7.2mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款采用DIN封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。

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￥22.85
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￥22.32
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型号：SPE06S60F-A 编号：C52976367

封装：DIP-25-FP

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/6A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。 ·故障信号：对应于短路（过流）和VP1电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。 ·温度检测：负温度系数热敏电阻检测输出和IC内部检测输出。

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￥23.57
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￥22.34
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￥21.6

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型号：BRT23H 编号：C6790864

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

BRT21、BRT22、BRT23 产品系列包含一个与光敏晶闸管系统光耦合的 GaAs 红外发光二极管，该系统集成了噪声抑制和过零电路。该晶闸管系统可实现低至 1.2 mA 的触发电流，其 dV/dt 比大于 10 kV/μs，负载电压高达 800 V。

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￥25.06
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￥24.46
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￥24.06

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型号：SPE15S60E-D 编号：C52976371

封装：DIP-28-DBC

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：高压高速电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于低侧短路（过流）、低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

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￥28.12
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￥26.79
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￥25.98

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型号：FOD4208S 编号：C899304

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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￥35.28
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￥30.16
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￥27.04

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型号：PVT412LS-TPBF 编号：C538633

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

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￥36.2703 ￥41.69
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￥31.3852 ￥40.76
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￥26.9005 ￥40.15
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￥26.4851 ￥39.53

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型号：HCPL-2300 编号：C6796003

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将 820 nm AlGaAs 光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种半导体器件组合为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速 AlGaAs 发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的 RS-232-C 接口。作为线路接收器，由于较低的 IF 和 VF 规格，在给定数据速率下，其可在更长的线路长度上工作。

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￥53.8146 ￥85.42
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￥46.6137 ￥73.99
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￥42.2226 ￥67.02
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￥38.5434 ￥61.18

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型号：ATLS6A201D 编号：C7501668

封装：DIP

品牌：ATI(恒光)

产品参数：ATLSXA201D系列二极管激光驱动器是CWD-01-V2激光驱动器的升级替代版，启动时间更短：仅需要4mS，而CWD-01-V2需100mS启动。这款二极管激光驱动器专为驱动低噪声恒流高效的激光二极管而设计。产品型号：ATLSXA201D;高效：≥90;最大输出电流：500mA，1A, 2A, 3A, 4A, 6A;电流输出噪声：0.05%;高稳定性：100ppm/℃;高可靠性以及防电磁干扰; 　　尺寸小巧;