DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

由与单片硅探测器光耦合的GaAs红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

数据手册

1+
￥1.4628 ￥3.18
10+
￥0.9072 ￥2.52
65+
￥0.5824 ￥2.24
130+
￥0.4914 ￥1.89
520+
￥0.4498 ￥1.73
975+
￥0.4264 ￥1.64

有货

立即购买

型号：CYMOC3081 编号：C3018802

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

CYMOC304X, CYMOC306X, CYMOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

数据手册

5+
￥1.4921
50+
￥1.1424
150+
￥1.0085

有货

立即购买

型号：TCDT1102G 编号：C3000887

封装：DIP-6

由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。光电晶体管的基极未连接，具有抗噪能力。

数据手册

1+
￥1.4994
10+
￥1.2992
50+
￥1.2134
100+
￥1.1063
500+
￥1.0587
1000+
￥1.03

有货

立即购买

型号：KMOC3052 编号：C136446

封装：DIP-5

由一个 GaAs 红外发光二极管与一个非零交叉硅双向交流开关 (TRIAC) 光耦合组成。这些器件将低压逻辑电路与 115/240 VAC 线路隔离，从而为大电流双向可控硅 (TRIAC) 或晶闸管提供随机相位控制。这些器件的静态 dv/dt 能力显著增强，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

5+
￥1.6305
50+
￥1.2781
130+
￥1.127
520+
￥0.9385
1950+
￥0.8546
5850+
￥0.8043

有货

立即购买

型号：ZGY20001/T24(RG)(ITR ) 编号：C277774

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况，但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

数据手册

5+
￥1.6463
50+
￥1.2935
150+
￥1.1423

有货

立即购买

型号：KP40102B TLD 编号：C920669

封装：SMD-4P

KP4010系列由一个光电达林顿管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。集电极 - 发射极电压为300V。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点

数据手册

5+
￥1.7418
50+
￥1.3789
150+
￥1.2234
500+
￥1.0293
2000+
￥0.9429
4000+
￥0.8911

有货

立即购买

型号：MOC3062 编号：C115473

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 Vac线路供电的设备之间的接口，与可控硅配合使用。简化了115/240 Vac电源的逻辑控制。

数据手册

5+
￥1.7561
50+
￥1.3882
130+
￥1.2305

有货

立即购买

型号：CY6N136 编号：C3018820

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

光耦合器由一个 AlGaAs LED 和高速光电晶体管组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。

数据手册

5+
￥1.8884
50+
￥1.4575
150+
￥1.2866

有货

立即购买

型号：KP40102C TLD 编号：C920670

封装：SMD-4P

KP4010系列由一个光电达林顿管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。集电极 - 发射极电压为300V。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点

数据手册

5+
￥2.057
50+
￥1.6942
150+
￥1.5386
500+
￥1.3446
2000+
￥1.2582
4000+
￥1.2063

有货

立即购买

型号：SFH6186-5 编号：C128926

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。

数据手册

1+
￥3.1
10+
￥3.02
30+
￥2.96

有货

立即购买

型号：TCDT1103G 编号：C5359573

封装：DIP-6

TCDT1100、TCDT1100G 系列产品包含一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管，二者通过光耦合，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。光电晶体管的基极未连接，可抗干扰。

1+
￥3.14
10+
￥2.49
50+
￥2.22
100+
￥1.87

有货

立即购买

型号：SFH610A-3X007T 编号：C3009209

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合装置由 GaAs 红外二极管发射器和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙，该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400 VRMS 或直流的工作电压。

1+
￥4.09
10+
￥3.3
30+
￥2.9

有货

立即购买

型号：SFH6106-3X001T 编号：C17274923

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

1+
￥4.15
10+
￥4.05
30+
￥3.98

有货

立即购买

型号：SFH617A-3X017T 编号：C17559107

封装：SMD-4P

110°C 额定值的产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现爬电距离和电气间隙距离 >8.8mm。

1+
￥4.18
10+
￥4.07
30+
￥4

有货

立即购买

型号：MOC8050SR2VM 编号：C899881

封装：DIP-6

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

数据手册

1+
￥4.2
10+
￥4.09
30+
￥4.02

有货

立即购买

型号：VO615C-2X019T 编号：C17245116

封装：SMD-4P

额定温度为110°C的VO615C系列具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥4.37
10+
￥4.27
30+
￥4.21
100+
￥4.14

有货

立即购买

型号：APY210E 编号：C42444416

封装：DIP-4

品牌：APSEMI(先进光)

用于从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。通过接收低电平输入电流(<5mA)，为输入红外LED供电，该LED与光电二极管阵列芯片光耦合。该IC进而产生光电压，为两个通常以源极到源极配置连接的MOSFET供电，允许交流和直流输出负载。光继电器基本上通过移动光子来实现其开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关性能。

1+
￥4.92
10+
￥3.94
30+
￥3.44
100+
￥2.96
500+
￥2.66
1000+
￥2.51

有货

立即购买

型号：CNY17F2M 编号：C258249

封装：DIP-6

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥5.4
10+
￥4.4
50+
￥3.89

有货

立即购买

型号：PS2506L-1-F3-A 编号：C5354480

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2506 - 1和PS2506L - 1是光耦合隔离器，包含两个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅达林顿连接光电晶体管。PS2506 - 1是用于引脚插入式安装的塑料双列直插式封装（DIP）型号，PS2506L - 1是由PS2506 - 1改进而来的鸥翼式引脚弯曲型号，用于表面贴装。

1+
￥5.76
10+
￥5.62
30+
￥5.53

有货

立即购买

型号：SFH6206-3 编号：C7473279

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离大于8mm。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。

1+
￥6.77
10+
￥5.64
30+
￥5.01

有货

立即购买

型号：VOT8121AB-T1 编号：C6349878

封装：SMD-4P

由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用节省电路板空间的DIP-4封装。可将低压逻辑与120VAC、240VAC和380VAC线路隔离，以控制阻性、感性或容性负载，包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅和继电器。

1+
￥6.79
10+
￥5.53
30+
￥4.89
100+
￥4.26

有货

立即购买

型号：HCPL-181-06AE 编号：C6795858

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

包含一个发光二极管，该二极管与光电晶体管光耦合。采用4引脚微型扁平贴片封装，高度为2.0mm。该产品尺寸小，可显著节省空间，封装体积比传统DIP型小30%。输入-输出隔离电压为3750Vrms。响应时间τᵣ通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

1+
￥7.72
10+
￥6.47
30+
￥5.78

有货

立即购买

型号：6N135VM 编号：C188656

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

数据手册

1+
￥9.06
10+
￥7.52
50+
￥6.68

有货

立即购买

型号：HCPL-0452-500E 编号：C692008

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

数据手册

1+
￥9.38
10+
￥7.9
30+
￥7.09

有货

立即购买

型号：H11L2M 编号：C258255

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

数据手册

1+
￥10.09
10+
￥8.38
50+
￥7.44

有货

立即购买

型号：FOD2741AS 编号：C899225

封装：SMD-8P

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

数据手册

1+
￥13.07
10+
￥11.1
50+
￥9.87

有货

立即购买

型号：HCPL-3180-000E 编号：C692040

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

数据手册

1+
￥13.14
10+
￥11.18
50+
￥8.92
100+
￥7.66

有货

立即购买

型号：ILQ621GB 编号：C5342966

封装：DIP-16

ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压

数据手册

1+
￥19.39
10+
￥16.61
25+
￥14.96

有货

立即购买

型号：FOD4108SD 编号：C899279

封装：SMD-6P