DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用节省电路板空间的DIP-4封装。可将低压逻辑与120V AC、240V AC和380V AC线路隔离，以控制电阻性、电感性或电容性负载，包括电机、螺线管、大电流晶闸管或三端双向可控硅和继电器。

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型号：4N46-300E 编号：C39556289

封装：DIP-6-300mil

品牌：Broadcom(博通)

4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管，该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻，该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流，并将多余的基极驱动电流泄放到地，因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比，第二级基极可外接，从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容，以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。

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型号：ICE2QR2280Z 编号：C5361080

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET®- Q1系列是第一代准谐振集成电源IC，针对离线开关模式电源应用进行了优化，如LCD显示器、DVD读写器、DVD组合机、蓝光DVD、机顶盒等。使MOSFET开关在准谐振模式下工作，预计SMPS的EMI更低、效率更高，并且次级二极管上的电压应力更低。基于BiCMOS技术，CoolSET®- Q1系列的IC电源具有较宽的工作范围（高达25V）和较低的功耗。它还具有许多优点，如在非常低的负载下仍能进行准谐振操作，提高了系统的平均效率；有源突发模式操作，可在待机模式下实现超低功耗，且输出电压纹波小且可控。

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型号：FOD3120TV 编号：C899242

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：FOD3182V 编号：C899269

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：CNY64A 编号：C5158084

封装：DIP-4

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，以满足最高安全要求。

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型号：IL4208 编号：C7469107

封装：DIP-6

IL420 和 IL4208 由一个光学耦合的 GaAs 红外发光二极管和一个带有集成噪声抑制和非零交叉功能的光敏晶闸管系统组成。该晶闸管系统能够实现低至 1 mA 的触发电流，并具有大于 10 kV/μs 的 dV/dt 比率以及高达 800 V 的负载电压。IL420 和 IL4208 是一种完美的微控制器友好型解决方案，用于将低压逻辑与 120 VAC、240 VAC 和 380 VAC 高压线路隔离，并控制电阻性、电感性或电容性交流负载，如电机、电磁阀、高功率晶闸管、TRIAC 或固态继电器。

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型号：TLP3546A(TP1,F 编号：C2152246

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3546A 和 TLP3546AF 光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电 MOSFET 组成。它采用 6 引脚 DIP 封装。TLP3546A 和 TLP3546AF 的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用

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型号：SPE15S60E-DZ 编号：C51037309

封装：DIP-28-DBC

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：高压高速电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于低侧短路（过流）、低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

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型号：SPE15S60E-D 编号：C52976371

封装：DIP-28-DBC

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：高压高速电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于低侧短路（过流）、低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

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型号：FOD4208S 编号：C899304

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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型号：HCPL-3760-000E 编号：C6795981

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：HCNR201 编号：C6267442

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高线性模拟光耦合器由高性能AlGaAs LED组成，该LED为两个紧密匹配的光电二极管提供照明。输入光电二极管对LED的光输出进行监测，从而使其稳定。因此，实际上可以消除LED的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与LED光输出呈线性关系的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。高线性模拟光耦合器在各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号。通过适当设计应用电路，高线性模拟光耦合器能够以多种不同模式工作，包括单极/双极、交流/直流和反相/同相。高线性模拟光耦合器是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。

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型号：IKCM20L60GDXKMA1 编号：C3615444

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备EMI安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

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型号：ZSPC-817-Z2 编号：C7497255

封装：SMD

是一款 DIP-4 引脚封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成；光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，产品广泛应用于电源设备上，例如手机充电器，家电产品电源供应器等。

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型号：CYPC817(D-TP2) 编号：C3018786

封装：SOP-4-2.54mm

CYPC817是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，两种材料（铜脚、铁脚，铜脚尾缀-G）三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

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型号：CYPC356(C-TP) 编号：C970348

封装：SOP-4-2.54mm

CYPC356是一块小外形的贴片光电耦合器件，适合表面贴装生产。CYPC356是由一个砷化镓发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器，它的体积比DIP小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器等。

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型号：CT3021(S)(T1) 编号：C191841

封装：SMD-6P

品牌：CT MICRO

由随机相位光电三端双向可控硅组成，该可控硅与砷化镓红外发射二极管光耦合，采用 6 引脚 DIP 封装，具有不同的引脚成型选项。

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￥0.778128 ￥1.3416
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￥0.510912 ￥1.0644
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￥0.359328 ￥0.9456
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￥0.277932 ￥0.7314

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型号：CYPS2701-1(L-TP2) 编号：C385055

封装：SOP-4-2.54mm

CYPs2701是一块小外形的贴片光电藕合器件，适合表面贴装生产。由一个砷化发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器，它的体积比DIP小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器等。

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型号：VO615A 编号：C17346322

封装：DIP-4

VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：OR-MOC3043 编号：C3031043

封装：DIP-6

品牌：Orient(奥伦德)

该系列设备由一个砷化镓红外发光二极管与一个单片硅零电压交叉光控三端双向可控硅光耦合而成。它们设计用于逻辑系统接口中的分立功率三端双向可控硅，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器。

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型号：ZOS-T1305-A02(ZD) 编号：C457839

封装：DIP-4

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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￥1.1289
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型号：CYMOC3022 编号：C3018791

封装：DIP-6

CYMOC302X, CYMOC305X 系列产品由一颗 GaAs 红外二极管和一颗光电 TRIAC 组成光电耦合器件。

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￥1.2419
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型号：ZSOS-R0705-A08 编号：C5337526

封装：DIP-4

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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￥1.2514
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￥0.9894
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型号：ZSOS-T1305-D02 编号：C5337544

封装：DIP-4

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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￥1.2643
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￥0.971
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￥0.8587
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￥0.7186
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￥0.6562
5000+
￥0.6187

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型号：CYMOC3052 编号：C3018795

封装：DIP-6

CYMOC302X, CYMOC305X 系列产品由一颗 GaAs 红外二极管和一颗光电 TRIAC 组成光电耦合器件。

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￥1.3016
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￥0.9942
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型号：OR-MOC3021 编号：C370894

封装：DIP-6

品牌：Orient(奥伦德)

消费级该系列器件包含一个红外发光二极管和光电探测器。不含卤素和Sb₂O₃。

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￥1.0289
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型号：ZSOS-T1204-A01 编号：C5337541

封装：DIP-4

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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￥1.4079
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型号：CYMOC3083 编号：C3018803

封装：DIP-6