DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MOC3051D 编号：C7472403

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1000V/us 随机相位三端双向可控硅开关驱动器光耦合器 MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。这些

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型号：ZGY150-F2(ITR) 编号：C277756

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：KMOC3023 编号：C136463

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

是光隔离双向可控硅 (TRIAC) 驱动器件。这些系列包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光激活硅双向开关，其功能类似于双向可控硅 (TRIAC)。它们设计用于电子控制器和功率双向可控硅 (TRIAC) 之间的接口，以控制 115 VAC 工作电压下的电阻和电感负载。

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型号：MOC3053 编号：C20612446

封装：DIP-6

品牌：KTP(科泰普)

由一个砷化镓红外发光二极管与一个单片硅随机相位光电三端双向可控硅光耦合组成。它们设计用于电子控制和功率线路之间的接口，以控制115至240VAC操作的电阻性和电感性负载。

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型号：ZGY20403(ITR) 编号：C277739

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：CYMOC3051 编号：C7589061

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

CYMOC302X, CYMOC305X 系列产品由一颗 GaAs 红外二极管和一颗光电 TRIAC 组成光电耦合器件。

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型号：PS2561L-1-V-F3-A 编号：C17267998

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），PS2561L-1为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。PS2561L2-1为表面贴装的宽引脚弯曲型。

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型号：TCET1103 编号：C17486598

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：VO617A-2X017T 编号：C17500773

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110℃，具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。这些耦合器端部可堆叠，间距为2.54mm。选择选项6和选项8可实现>8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805)，适用于高达400Vₚ₋ₚ或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：OR-6N137 编号：C282486

封装：DIP-8

品牌：Orient(奥伦德)

6N137由高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和高速光检测器组成。这种设计为光电耦合器的输入端和输出端之间提供了良好的交流和直流隔离。光电检测器的输出特性为集电极开路的肖特基钳位晶体管

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型号：ZGY20005(ITR) 编号：C277746

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：XD74LS166 编号：C707102

封装：DIP-16

品牌：XINLUDA(信路达)

8位移位寄存器与大多数其他TTL逻辑系列兼容。所有输入均经过缓冲，以将驱动要求分别降低到一个74LS系列标准负载。输入钳位二极管可最大程度地减少开关瞬变并简化系统设计。这些并行输入、串行输入、串行输出移位寄存器在单片芯片上具有77个等效门

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型号：SN74LS126N(LX) 编号：C22384764

封装：DIP-14

品牌：LX(灵星芯微)

SN74LS126是具有三态输出的4路缓冲器/线驱动器，由输出使能输入(nOE)控制。当nOE为低电平时，输出呈现高阻态。输出内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过Vcc的电压。

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型号：SFH615AY-X019T 编号：C3009254

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH615XXX的特点是电流传输比范围大、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器采用砷化镓（GaAs）红外发光二极管作为发射端，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：KAQY216 编号：C136449

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

是坚固耐用的单刀单掷常开（1 Form A）开关，适用于电信和接地故障应用，可在许多应用中替代机电继电器。采用GaAlAs LED进行驱动控制，开关输出采用集成单片芯片。该芯片采用高压介质隔离技术制造，由光电二极管阵列、开关控制电路和MOSFET开关组成。

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型号：SFH6186-5 编号：C128926

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。

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型号：SFH6106-3X001T 编号：C17274923

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：TLP2962F(TP4,F) 编号：C4153773

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。满足8mm的PC板间距要求。

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型号：MOC3021TVM 编号：C899786

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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￥4.4444 ￥5.42
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型号：SFH615A-2X019T 编号：C7603882

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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￥4.47
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型号：PS2561DL2-1Y-A 编号：C17270925

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2561D - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2561D - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），而PS2561DL - 1是用于表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

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型号：SFH6106-1X001T 编号：C6901

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH610A（DIP）和 SFH6106（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器有一个砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料 DIP - 4 或 SMD 封装。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：H11AA4M 编号：C258254

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。

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型号：TCDT1124 编号：C17493025

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

TCDT1120(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

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型号：MOC3042SM 编号：C606032

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥5.2392 ￥8.88
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型号：SFH6286-4T 编号：C6668612

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH628A（DIP）和SFH6286（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓（GaAs）红外发射二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥5.38
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￥5.26
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￥5.17

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型号：MOC3082M 编号：C136560

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥3.74

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型号：MOC3052TVM 编号：C899827

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥5.6592 ￥7.86
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￥2.3504 ￥4.52

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型号：TLP3052A(D4TP1,F 编号：C28260533

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥5.87
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￥5.01
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型号：MOC3042M 编号：C16037

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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