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CYPC357是一块小外形的贴片光电耦合器件，适合表面贴装生产。CYPC357是由一个砷化镓发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器，它的体积比DIP小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器等。

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型号：CYTLP185(BL-TP) 编号：C7589069

封装：SOP-4

CYTLP185是一块小外形的贴片光电耦合器件，适合表面贴装生产。CYTLP185是由一个砷化镓发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器，它的体积比DIP小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器等。

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型号：MOC3021 编号：C48997852

封装：DIP-6

品牌：KTP(科泰普)

MOC3021由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。产品应用于电磁阀控制、温度控制、电机控制和静态交流电源开关等。

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型号：CYMOC3020 编号：C47115515

封装：DIP-6

302X, CYMOC305X系列产品由一颗GaAs红外二极管和一颗光电TRIAC组成光电耦合器件

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型号：ZGY9608-F(ITR) 编号：C277753

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：CYMOC3023 编号：C3018793

封装：DIP-6

CYMOC302X, CYMOC305X 系列产品由一颗 GaAs 红外二极管和一颗光电 TRIAC 组成光电耦合器件。

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型号：ZSOS-R1106-03 编号：C5337527

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：ZSOS-T1306-02-F34 编号：C5337546

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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型号：VO617A-9X017T 编号：C17321711

封装：SMD-4P

额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

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型号：VO617A-2X017T 编号：C17500773

封装：SMD-4P

额定温度为110℃，具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。这些耦合器端部可堆叠，间距为2.54mm。选择选项6和选项8可实现>8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805)，适用于高达400Vₚ₋ₚ或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：XD1413 编号：C556278

封装：DIP-16

品牌：XINLUDA(信路达)

开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic)：3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic)：1.1V@500uA,350mA 输出漏电流(Icex@Vce)：50uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi)：930uA@3.85V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic)：100uA@500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR)：50uA@50V 嵌位二

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型号：Aip2803DA18.TB 编号：C5139007

封装：DIP-18

品牌：I-CORE(中微爱芯)

AiP2803是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动电路。电路内部设计有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。AiP2803的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

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型号：CNY173M 编号：C391249

封装：DIP-6

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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型号：CNY75C 编号：C118290

封装：DIP-6

CNY75A、CNY75B、CNY75C、CNY75GA、CNY75GB、CNY75GC 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

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型号：OB2269CAP 编号：C107220

封装：DIP-8

品牌：OB(昂宝)

是一款高度集成的电流模式PWM控制IC，针对高性能、低待机功耗和高性价比的离线反激式转换器应用进行了优化。PWM开关频率在正常工作时可通过外部编程设置，并可微调至较窄范围。在无负载或轻负载条件下，IC以扩展突发模式运行，以最小化开关损耗，从而实现更低的待机功耗和更高的转换效率。VDD低启动电流和低工作电流有助于实现可靠的上电启动设计，因此可在启动电路中使用大阻值电阻以降低待机功耗。内部斜率补偿可提高系统大信号稳定性，并减少高PWM占空比输出时可能出现的次谐波振荡。电流检测输入上的前沿消隐功能可消除由于缓冲电路二极管反向恢复引起的信号毛刺，这有助于减少应用中的外部元件数量和系统成本

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型号：CNY17F3M 编号：C258229

封装：DIP-6

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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型号：MCT2EM 编号：C258259

封装：DIP-6

MCT2XXX 系列光绝缘体包括一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双线内封装。

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型号：XD293-16 编号：C556263

封装：DIP-16

品牌：XINLUDA(信路达)

高压推挽四通道二极管驱动器高压推挽四通道二极管驱动器

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型号：6N136-L 编号：C194516

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6 由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

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型号：SFH6106-5T 编号：C3008979

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选择选项 6 和选项 8 时，爬电距离和电气间隙距离 >8.0mm。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400Vₚ₋ₚ 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：KAQY214 编号：C136415

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

KAQY214系列性能稳定，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用镓铝砷（GaAlAs）发光二极管进行驱动控制，并使用集成单片管芯作为开关输出

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型号：TCDT1124 编号：C17493025

封装：DIP-6

TCDT1120(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

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型号：MCT62SD 编号：C258242

封装：SMD-8P