DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：SFH610A-3X007T 编号：C3009209

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合装置由 GaAs 红外二极管发射器和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙，该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400 VRMS 或直流的工作电压。

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型号：MOC3062TVM 编号：C899839

封装：DIP-6

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：MOC3042SM 编号：C606032

封装：DIP-6

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：CYHCPL3120 编号：C3018816

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL3120是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：CYHCPL2531 编号：C20417303

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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型号：HCPL-2531-C1L0 编号：C19185356

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

这类晶体二极管型光耦在LED与集成光敏接收器之间用一绝缘层来保证输入与输出间的电器隔离。光电二极管和输出晶体管集电极分别给予偏置电压，可以使常规光敏晶体管的速度提高。

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型号：TBD62783APG 编号：C146380

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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型号：VOT8121AB-T1 编号：C6349878

封装：SMD-4P

由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用节省电路板空间的DIP-4封装。可将低压逻辑与120VAC、240VAC和380VAC线路隔离，以控制阻性、感性或容性负载，包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅和继电器。

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型号：74C923WN 编号：C398068

封装：DIP-20

品牌：HGSEMI(华冠)

CMOS 键编码器提供了对单极单掷开关阵列进行完全编码所需的所有逻辑。键盘扫描可以通过外部时钟或外部电容来实现。这些编码器还具有片上上拉器件，允许使用导通电阻高达 50 kΩ 的开关。开关阵列中不需要二极管来消除幻影开关

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型号：FOD3184TV 编号：C899275

封装：DIP-8

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：SPE05S60T-A 编号：C51037304

封装：DIP-23A-FP

·信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU ·内置自举二极管 ·内置欠压保护 ·内部集成温度检测输出 ·绝缘耐压1500V

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型号：HCPL4503M 编号：C115130

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：ILQ621GB 编号：C5342966

封装：DIP-16

ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压

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型号：HCPL-3700-000E 编号：C692043

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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￥21.26
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￥19.02

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型号：SPE10S60E-AZ 编号：C52976374

封装：DIP-28FP

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/10A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：高压高速电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于低侧短路（过流）、低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

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型号：SPE10S60F-A 编号：C52976369

封装：DIP-25-FP

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/10A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。 ·故障信号：对应于短路（过流）和VP1电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。 ·温度检测：NTC检测输出和IC内部检测输出。

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￥35.757 ￥39.73
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￥30.573 ￥33.97
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￥27.405 ￥30.45
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￥24.75 ￥27.5

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型号：SPE20S60F-E 编号：C51037311

封装：DIP-25-DBC