DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD-4P

额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合，并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

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型号：ITR20005 编号：C163698

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

由红外发光二极管和 NPN 硅光电晶体管组成，并排封装在黑色热塑性外壳中，光轴汇聚。光电晶体管仅接收红外 LED 的辐射，这是正常情况。但当有物体处于两者之间时，光电晶体管无法接收辐射。

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型号：HCPL-3150-C1H0 编号：C48392934

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

应用于工业逆变器、不间断电源、感应加热和隔离 IGBT/功率MOSFET栅极驱动等。 HCPL-3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/ 20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管以光学方式耦合到具有高速驱动器的集成电路，以实现推挽式MOSFET输出级。

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型号：6N138-L 编号：C571211

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速操作。如有需要，可将 Vcc 和 Vo 端子连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子可进行增益带宽调整。

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型号：TCET1102G 编号：C499488

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：SFH6106-3 编号：C2974188

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400 VRMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。

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型号：CNY17-2 编号：C5273033

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发射二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成的光耦合对。可以传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可在许多数字接口应用以及 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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型号：TLP2962F(TP4,F) 编号：C4153773

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。满足8mm的PC板间距要求。

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型号：MOC3061TVM 编号：C899834

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：SFH6206-2 编号：C143678

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于 400V_RMS 或直流的工作电压。

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型号：MOC3082M 编号：C136560

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：SFH6186-3 编号：C7470697

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。

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型号：MOC3042M 编号：C16037

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：ILD621GB 编号：C2926932

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压

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型号：TLP719(D4-TP,F) 编号：C393901

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs高输出发光二极管和高速探测器组成。这是一款6引脚SDIP封装产品，比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽层，可有效抗共模噪声瞬变，适用于嘈杂的环境条件。

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型号：HCPL2531M 编号：C899497

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：H11F1M 编号：C899456

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

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型号：74C923WN 编号：C398068

封装：DIP-20

品牌：HGSEMI(华冠)

CMOS 键编码器提供了对单极单掷开关阵列进行完全编码所需的所有逻辑。键盘扫描可以通过外部时钟或外部电容来实现。这些编码器还具有片上上拉器件，允许使用导通电阻高达 50 kΩ 的开关。开关阵列中不需要二极管来消除幻影开关

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型号：CNY65 编号：C5273037

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

CNY64、CNY65 和 CNY66 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，在输入和输出之间提供大于 3 mm 的间距，以满足最高安全要求。

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型号：HCNW2601-000E 编号：C5756493

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCNW2611-000E 编号：C188688

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：IL300-DEFG 编号：C222518

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

由一个AlGaAs红外发光二极管（IRLED）照射一个隔离的反馈和一个输出PIN光电二极管组成，采用分叉式排列。反馈光电二极管捕获LED光通量的一部分并产生一个控制信号，可用于控制LED驱动电流。这种技术补偿了LED的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个与LED产生的伺服光通量线性相关的输出信号。输入-输出耦合器增益（K3）的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保，这些二极管能精确跟踪LED的输出光通量。

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型号：SPE10S60F-A 编号：C52976369

封装：DIP-25-FP

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/10A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。 ·故障信号：对应于短路（过流）和VP1电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。 ·温度检测：NTC检测输出和IC内部检测输出。

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￥24.75 ￥27.5

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型号：FOD4108SDV 编号：C899280

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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￥37.27
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￥31.72
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￥28.34

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型号：HCNR200 编号：C7284975

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高线性模拟光耦合器由高性能AlGaAs LED组成，该LED为两个紧密匹配的光电二极管提供照明。输入光电二极管对LED的光输出进行监测，从而使其稳定。因此，实际上可以消除LED的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与LED光输出呈线性关系的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。高线性模拟光耦合器在各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号。通过适当设计应用电路，高线性模拟光耦合器能够以多种不同模式工作，包括单极/双极、交流/直流和反相/同相。高线性模拟光耦合器是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。

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￥72.52
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型号：ATLS6A201D 编号：C7501668

封装：DIP

品牌：ATI(恒光)

产品参数：ATLSXA201D系列二极管激光驱动器是CWD-01-V2激光驱动器的升级替代版，启动时间更短：仅需要4mS，而CWD-01-V2需100mS启动。这款二极管激光驱动器专为驱动低噪声恒流高效的激光二极管而设计。产品型号：ATLSXA201D;高效：≥90;最大输出电流：500mA，1A, 2A, 3A, 4A, 6A;电流输出噪声：0.05%;高稳定性：100ppm/℃;高可靠性以及防电磁干扰; 　　尺寸小巧;