DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。

1+
￥29.17
10+
￥27.68
30+
￥26.77
100+
￥26

有货

立即购买

型号：VO617A-9 编号：C17665436

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

5+
￥0.9452
50+
￥0.9262
200+
￥0.9135

有货

立即购买

型号：AT4N37-CuH-D 编号：C22396197

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N37是一款由发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。六引脚封装（DIP6、 SMD6）。广泛应用于：电源调节器、数字逻辑输入、微处理输入。

5+
￥1.1908
50+
￥0.9413
130+
￥0.8344
520+
￥0.701
2470+
￥0.6416
6500+
￥0.6059

订货

我要订货

型号：VO617A 编号：C5241902

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

110℃额定的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。

数据手册

5+
￥1.5096
50+
￥1.2255
200+
￥1.0417

有货

立即购买

型号：CTT2223 编号：C191940

封装：DIP-7

品牌：CT MICRO

随机相位功率三端双向可控硅开关元件由一个三端双向可控硅开关元件和一个光控三端双向可控硅开关元件组成，后者与砷化镓红外发射二极管进行光耦合，并封装在一个7引脚DIP封装中。它还提供不同的引脚成型选项。

数据手册

1+
￥1.7112 ￥3.72
10+
￥1.1952 ￥3.32
40+
￥0.8112 ￥3.12
80+
￥0.7618 ￥2.93
480+
￥0.7306 ￥2.81

有货

立即购买

型号：KP40101C 编号：C920668

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

KP4010系列由一个光电达林顿管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。集电极 - 发射极电压为300V。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点

数据手册

5+
￥2.0171
50+
￥1.6643
200+
￥1.5131

有货

立即购买

型号：SFH6206-1T 编号：C7509627

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥2.29
10+
￥2.24
30+
￥2.2

有货

立即购买

型号：SFH617A-3 编号：C2979746

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

数据手册

5+
￥2.2924
50+
￥1.8255
200+
￥1.5699

有货

立即购买

型号：SFH601-3 编号：C5334352

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

具有 GaAs 红外发射二极管发射器，光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并采用塑料 DIP-6 封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

1+
￥2.34
10+
￥2.29
50+
￥2.25

有货

立即购买

型号：SFH601-2 编号：C3009765

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-6封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电隔离电路之间的信号传输。

1+
￥2.5
10+
￥2.45
30+
￥2.41

有货

立即购买

型号：SFH617A-4 编号：C19136284

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具备高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特性。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥2.57
10+
￥2.51
30+
￥2.47

有货

立即购买

型号：CNY17F-1 编号：C19078474

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器由砷化镓红外发射二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插件 DIP-6 封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比，F 型的基极端未连接，从而显著提高了共模干扰抗扰度。

1+
￥3.07
10+
￥3
65+
￥2.95

有货

立即购买

型号：SFH620A-2 编号：C3008899

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于 400Vₐₙₛ 或直流的工作电压。

数据手册

1+
￥3.33
10+
￥3.24
30+
￥3.18

有货

立即购买

型号：SFH620A-3X001 编号：C3009245

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805)标准，适用于400Vᵣₘₛ或直流的工作电压。

1+
￥3.76
10+
￥3.06
30+
￥2.71

有货

立即购买

型号：SFH617A-4X016 编号：C145216

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

110℃ 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

1+
￥3.79
10+
￥3.72
30+
￥3.67

有货

立即购买

型号：SFH618A-2 编号：C19181005

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm，可端对端堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8 mm。

1+
￥3.86
10+
￥3.77
30+
￥3.7

有货

立即购买

型号：SFH615A-4 编号：C3000800

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

SFH615A 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。

数据手册

1+
￥4.22
10+
￥3.38
30+
￥2.96
100+
￥2.43

有货

立即购买

型号：PS2501-1-L-A 编号：C17304905

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），还有用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

1+
￥4.61
10+
￥4.51
30+
￥4.44

有货

立即购买

型号：SFH628A-2 编号：C19114205

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发光二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6可实现>8mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。

1+
￥4.86
10+
￥4.75
30+
￥4.68

有货

立即购买

型号：PS2502-1-A 编号：C22416454

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），另一种为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

1+
￥9.14
10+
￥8.94
30+
￥8.81

有货

立即购买

型号：6N135-000E 编号：C2925073

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。部分型号适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用

数据手册

1+
￥9.34
10+
￥7.88
50+
￥6.23

有货

立即购买

型号：SFH617A-3X006 编号：C511007

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

数据手册

1+
￥11.01
10+
￥9.33
30+
￥8.27

有货

立即购买

型号：PS2533-1-A 编号：C5334520

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2533 - 1和PS2533L - 1是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅达林顿连接光电晶体管。PS2533 - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），PS2533L - 1为表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

数据手册

1+
￥18.78
10+
￥16
30+
￥14.26

有货

立即购买

型号：HCPL-7721-000E 编号：C2925075

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗的出色性能。仅需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED供电。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

数据手册

1+
￥26.82
10+
￥26.27
50+
￥22.07

有货

立即购买

型号：ASSR-4120-502E 编号：C6800675

封装：DIP-8-300mil

品牌：Broadcom(博通)

博通ASSR - 41xx系列由一个与高压输出检测电路光耦合的砷化铝镓红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。单通道配置的ASSR - 4110和ASSR - 4111相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR - 4120相当于2个A型EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装可供选择。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有明确规定。它们用于信号和低功率交流/直流负载的通用开关。ASSR - 4111支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流Io增加到0.24A，导通电阻R(ON)降至8.5Ω。

1+
￥36.25
10+
￥31.18
30+
￥28.08

有货

立即购买

型号：PVT412APBF 编号：C538628

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。适用于工业控制和电信外围设备应用。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册