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首页 > 热门关键词 > DIP二极管
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由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用6引脚DIP封装,有不同的引脚成型选项。
数据手册
  • 100+

    ¥0.715
  • 500+

    ¥0.66
  • 3000+

    ¥0.616
  • 10000+

    ¥0.605
CT785系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成,采用双列直插式封装(DIP)。
数据手册
  • 5+

    ¥0.6243
  • 50+

    ¥0.4981
  • 200+

    ¥0.4349
  • 有货
  • 由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合而成,采用6引脚DIP封装,有不同引脚成型选项。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2336
    • 10+

      ¥0.9564
    • 50+

      ¥0.8376
  • 有货
  • 4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38、H11A1、H11A2、H11A3、H11A4、H11A5系列产品由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用6引脚DIP封装,有不同的引脚成型选项。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.65
    • 500+

      ¥0.6
    • 3000+

      ¥0.56
    • 10000+

      ¥0.55
    CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8,DIP8-M和SMD8三种封装形式。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥4.94
    • 50+

      ¥4.25
    • 100+

      ¥3.71
    • 500+

      ¥3.39
    • 1000+

      ¥3.22
  • 订货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.9
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥2
    • 125+

      ¥1.67
    • 500+

      ¥1.52
    • 1000+

      ¥1.42
  • 订货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm,可端部堆叠。选项 6 的爬电距离和电气间隙 > 8 mm。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准,适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2662
    • 50+

      ¥1.7917
    • 200+

      ¥1.4659
    • 500+

      ¥1.2121
    • 2500+

      ¥1.0991
    • 4000+

      ¥1.0313
  • 订货
  • 是由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成的光耦合器,采用塑料插入式 DIP-6 封装。耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与其他系列相比,F 型的基极端未连接,从而大大提高了共模干扰抗扰度。
    数据手册
    • 单价:

      ¥3.87769 / 个
    该产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器具有砷化镓红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并集成在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.13
    • 10+

      ¥2.48
    • 30+

      ¥2.21
  • 有货
  • 110°C 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器光学耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现 >8.8min 的爬电距离和电气间隙。
    数据手册
    • 20+

      ¥16.079822
    • 100+

      ¥13.87279
    • 1000+

      ¥12.769272
    PS2503 - 1和PS2503L - 1是光耦合隔离器,包含一个砷化镓(GaAs)发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2503 - 1采用塑料双列直插式封装(DIP,Dual In - line Package),PS2503L - 1为表面贴装的弯引脚(鸥翼型)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.15
    • 10+

      ¥7.97
    • 30+

      ¥7.85
  • 有货
  • 4N2X、4N3X 系列器件均由一个红外发光二极管与一个光电晶体管光耦合组成。它们采用 6 引脚 DIP 封装,有宽引脚间距可选,也提供 SMD 封装形式。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2381
    • 10+

      ¥0.9761
    • 30+

      ¥0.8637
    • 132+

      ¥0.7031
    • 528+

      ¥0.6407
    • 990+

      ¥0.6032
  • 订货
  • 由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器组成,采用塑料插件 DIP-6 封装。适用于两个电气隔离电路之间的信号传输,耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比,F 型的基极端未连接,显著提高了共模干扰抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.17
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥2.08
    • 100+

      ¥2.04
  • 订货
  • MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用,采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.81752 / 个
    FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。 该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。 它具有3级参考电压,容差 = 2%,1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。 它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。 它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时,电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。 严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。 该器件采用8引脚DIP白色封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥4.24368 / 个
    是一款光耦合器,采用 GaAlAs 红外发射二极管,通过光学方式与集成光电探测器耦合,该探测器由光电二极管和高速晶体管组成,采用 DIP-8 塑料封装。该器件与 6N135 类似,但在探测器上增加了一个法拉第屏蔽层,增强了输入-输出 dV/dt 抗扰度。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输,最高频率可达 2 MHz。这是工业通信总线隔离以及 IPM(智能功率模块)驱动器等隔离驱动电路应用的理想解决方案。
    • 1+

      ¥7.62
    • 10+

      ¥7.34
    • 50+

      ¥7.15
    • 100+

      ¥6.96
  • 订货
  • FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级:2%,1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时,电源设计者可以减少组件数量,节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥5.55036 / 个
    FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关使用两个逆向并联 SCR 形成,构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管,可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥7.76832 / 个
    HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距选项和弯引脚贴片(SMD)选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms
    • 单价:

      ¥3.045531 / 个
    包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用 6 引脚 DIP 封装,有宽引脚间距选项和引脚弯曲 SMD 选项。集电极-发射极电压高于 70V。响应时间 tr 通常为 5μs,在输入电流为 10mA 时,最小电流传输比为 40%。
    • 1+

      ¥7.48
    • 10+

      ¥6.27
    • 65+

      ¥5.6
    • 130+

      ¥4.85
    • 520+

      ¥4.52
    • 975+

      ¥4.36
  • 订货
  • FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关使用两个逆向并联 SCR 形成,构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥7.76832 / 个
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥11.92212 / 个
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥7.75596 / 个
    FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管,该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关,形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥13.2468 / 个
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥12.75756 / 个
    FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥12.75756 / 个
    FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管,该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关,形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥13.76532 / 个
    FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管,该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关,形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥14.739 / 个
    FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管,该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关,形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.12
    • 10+

      ¥25.89
    • 30+

      ¥22.42
    • 100+

      ¥19.88
    • 500+

      ¥18.7
    • 1000+

      ¥18.18
  • 订货
  • CT521 - 1GB由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成,采用DIP封装。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.5655
    • 500+

      ¥0.522
    • 3000+

      ¥0.4872
    • 10000+

      ¥0.4785
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