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首页 > 热门关键词 > DIP二极管
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光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流
型号：SFH618A-4 编号：C5224102
封装：DIP-4
品牌：VISHAY(威世)
具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。
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    光电耦合器，光电晶体管输出，无基极连接
    型号：MOC8101-X017T 编号：C3009175
    封装：DIP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    光耦合器由砷化镓红外发光二极管与硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP-6封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。基极端未连接，可显著提高共模干扰抗扰度。

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    高速光耦合器
    型号：6N136 编号：C5241880
    封装：DIP-8
    品牌：VISHAY(威世)
    是一种光耦合器，具有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。
    数据手册

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    4引脚DIP封装光电晶体管光电耦合器
    型号：PC817C 编号：C20612449
    封装：DIP-4
    品牌：KTP(科泰普)
    PC817系列器件均由一个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器光耦合组成。它们采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。

    • 20+

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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：CYPC817B 编号：C385061
    封装：DIP-4
    品牌：OCIC(卓睿科)
    CYPC817是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。
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      ￥0.2362

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    DC 5kV
    型号：QX817B-CuH-D 编号：C49023640
    封装：DIP-4
    品牌：NQUNXIN(群芯微电子)
    是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，四种形式（DIP、DIP-M、SMD、SLM）。

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    光电耦合器，砷化镓红外发光二极管与光电晶体管
    型号：TLP185(TPR,SE 编号：C26805120
    封装：SO-6
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。

    • 5+

      ￥1.58

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      ￥1.37

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      ￥1.16
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：SL3053 编号：C2904414
    封装：DIP-6
    品牌：Slkor(萨科微)
    由高效AlGaAs发光二极管和单片硅随机相光电可控硅组成，采用塑料DIP6封装。设计用于电子控制与功率可控硅之间的接口，以控制负载。
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH615A-2 编号：C2925143
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料 DIP-4 封装中。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压。
    数据手册

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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：VO618A-3 编号：C142630
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    额定温度为110℃，具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并集成在塑料DIP-4封装中。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为2.54mm。选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。
    数据手册

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    高可靠性，光电晶体管输出型光耦合器
    型号：SFH617A-4 编号：C19136284
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具备高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特性。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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    光电耦合器，光电晶体管输出，无基极连接
    型号：CNY17F-3 编号：C553959
    封装：DIP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    是一种光耦合器，由砷化镓红外发射二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比，F 型的基极端未连接，从而显著提高了共模干扰抗扰度。

    • 1+

      ￥2.97

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    光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流
    型号：SFH618A-5 编号：C7470699
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8mm。

    • 1+

      ￥4.09

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      ￥3.32

    • 30+

      ￥2.93
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    AC,DC 4.42kV
    型号：SFH628A-3 编号：C19078481
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。有砷化镓红外发射二极管，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离大于8mm。该版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，可实现400VRMS或直流的工作电压下的加强绝缘。

    • 1+

      ￥4.63

    • 10+

      ￥4.53

    • 40+

      ￥4.46
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    光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，低输入电流
    型号：SFH628A-2 编号：C19114205
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发光二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6可实现>8mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。

    • 1+

      ￥4.86

    • 10+

      ￥4.75

    • 30+

      ￥4.68
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TLP627-4(F) 编号：C2987290
    封装：DIP-16
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由一个红外发光二极管和一个达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。
    数据手册

    • 1+

      ￥24.59

    • 10+

      ￥20.84

    • 25+

      ￥18.61
  • 有货
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    DC 5kV
    型号：PC817C(DIP-4) 编号：C50176486
    封装：DIP-4
    品牌：SEP(威旺)
    由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

    • 20+

      ￥0.1099

    • 200+

      ￥0.1074

    • 600+

      ￥0.1058
  • 有货
    • 立即购买
    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：GX817C 编号：C2684622
    封装：DIP-4
    品牌：国芯佳品
    由红外发光二极管组成，光耦合到光电晶体管探测器。它们采用 4 引脚 DIP 封装，有宽引脚间距和 SMD 选项。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1228

    • 200+

      ￥0.12

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    • 2000+

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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：GX817MC 编号：C2684623
    封装：DIP-4
    品牌：国芯佳品
    由红外发射二极管和光电晶体管探测器光耦合组成，采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1621

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      ￥0.1553
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    K10101D D档
    型号：K10101D 编号：C248366
    封装：DIP-4
    品牌：Cosmo(冠西)
    由红外发光二极管组成，光耦合到光电晶体管探测器。它们采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD选项。

    • 10+

      ￥0.26586 ￥0.3798

    • 100+

      ￥0.1818 ￥0.303

    • 300+

      ￥0.1323 ￥0.2646

    • 1000+

      ￥0.1179 ￥0.2358

    • 6000+

      ￥0.1064 ￥0.2128

    • 9000+

      ￥0.10065 ￥0.2013
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    光耦合器，光电晶体管输出，5300VRMS
    型号：VO617A 编号：C5241902
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    110℃额定的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5096

    • 50+

      ￥1.2255

    • 200+

      ￥1.0417
  • 有货
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    光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管
    型号：TLP185(Y-TPL,SE 编号：C17666883
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

    • 5+

      ￥1.58

    • 50+

      ￥1.37

    • 150+

      ￥1.28

    • 500+

      ￥1.16
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    交流输入，光电晶体管输出型光耦合器
    型号：SFH6206-1T 编号：C7509627
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

    • 1+

      ￥2.29

    • 10+

      ￥2.24

    • 30+

      ￥2.2
  • 有货
    • 立即购买
    DC 5kV
    型号：SFH601-3 编号：C5334352
    封装：DIP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    具有 GaAs 红外发射二极管发射器，光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并采用塑料 DIP-6 封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.34

    • 10+

      ￥2.29

    • 50+

      ￥2.25
  • 有货
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    光电耦合器，光电晶体管输出，无基极连接
    型号：CNY17F-3X016 编号：C17235291
    封装：DIP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    CNY17F是一款光耦合器，由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器通过光耦合组成，采用塑料直插式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压

    • 1+

      ￥2.38

    • 10+

      ￥2.32

    • 50+

      ￥2.28
  • 有货
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    5.3kV
    型号：SFH601-2 编号：C3009765
    封装：DIP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-6封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电隔离电路之间的信号传输。

    • 1+

      ￥2.5

    • 10+

      ￥2.45

    • 30+

      ￥2.41
  • 有货
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    光电耦合器，光电晶体管输出，无基极连接
    型号：CNY17F-1 编号：C19078474
    封装：DIP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    光耦合器由砷化镓红外发射二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插件 DIP-6 封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比，F 型的基极端未连接，从而显著提高了共模干扰抗扰度。

    • 1+

      ￥3.07

    • 10+

      ￥3

    • 65+

      ￥2.95
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    交流输入，光电晶体管输出型光耦合器
    型号：SFH620A-2 编号：C3008899
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于 400Vₐₙₛ 或直流的工作电压。
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    高可靠性，光电晶体管输出型光耦合器
    型号：SFH617A-3X016 编号：C5273047
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    110°C 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器光学耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现 >8.8min 的爬电距离和电气间隙。
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    高速光耦合器，晶体管输出
    型号：SFH6136 编号：C17565851
    封装：DIP-8
    品牌：VISHAY(威世)
    SFH6135和SFH6136光耦合器具有高信号传输速率和高绝缘电阻的特点。它们采用GaAIAs红外发光二极管，与由光电二极管和高速晶体管组成的集成光电探测器进行光耦合，封装形式为DIP - 8塑料封装。信号可在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达2 MHz

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