DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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￥55.86
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￥48.38
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￥43.83

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型号：PVT322PBF 编号：C538625

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是双极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。采用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

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￥92.11
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型号：TLP185(BL,SE 编号：C5121286

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.92
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￥2.8

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型号：PS2565-1-A 编号：C17304143

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含砷化镓发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），PS2565L-1 是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼式），PS2565L1-1 是宽引脚弯曲型，PS2565L2-1 是用于表面贴装的宽引脚弯曲型。

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￥4.37
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型号：HCPL-817-00AE 编号：C17514602

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。输入输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr典型值为4μs，在输入电流为5mA时最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥4.68
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型号：ACPL-847-000E 编号：C7501744

封装：DIP-16

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合，采用8引脚DIP封装。同样，有一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合，采用16引脚DIP封装。两款光耦合器都有宽引脚间距选项和引脚弯曲的贴片式（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥5.49
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型号：PS2502-1-A 编号：C22416454

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），另一种为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：HCNW136-000E 编号：C6795879

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用，在IF = 16mA时，这些器件的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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￥12.13
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型号：FOD420 编号：C463480

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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￥15.01
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型号：PS2533L-1-F3-A 编号：C5334517

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个GaAs发光二极管和一个NPN硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料DIP（双列直插式封装），另一种是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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￥17.78
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型号：PS2533-1-A 编号：C5334520

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2533 - 1和PS2533L - 1是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅达林顿连接光电晶体管。PS2533 - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），PS2533L - 1为表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

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￥18.78
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￥16
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￥14.26

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型号：HCPL-2531-300E 编号：C17343237

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。

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￥18.92
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￥18.5
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￥18.23

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型号：PS2502-4-A 编号：C22415312

封装：DIP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），另一种为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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￥27.54
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￥26.94
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￥26.54

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型号：ASSR-V622-502E 编号：C5570511

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列专为驱动高功率MOSFET而设计，由一个与输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可通过串联连接2个通道使光伏电压加倍，或通过并联连接2个通道使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

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￥33.97
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￥33.1
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￥32.52

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型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C4153779

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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￥0.7785
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型号：HCPL-814-000E 编号：C3018547

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

包含一个光电晶体管，光耦合到两个反向并联连接的发光二极管。可以通过交流输入电流直接操作。采用 4 引脚 DIP 封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲 SMD 选项。输入输出隔离电压为 5000 Vrms。响应时间 tr 通常为 4 μs，在输入电流为 ±1 mA 时最小电流传输比 (CTR) 为 20%。

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￥2.25
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￥2.2
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型号：SFH615A-3X006 编号：C5224105

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm，可端部堆叠。选项 6 的爬电距离和电气间隙 > 8 mm。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压。

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4000+
￥1.1655
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型号：KP10200E 编号：C136437

封装：DIP-8

品牌：Cosmo(冠西)

KP1020系列由一个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器光耦合组成。它们采用8引脚双列直插式（DIP）封装，提供宽引脚间距和贴片（SMD）可选封装。

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型号：ELR0223 编号：C367224

封装：DIP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

ELRX223 系列器件均由一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管组成，该二极管与一个单片硅随机相位光控三端双向晶闸管和一个主输出三端双向晶闸管进行光耦合。它们专为电子控制器与负载之间的接口而设计，用于控制 115 至 240 VAC 工作的感性负载。这些器件采用 8 引脚双列直插式封装（DIP），也提供表面贴装（SMD）选项

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￥3.26
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￥2.56
45+
￥2.14
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￥1.76
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￥1.6
990+
￥1.5

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型号：SFH610A-3 编号：C7433255

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件由砷化镓红外二极管发射器和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料DIP-4或SMD封装。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为2.54mm。选项6和选项8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙，该版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。

35+
￥2.480504
100+
￥2.170188

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型号：TLP185(GRL-TPL,E 编号：C3018644

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥4.32
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￥3.45
30+
￥3.02

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型号：PVT212PBF 编号：C538617

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计，采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥103.89
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￥103.88

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型号：CT817B-H 编号：C127187

封装：DIP-4

品牌：CT MICRO

CT817系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管通过光耦合组成，采用4引脚DIP封装，具有不同的引脚成型选项。

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￥0.156
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￥0.144
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型号：CT521GB 编号：C191862

封装：DIP-4

品牌：CT MICRO

CT521 - 1GB由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用DIP封装。

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￥0.522
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￥0.4872
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￥0.4785

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型号：ELR2223 编号：C18164727

封装：DIP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

ELRX223 系列器件均由一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管组成，该二极管与一个单片硅随机相位光控三端双向晶闸管和一个主输出三端双向晶闸管进行光耦合。它们专为电子控制器与负载之间的接口而设计，用于控制 115 至 240 VAC 工作的感性负载。这些器件采用 8 引脚双列直插式封装（DIP），也提供表面贴装（SMD）选项

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