DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：MOC8102 编号：C19168905

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104系列光耦合器由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压

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型号：HCPL-817-00AE 编号：C17514602

封装：DIP-4

包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。输入输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr典型值为4μs，在输入电流为5mA时最小电流传输比（CTR）为50%。

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型号：ACPL-847-000E 编号：C7501744

封装：DIP-16

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合，采用8引脚DIP封装。同样，有一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合，采用16引脚DIP封装。两款光耦合器都有宽引脚间距选项和引脚弯曲的贴片式（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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型号：TLP185(BL-TPR,SE 编号：C7495068

封装：SO6

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：PS2561D-1Y-A 编号：C17698547

封装：DIP-4

PS2561D - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2561D - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），而PS2561DL - 1是用于表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

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型号：ACPL-827-30BE 编号：C6795869

封装：DIP-8

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚DIP封装。是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚DIP封装。两种光耦合器都有宽引脚间距选项和引脚弯曲表面贴装（SMD）选项，输入输出隔离电压为5000Vrms。响应时间t(Γ)典型值为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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型号：HCNW136-000E 编号：C6795879

封装：DIP-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用，在IF = 16mA时，这些器件的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：FOD420 编号：C463480

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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型号：PS2533L-1-F3-A 编号：C5334517

封装：DIP-4

是光耦合隔离器，包含一个GaAs发光二极管和一个NPN硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料DIP（双列直插式封装），另一种是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：HCPL-2531-300E 编号：C17343237

封装：DIP-8

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。

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型号：PS2502-4-A 编号：C22415312

封装：DIP-16

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），另一种为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：ASSR-V622-502E 编号：C5570511

封装：DIP-8

该系列专为驱动高功率MOSFET而设计，由一个与输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可通过串联连接2个通道使光伏电压加倍，或通过并联连接2个通道使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

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型号：HCPL-7710-000E 编号：C2927819

封装：DIP-8

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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型号：K10101B 编号：C22381648

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

由红外发光二极管组成，光耦合到光电晶体管探测器。它们采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD选项。

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型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C4153779

封装：SOP-4

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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型号：HCPL-814-000E 编号：C3018547

封装：DIP-4

包含一个光电晶体管，光耦合到两个反向并联连接的发光二极管。可以通过交流输入电流直接操作。采用 4 引脚 DIP 封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲 SMD 选项。输入输出隔离电压为 5000 Vrms。响应时间 tr 通常为 4 μs，在输入电流为 ±1 mA 时最小电流传输比 (CTR) 为 20%。

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型号：KP10200E 编号：C136437

封装：DIP-8

品牌：Cosmo(冠西)

KP1020系列由一个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器光耦合组成。它们采用8引脚双列直插式（DIP）封装，提供宽引脚间距和贴片（SMD）可选封装。

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型号：TLP185(GRL-TPL,E 编号：C3018644

封装：SOP-4-2.54mm

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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1+
￥4.32
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￥3.45
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￥3.02

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型号：PS2565-1-A 编号：C17304143

封装：DIP-4

是光耦合隔离器，包含砷化镓发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），PS2565L-1 是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼式），PS2565L1-1 是宽引脚弯曲型，PS2565L2-1 是用于表面贴装的宽引脚弯曲型。

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￥4.26
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型号：KP10400E 编号：C920666

封装：DIP-16

品牌：Cosmo(冠西)

KP1040 系列由一个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器光耦合组成。它们采用 16 引脚 DIP 封装，有宽引脚间距和 SMD 可选封装。

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型号：PS2501-1-K-A 编号：C17373935

封装：DIP-4

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），还有用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：PS2561DL1-1Y-V-A 编号：C17658875

封装：DIP-4