DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MOC8101-X017T 编号：C3009175

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器由砷化镓红外发光二极管与硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP-6封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。基极端未连接，可显著提高共模干扰抗扰度。

1+
￥5.21
10+
￥4.14
30+
￥3.61
100+
￥3.09

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型号：H11D1 编号：C5334388

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

采用GaAs红外发光二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料DIP-6封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

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1+
￥12.32
10+
￥10.43
50+
￥9.25

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型号：SFH6345 编号：C7500575

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

SFH6345是一款光耦合器，采用GaAlAs红外发光二极管，与由光电二极管和高速晶体管组成的集成光电探测器进行光耦合，采用DIP - 8塑料封装。该器件与6N135类似，但探测器上额外增加了一个法拉第屏蔽层，可增强输入 - 输出的dV/dt抗扰度。信号可在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达2 MHz

1+
￥15.12
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￥12.79
50+
￥11.34

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型号：HCPL-7710-500E 编号：C6570033

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

1+
￥35.12
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￥29.83
30+
￥26.68

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型号：PVG612APBF 编号：C538597

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

PVG612A系列光伏继电器是一种单极常开固态继电器，可以在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司的专有HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光伏发电机光学隔离。这些装置在工作寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场的不敏感性和坚固性方面超过了机电继电器的性能能力。紧凑型PVG612A特别适用于从12到48伏交流或直流电源的高电流隔离切换。PVG612A系列继电器采用6引脚模塑DIP封装，提供通孔或表面贴装（鸥翼型）端子。它们可提供标准塑料运输管或卷带包装。

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单价：
￥69.62 / 个

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型号：CYPC817D 编号：C3018787

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

CYPC817是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，两种材料（铜脚、铁脚，铜脚尾缀-G）三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

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10+
￥0.1472
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￥0.1439
300+
￥0.135
1000+
￥0.1328

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型号：PC817C 编号：C20612449

封装：DIP-4

品牌：KTP(科泰普)

PC817系列器件均由一个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器光耦合组成。它们采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。

20+
￥0.217
200+
￥0.1665
600+
￥0.1384
2000+
￥0.1216
10000+
￥0.107
20000+
￥0.0992

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型号：CYPC817A 编号：C7589065

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

CYPC817是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，两种材料（铜脚、铁脚，铜脚尾缀-G）三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

10+
￥0.2589
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￥0.2047
300+
￥0.1776

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型号：K20101B 编号：C136431

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

K2010系列由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的光电晶体管探测器组成。它们采用6引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。

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1+
￥0.3642 ￥1.214
10+
￥0.19264 ￥0.9632
65+
￥0.08557 ￥0.8557
130+
￥0.07215 ￥0.7215
520+
￥0.06618 ￥0.6618
975+
￥0.0626 ￥0.626

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型号：TLP785(D4-GB,F 编号：C9199

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

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5+
￥1.9187
50+
￥1.5232
200+
￥1.3537
500+
￥1.1422
2000+
￥1.048
4000+
￥0.9915

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型号：SFH615A-2 编号：C2925143

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料 DIP-4 封装中。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压。

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50+
￥1.161
500+
￥1.075
1000+
￥1.032
5000+
￥0.989
10000+
￥0.9632

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型号：VO618A-3 编号：C142630

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110℃，具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并集成在塑料DIP-4封装中。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为2.54mm。选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。

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1+
￥2.65
10+
￥2.11
30+
￥1.88

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型号：HCPL-817-00BE 编号：C2927830

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距选项和弯引脚贴片（SMD）选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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1+
￥3.68
10+
￥3.6
30+
￥3.55

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型号：MCT9001 编号：C899753

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MCT9001 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。

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1+
￥3.93
10+
￥3.19
50+
￥2.82

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型号：SFH618A-5 编号：C7470699

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8mm。

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￥4.09
10+
￥3.32
30+
￥2.93

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型号：SFH628A-3 编号：C19078481

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。有砷化镓红外发射二极管，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离大于8mm。该版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，可实现400VRMS或直流的工作电压下的加强绝缘。