QFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：QFN-72(10x10)

是一个系统级封装，为驱动三相应用提供集成解决方案。它嵌入了一个具有 Arm 32 位 Cortex-M0+ CPU 的 MCU (STM32G031x8x3) 和一个 600 V 三重半桥栅极驱动器，能够驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。器件中集成了一个具有先进 smartSD 功能的比较器，可确保对过载和过流进行快速有效的保护。还集成了高压自举二极管，以及上下驱动部分的防交叉导通（互锁）、死区时间和欠压锁定 (UVLO) 保护，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。高低侧部分之间的匹配延迟保证无周期失真。集成的 MCU 基于高性能 32 位 Arm Cortex-M0+ 内核，工作频率高达 64 MHz，并具有内存保护单元 (MPU)，可增强应用程序的安全性

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型号：RT8012AGQW 编号：C147966

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8012A是一款双路PWM、电流模式、同步降压转换器。其输入电压范围为2.6V至5.5V,具有固定的1.2MHz开关频率,允许使用高度不超过2mm的小型低成本电容和电感。每个输出电压均可调,范围为0.8V至最高输出电压。内置低导通电阻开关,无需外部肖特基二极管,支持100%占空比运行,提高效率并延长电池寿命。具有独立的使能和电源良好引脚,便于控制两个转换器的上电顺序。

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型号：EMC2104-BP-TR 编号：C621409

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款符合SMBus标准的风扇控制器，具有多达五个（最多4个外部和1个内部）温度通道。风扇驱动器可以通过两种方法操作，每种方法有两种模式。这些方法包括基于RPM的风扇速度控制算法和直接驱动设置。模式包括手动编程所需设置或使用内部可编程温度查找表根据测量温度选择所需设置。温度监测器提供1℃的精度（适用于外部二极管），具有先进的功能，可减少处理器中常见的衬底热二极管晶体管的串联电阻和β变化引入的误差。还包括硬件可编程温度限制和专用系统关断输出，用于关键电路的热保护。

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型号：MASTERGAN4LTR 编号：C22071978

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

一款先进的功率系统级封装产品，集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压，嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能，防止功率开关在低效率或危险条件下运行，联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。

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型号：MASW-000834-13560T 编号：C2925420

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：MACOM

MASW-000834是一种SPDT宽带、高线性度、共阳极PIN二极管T/R开关，适用于0.05-6.0GHz的应用，包括WiMAX和WiFi。该设备采用行业标准的4mmPQFN塑料封装。

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型号：MADT-011000-TR1000 编号：C3188142

封装：PQFN-16(3x3)

品牌：MACOM

MADT-011000 是一款单端、内部匹配的射频检波器，具有宽输入带宽和高动态范围。电路在4.5 V电源下消耗70 μA电流，同时匹配检测器和参考二极管提供差分操作中的温度补偿。该射频检波器采用3 mm 16引脚QFN封装，并具有ESD保护，以提高可靠性和易于处理。

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型号：LTC3555EUFD-1#PBF 编号：C685022

封装：QFN-28-EP(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

是高度集成的USB兼容电源管理和电池充电IC，适用于锂离子/聚合物电池应用。它们包括一个高效的限流开关PowerPath管理器，具有自动负载优先级、电池充电器、理想二极管和三个通用同步降压开关稳压器。限制USB应用的输入电流为100mA或500mA，适配器供电应用为1A。与线性充电器不同，开关架构将USB端口的几乎所有可用功率传输到负载，损耗和热量极小，减轻了小空间内的热限制

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型号：TDA387250000AUMA1 编号：C5955844

封装：QFN-36(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款易于使用、完全集成且高效的直流-直流调节器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS FET使该调节器成为小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速瞬态响应。是一款多功能调节器，可在宽输入和输出电压范围内工作，提供从400kHz到2MHz（步长为200kHz，不包括1600kHz）的可编程开关频率，并提供八种独特的可选电流限制

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型号：ZSSC3240CI3W 编号：C1870393

封装：QFN-24(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

传感器信号调理IC，用于高精度放大、数字化和电阻式传感器信号的特定校正。适用于桥式和半桥式传感器，以及由片上电流源供电的外部电压源元件和单元件传感器（如Pt100和外部温度传感器二极管）。通过一个26位数学核心运行校正算法，利用存储在非易失性、可重编程存储器中的校准系数，实现传感器偏移、灵敏度、温度漂移和非线性的数字补偿。可编程的集成传感器前端允许为广泛的应用优化应用各种传感器

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型号：LT3571EUD#PBF 编号：C459891

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3571是一款电流模式升压型DC/DC转换器，旨在为光接收器中的雪崩光电二极管（APD）提供偏置，输出电压高达75V。LT3571具备高端固定压降APD电流监测器，在整个温度范围内相对精度优于10%。集成的功率开关、肖特基二极管和APD电流监测器使得解决方案占板面积小且成本低

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型号：RT8816AGQW 编号：C3031674

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8816A是一款2/1相同步降压PWM控制器，专为高性能图形微处理器进行了优化，并通过PWMVID接口支持英伟达（nVidia）OVR2规格。该IC将恒定导通时间（COT）PWM控制器、两个内置自举二极管的MOSFET驱动器，以及通道电流平衡和保护功能（包括过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）、电流限制和热关断）集成到3x3 WQFN-20L封装中。RT8816A采用RDS(ON)电流检测技术

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型号：MM32SPIN160C 编号：C5182257

封装：QFN-32

品牌：MindMotion(灵动微)

使用高性能的 ARM Cortex-M0 为内核的 32 位微控制器，5V 输出的 LDO 稳压器、三组具备有自举二极管的 N 通道半桥栅极驱动器。MCU 最高工作频率可达 72MHz，内置高速存储器，丰富的增强型 I/O 端口和外设连接到外部总线。包含 1 个 12 位的 ADC、1 个比较器、1 个 16 位通用定时器、1 个 32 位通用定时器、3 个 16 位基本定时器、1 个 16 位高级定时器。还包含标准的通信接口：1 个 I2C 接口、1 个 SPI 接口和 1 个 UART 接口。

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型号：IR3553MTRPBF 编号：C386327

封装：QFN-25-EP(4x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3553集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET封装在一起。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在先进CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率

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型号：ISL29501IRZ-T7 编号：C695458

封装：QFN-24(4x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款基于飞行时间（ToF）的信号处理集成电路。该传感器与外部发射器和探测器结合使用时，可实现低成本、低功耗和远距离的光学距离感应。内置电流DAC电路，可驱动外部LED或激光。发射的调制光从目标反射后被光电二极管接收，光电二极管将返回的信号转换为电流，供进行信号处理。片上数字信号处理器（DSP）计算飞行时间，与目标距离成正比。配备I²C接口，用于配置和控制。使用外部光电二极管和发射器，用户可针对性能、功耗和距离测量范围优化系统设计，以适应其工业设计。波长无关，允许在更适合应用的情况下使用其他光波长。

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型号：XR76205EL-F 编号：C1355677

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MaxLinear(迈凌)

XR76203、XR76205 和 XR76208 是同步降压稳压器，它们将控制器、驱动器、自举二极管和 MOSFET 集成在一个封装中，用于负载点供电。XR76203、XR76205 和 XR76208 的负载电流额定值分别为 3A、5A 和 8A。5V 至 40V 的宽输入电压范围允许采用行业标准的 24V±10%（18V - 36V）单电源供电，以及经整流的 18VAC 和 24VAC 轨供电

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型号：ISL95870BHRZ-T 编号：C7543853

封装：QFN-EP-20

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL95870、ISL95870A、ISL95870B 集成电路是单相同步降压 PWM 稳压器，采用了英特矽尔（Intersil）专有的 R⁴ 技术。3.3V 至 25V 的宽输入电压范围，非常适合使用电池或交流适配器电源的系统。ISL95870A 和 ISL95870B 是需要动态选择压摆率控制输出电压应用的低成本解决方案。软启动和动态设定点压摆率由电容编程。电压识别逻辑输入可选择四个（ISL95870A、ISL95870B）电阻编程的设定点参考电压，这些电压可直接将转换器的输出电压设定在 0.5V 至 1.5V 之间，通过反馈分压器可将输出电压设定至最高 5V。与 R³ 调制器相比，R⁴ 调制器具有相当的轻载效率、更快的瞬态响应性能、精确调节的频率控制和全内部补偿。这些改进，再加上集成的 MOSFET 驱动器和肖特基自举二极管，使得该稳压器性能卓越、高度紧凑且所需外部元件极少。输出电压差分远程感测和可选开关频率是另外两项新功能。为实现最高效率，转换器在轻载条件（如系统待机）下会自动进入二极管仿真模式（DEM）。

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型号：LTC7891RUFDM#TRPBF 编号：C3167572

封装：QFN-28-EP(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7891是一款高性能降压型直流 - 直流开关稳压器控制器，可驱动由最高100V输入电压供电的全N沟道同步氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级。LTC7891解决了使用GaN FET时传统上面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）解决方案相比，LTC7891简化了应用设计，无需保护二极管和其他额外的外部元件

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￥22.9068 / 个

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型号：AZC015-04F.R7G 编号：C369733

封装：QFN-6E(1.6x1.6)

品牌：AMAZING(晶焱)

AZC015-04F是一款高性能、低成本的产品，它包含浪涌额定二极管阵列，用于保护高速数据接口。AZC015-04F系列专为保护连接到数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过电压影响。AZC015-04F采用独特设计，在单个封装中集成了浪涌额定、低电容导向二极管和独特设计的钳位单元（相当于一个瞬态电压抑制（TVS）二极管）。在瞬态情况下，导向二极管将瞬态电流导向电源线或地线。内部独特设计的钳位单元可防止电源线上出现过电压，从而保护任何下游元件。AZC015-04F可满足IEC 61000-4-2标准4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

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￥0.932782
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型号：LT3571IUD#TRPBF 编号：C670927

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3571是一款电流模式升压型DC/DC转换器，旨在为光接收器中的雪崩光电二极管（APD）提供偏置，输出电压高达75V。LT3571具备高端固定压降APD电流监测器，在整个温度范围内相对精度优于10%。集成的功率开关、肖特基二极管和APD电流监测器使得解决方案占板面积小且成本低

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型号：HMC1056LP4BE 编号：C579527

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC1056LP4BE 是一款紧凑型 I/Q MMIC 混频器，采用无铅 SMT 封装，可作为镜像抑制混频器或单边带上变频器使用。该混频器利用两个标准的 Hittite 双平衡混频器单元和一个 90 度混合器，采用 GaAs Schottky 二极管工艺制造。

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￥256.7484 / 个

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型号：AOZ5311NQI 编号：C22441857

封装：QFN-31L(5x5)

品牌：AOS

是一款高效同步降压功率级模块，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端MOSFET经过优化，可实现低电容和栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。提供了许多特性，使其成为一款高度通用的电源模块。自举开关集成在驱动器中。低端MOSFET可以驱动进入二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。引脚布局也针对低寄生效应进行了优化，将其影响降至最低。

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￥7.51
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型号：ESDA24P140-1U3M 编号：C3702408

封装：QFN-3(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

ESDA24P140-1U3M是一款单向单线TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

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￥1.27
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￥1.24

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型号：LTC3412AEUF#TRPBF 编号：C580723

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC3412A 是一款高效率的单片同步降压DC/DC转换器,采用恒定频率电流模式架构。它的工作输入电压范围为2.25V至5.5V,提供0.8V至5V的调节输出电压,最大输出电流为3A。内部同步功率开关具有77mΩ的导通电阻,提高了效率并消除了对外部肖特基二极管的需求。开关频率可通过外部电阻设置,范围为300kHz至4MHz。

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￥59.067137
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￥55.785629
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￥48.128777
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￥44.300353

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型号：LTC2952CUF#PBF 编号：C683765

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC2952是一款电源管理器件，具备三项主要功能：系统电源的按钮开/关控制、理想二极管PowerPath™控制器以及系统监控。LTC2952的按钮输入可实现系统电源的开/关控制，其开启和关闭消抖时间可独立调节。一个包含中断信号的简单微处理器接口，可在系统断电前进行适当的系统内务处理

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￥38.7936 / 个

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型号：TSL25213M 编号：C17407882

封装：QFN-6(2x1)

品牌：ams(艾迈斯半导体)

TSL2521具备环境光感应以及闪烁检测功能。该器件采用低轮廓、小尺寸的OLGA封装，尺寸为长2.0mm×宽1.0mm×高0.5mm。环境光感应功能提供两个并行的环境光感应通道，可通过可编程多路复用器任意连接到光电二极管

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￥14.06
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￥13.75
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￥13.54
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￥13.33

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型号：TPS54719RTER 编号：C202185

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS54719 是一款 6V 输入、7A 输出的异步降压转换器,具有两个集成的 MOSFET,支持 200kHz 至 2MHz 的开关频率。该器件集成了启动电容二极管,减少了外部元件数量,同时通过电流模式控制降低了电感器的尺寸。它采用 3mm x 3mm 热增强 QFN 封装,提供 ±1.5% 的电压基准精度。

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￥6.27
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型号：LTC7890RUJM#PBF 编号：C22426142

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7890是一款高性能双路降压型直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有N沟道同步氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级，其输入电压最高可达100V。LTC7890解决了使用GaN FET时传统上面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）解决方案相比，LTC7890简化了应用设计，无需保护二极管和其他额外的外部组件

单价：
￥36.9252 / 个

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型号：LTC3603EUF#PBF 编号：C685167

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC3603 是一款高效的单片同步降压型 DC/DC 转换器，采用恒定频率、电流模式架构。它的输入电压范围为 4.5V 至 15V，可提供 0.6V 至 14.5V 的可调稳压输出电压，同时可提供高达 2.5A 的输出电流。内部同步功率开关的导通电阻为 45mΩ，可提高效率，且无需外部肖特基二极管

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￥42.6276 / 个

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型号：HMC506LP4ETR 编号：C661867

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC506LP4ETR 是一个GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。工作频率范围为7.8到8.7 GHz，相位噪声性能优异，输出功率为+14 dBm。

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￥209.495 / 个

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型号：HMC506LP4E 编号：C1558211

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC506LP4E 是一个GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。工作频率范围为7.8到8.7 GHz，相位噪声性能优异，输出功率为+14 dBm。

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