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首页 > 热门关键词 > QFN二极管
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设计用于从高输入电压源或承受高电压瞬变的输入轨进行调节,最大限度地减少对外部浪涌抑制组件的需求。在输入电压低至6V的骤降期间继续运行,必要时占空比接近100%,适用于工业控制、机器人、数据通信和射频功率放大器应用。强制PWM(FPWM)操作消除频率变化以最小化EMI,同时用户可选的二极管仿真功能可降低轻载条件下的电流消耗。通过测量低端MOSFET两端的电压降或使用可选的电流检测电阻来实现逐周期过流保护。高达1MHz的可调开关频率可同步到外部时钟源,以消除对噪声敏感的应用中的拍频。
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    ¥11.03
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    ¥8.33
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    ¥7.27
  • 有货
  • VCNL4030X01 将接近传感器(PS)、环境光传感器(ALS)和高功率红外发射二极管(IRED)集成于一个小型封装中。它采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,将光电二极管、放大器和模数转换电路集成到单芯片上。16 位高分辨率的环境光传感器具备出色的感应能力,有足够的选项来满足大多数应用需求,无论是暗光环境还是高透明度镜片设计
    数据手册
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      ¥17.22
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      ¥14.75
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      ¥12.71
  • 有货
  • MPQ2166是一款内部补偿的双路PWM同步降压稳压器,其输入电压范围为2.7V至6V,可产生低至0.6V的输出电压。MPQ2166可配置为2A/2A或3A/1A输出电流的稳压器,由于其静态电流低至60μA,非常适合为单节锂离子(Li+)电池供电的便携式设备供电。MPQ2166集成了两个导通电阻为55mΩ的高端开关和导通电阻为20mΩ的同步整流器,无需外部肖特基二极管即可实现高效率
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      ¥27.281
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      ¥25.2329
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      ¥22.3655
  • 有货
  • 是一款低噪声四通道跨阻放大器(TIA),带宽为220MHz。其低噪声、高跨阻和低功耗特性,非常适合使用雪崩光电二极管(APD)的激光雷达接收器。该放大器具有74kΩ的跨阻增益和30µA的线性输入电流范围。使用总电容为2pF的APD输入电路时,在200MHz下输入电流噪声密度为4.5pA/√Hz
    数据手册
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      ¥123.53
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      ¥92.5908 ¥99.56
  • 有货
  • DCDC升压,电源输入3V~7V,输出5V以内方案,MP3424A是一款高效率、同步升压转换器,支持输出断开和最小启动电流。它具有2V到5.5V的输入电压范围,3V到5.5V的输出电压范围,最大输出电流可达3.1A。内置P沟道同步整流器提高了效率,无需外部肖特基二极管。580kHz的固定开关频率允许使用小型外部组件,内部软启动和补偿简化了设计。
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      ¥11.9611
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      ¥9.1756
  • 有货
  • MP2110是一款单片降压开关模式转换器,集成了输入限流开关。该降压转换器集成了一个主开关和一个同步整流器,无需外部肖特基二极管即可实现高效率。输入平均电流限制可通过外部进行编程
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      ¥20.3174
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      ¥18.2576
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      ¥17.0404
  • 有货
  • 该产品是一款固定频率、恒流的红外 (IR) LED 驱动器,具备集成的人眼安全功能。其输入电压 (VIN) 范围为 6V 至 42V,可配置为降压或降压-升压模式,分别实现高达 3A 和 2.4A 的峰值电流 (ILED_PEAK),非常适合驱动一个或两个 IR LED。该产品采用先进的 BCD FET 技术,提供超低导通电阻 (RDS(ON)) 的 MOSFET,其中高端 MOSFET (HS-FET) 为 44mΩ,低端 MOSFET (LS-FET) 为 40mΩ,可将欧姆损耗降至最低。与传统的带肖特基二极管的非同步架构相比,系统总损耗最多可提高 10 倍,使系统运行更凉爽且效率显著提高。该产品可支持 10Hz 至 2kHz 的脉冲宽度调制 (PWM) 调光频率范围,与需要 30fps、60fps 或 120fps 调光的 IR LED 应用兼容。恒频滞环控制模式可提供极快的瞬态响应,无需环路补偿
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      ¥28.428
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      ¥25.3968
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      ¥23.8402
  • 有货
  • 是一款集成TVS二极管的低通滤波器阵列。旨在抑制便携式电子设备中不需要的EMI/RFI信号,并提供静电放电(ESD)保护。该先进设备采用硅雪崩技术,具有出色的钳位性能和直流电气特性。针对手机和其他便携式电子产品中的彩色LCD面板保护进行了优化
    数据手册
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      ¥1.6763
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      ¥1.4668
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      ¥1.377
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      ¥1.265
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      ¥1.1553
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      ¥1.1254
  • 有货
  • GXTR304是一款兼容SMBus及I²C接口的高精度、低功耗数字温度传感器。除芯片所在的本地温度外,最多可同时监测四个远程二极管所在区域的远程温度。GXTR304的典型应用场景是对MCU、GPU和FPGA等复杂系统进行实时远程温度监测。GXTR304具有串联电阻消除、可编程因子校正、可编程温度失调校正和可编程温度门限等功能,提供了一种高精度、低功耗的可靠温度监测解决方案。
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      ¥3.93
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      ¥2.73
  • 有货
  • 是一款升压转换器,用于从单节锂离子电池驱动白光发光二极管 (WLED) 阵列。采用电流模式、固定频率架构来调节 LED 电流,该电流通过外部电流检测电阻进行测量。其低 200mV 反馈电压可降低功耗并提高效率。如果因开路情况而出现过压情况,将关闭。包括欠压锁定、电流限制和热过载保护,可防止在输出过载时损坏。提供小型 5 引脚 TSOT23 和 8 引脚 QFN (2mm x 3mm) 封装。
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      ¥19.1705
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      ¥17.8396
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      ¥16.4669
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      ¥13.9273
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      ¥11.3876
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      ¥10.8859
  • 订货
  • LT3482是一款带有倍压器的固定频率电流模式升压型DC/DC转换器,专为偏置光接收器中的雪崩光电二极管(APD)而设计。它可提供高达90V的输出。LT3482具备高端APD电流监测功能,在整个温度范围内相对精度优于10%
    数据手册
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      ¥38.07
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      ¥37.24
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      ¥36.69
  • 有货
  • 是一款用于单节锂离子/聚合物电池应用的微功率、高度集成的电源管理和电池充电IC。它包括一个具有自动负载优先级的电源路径管理器、一个电池充电器、一个理想二极管和众多内部保护功能。专为USB应用设计,电源管理器自动将输入电流限制为最大100mA或500mA。电池充电电流会自动降低,以确保负载电流和充电电流之和不超过所选的输入电流限制。还包括一个同步降压调节器、一个低压差线性调节器 (LDO) 和一个按钮控制器。在待机模式下启用所有电源时,从电池汲取的静态电流仅为12μA。
    数据手册
    • 1+

      ¥38.7024 ¥43.98
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      ¥33.4488 ¥38.01
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      ¥30.2456 ¥34.37
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      ¥27.5528 ¥31.31
  • 有货
  • LT3571是一款电流模式升压型DC/DC转换器,旨在为光接收器中的雪崩光电二极管(APD)提供偏置,输出电压高达75V。LT3571具备高端固定压降APD电流监测器,在整个温度范围内相对精度优于10%。集成的功率开关、肖特基二极管和APD电流监测器使得解决方案占板面积小且成本低
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      ¥39
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      ¥38.11
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      ¥37.52
  • 有货
  • LT3504由四个1A输出电流的降压稳压器组成。LT3504具有3.2V至40V的宽工作输入电压范围。片上升压稳压器使每个通道能够以高达100%的占空比运行,并消除了对外部四个电荷泵电路的需求。LT3504旨在最小化外部组件数量,从而简化并缩小应用电路。LT3504在故障条件下能够稳健运行。逐周期峰值电流限制和续流二极管电流限制感应可在过载条件下保护器件。热关断功能可在温度升高时保护功率开关。软启动有助于在启动过程中控制电感峰值电流。LT3504还具备输出电压跟踪和排序、可编程频率、可编程欠压锁定以及一个电源良好引脚,用于指示所有输出均处于调节状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥78.98
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      ¥76.41
    • 14+

      ¥74.1177 ¥76.41
  • 有货
  • I2C 可编程四通道单芯片升压发光二极管驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥79.0524 ¥94.11
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      ¥76.6836 ¥91.29
  • 有货
  • HMC386LP4 和 HMC386LP4E 是基于 GaAs InGaP 异质结双极晶体管 (HBT) 的单片微波集成电路 (MMIC) VCO,集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖 2.6 至 2.8 GHz 频段,具有出色的相位噪声性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥142.2189 ¥163.47
    • 10+

      ¥137.808 ¥158.4
  • 有货
  • 250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管
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      ¥2.94
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      ¥2.31
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      ¥1.7
  • 有货
  • IR3564B/70B是一款双环数字多相降压控制器,专为CPU电压调节设计,完全符合AMD SVI1 & SVI2 Rev 1.06和Intel VR12 Rev 1.5 PWM规范以及VR12.5 Rev 1.3 PWM规范。IR3564B/70B包含了IR的效率塑形技术,在整个负载范围内以最低成本提供卓越的效率。IR的动态相位控制根据负载电流增加或减少活动相位,并可以配置为自动或通过命令进入单相操作和二极管仿真模式。基于专有的非线性数字PWM算法,IR独特的自适应瞬态算法(ATA)最小化了输出大容量电容,而多次可编程(MTP)存储节省了引脚并实现了小封装尺寸。使用IR数字电源设计中心(DPDC)图形用户界面可以轻松定义设备配置和故障参数,并将其存储在片上MTP中。IR3564B/70B提供了广泛的过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过流保护(OCP)和过温保护(OTP)故障保护功能,并包括基于热敏电阻的温度感应与VRHOT信号。IR3564B/70B包含了许多特性,如寄存器诊断以加快设计周期和平台差异化,简化了VRD设计,并通过“设置即忘”方法实现最快的上市时间(TTM)。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.882 ¥58.28
    • 10+

      ¥30.6845 ¥55.79
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      ¥24.426 ¥54.28
    • 100+

      ¥23.85 ¥53
  • 有货
  • IR3840W是一款高效、易于使用的集成降压调节器,支持1.5V至16V的宽输入电压范围和0.7V至0.9*Vin的宽输出电压范围。它具有连续12A负载能力,内置自举二极管,可编程开关频率高达1.5MHz,具备多种保护功能,适用于服务器、网络通信、存储和计算等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.1032 ¥29.46
    • 10+

      ¥23.616 ¥28.8
    • 30+

      ¥20.4264 ¥28.37
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      ¥20.1096 ¥27.93
  • 有货
  • ZSSC3241是一款传感器信号调理IC(SSC),用于对电阻式传感器信号进行高精度放大、数字化处理以及特定于传感器的校正。ZSSC3241具备同类产品中最佳的传感器元件适配性,适用于桥式和半桥式传感器,以及由片上电流源供电的外部电压源元件和单元件传感器(如Pt100和外部温度传感器二极管)。通过一个26位数学核心运行校正算法,利用存储在非易失性、可重编程存储器中的校准系数,可实现对传感器偏移、灵敏度、温度漂移和非线性的数字补偿。为实现双域(模拟和数字)传感器解决方案的最佳适配性,该芯片支持对增益和偏移进行二次独立补偿,以及对数字输出独立的模拟输出进行校正。可编程的集成传感器前端允许为广泛的应用场景优化适配各种传感器。ZSSC3241可通过I2C、SPI或单线接口(OWI)提供测量值读取和编程功能。三种不同的操作模式可实现数字、数字 - 模拟和模拟输出智能传感器模块的优化开发,包括按需唤醒、连续开启/快速响应以及自动/循环传感器测量操作。ZSSC3241支持绝对和比例电压、电流环或中断模拟输出。模拟输出选项和数字接口选项(用于校准和/或数字应用接口)可以组合使用。
    数据手册
    • 1+

      ¥41.1
    • 10+

      ¥35.01
    • 30+

      ¥31.3
  • 有货
  • 是微功耗、高度集成的电源管理和电池充电IC,适用于单节锂离子/聚合物电池应用。它们包括一个具有自动负载优先级的PowerPath管理器、一个电池充电器、一个理想二极管和众多内部保护功能。专为USB应用设计,可自动将输入电流限制在最大100mA或500mA。电池充电电流会自动降低,以使负载电流和充电电流之和不超过所选的输入电流限制。还包括两个同步降压开关稳压器以及一个按钮控制器。在待机模式下启用所有电源时,从电池汲取的静态电流仅为10μA。
    数据手册
    • 1+

      ¥43.2682 ¥46.03
    • 10+

      ¥42.2154 ¥44.91
    • 30+

      ¥41.5104 ¥44.16
    • 100+

      ¥40.8054 ¥43.41
  • 有货
  • 是一款低噪声四通道跨阻放大器 (TIA),带宽为 600MHz。低噪声、宽线性范围和低功耗,适用于使用雪崩光电二极管 (APD) 和光电二极管 (PD) 的激光雷达接收器。具有可选的 22.2/16.7/11.1/5.55kΩ 跨阻增益 (RT) 和 90µA 线性输入电流范围。使用总输入电容为 0.5pF 的 APD 时,100MHz 时输入电流噪声密度为 1.8pA/√Hz,600MHz 时为 3.7pA/√Hz
    • 1+

      ¥136.102 ¥160.12
    • 30+

      ¥129.7695 ¥152.67
  • 有货
  • GaAs InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMIC VCO集成了谐振器、负阻器件、变容二极管,具有半频输出。由于振荡器的单片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺方面表现出色。从+5V电源获得的典型功率输出为+13 dBm。压控振荡器采用无铅QFN 5x5 mm表面贴装封装,无需外部匹配元件。
    • 1+

      ¥253.9704 ¥285.36
    • 30+

      ¥241.5816 ¥271.44
  • 有货
  • 是一款脉冲宽度调制器,适用于需要单向或双向驱动电路的热电冷却器(TEC)或加热器应用。所有必要的控制电路和两组互补输出驱动器集成在一起,以驱动全桥,为TEC提供高效的双向电流。只需添加几个外部组件,即可轻松实现精确的温度控制回路,以稳定激光二极管系统的温度,可实现典型的温度设定点精度为 0.1°C。增加一个仪表放大器前端可实现 0.01°C 的设定点稳定性。
    数据手册
    • 1+

      ¥340.6272 ¥354.82
    • 10+

      ¥328.9536 ¥342.66
  • 有货
  • 是用于N沟道增强型氮化镓(GaN)的高压半桥栅极驱动器。高端驱动器部分设计用于承受高达600V的电压轨,并可通过集成的自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配和集成LDO,使该驱动器针对高速氮化镓驱动进行了优化。具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源欠压锁定(UVLO)功能,同时完全支持硬开关并具有互锁功能,以避免交叉导通
    • 1+

      ¥18.18
    • 10+

      ¥17.78
    • 30+

      ¥17.51
  • 有货
  • 是一个系统级封装,为驱动三相应用提供集成解决方案。它嵌入了一个具有 Arm 32 位 Cortex-M0+ CPU 的 MCU (STM32G031x8x3) 和一个 600 V 三重半桥栅极驱动器,能够驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。器件中集成了一个具有先进 smartSD 功能的比较器,可确保对过载和过流进行快速有效的保护。还集成了高压自举二极管,以及上下驱动部分的防交叉导通(互锁)、死区时间和欠压锁定 (UVLO) 保护,可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。高低侧部分之间的匹配延迟保证无周期失真。集成的 MCU 基于高性能 32 位 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 64 MHz,并具有内存保护单元 (MPU),可增强应用程序的安全性
    • 1+

      ¥35.79
    • 10+

      ¥34.95
    • 30+

      ¥34.39
  • 有货
  • TDA38740/725是一款易于使用、高度集成且高效的直流-直流稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMoSTM FET使TDA38740/725成为一种占位面积小的解决方案,可实现高效的功率传输。此外,它采用了快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速瞬态响应
    • 1+

      ¥39.48
    • 10+

      ¥33.72
    • 30+

      ¥30.2
  • 有货
  • ISL6264是一款带有嵌入式栅极驱动器的双相降压控制器。双相降压控制器使用两个交错的通道,有效地将输出电压纹波频率加倍,从而减少输出电压纹波幅度,并且使用更少的组件、降低组件成本、减少功耗和减小占用面积。ISL6264也可以配置为单相控制器,适用于低功耗CPU应用。ISL6264的核心是Intersil的专利R³技术(Robust Ripple Regulator调制器)。与传统的多相降压调节器相比,R³技术具有最快的瞬态响应。这是由于在负载瞬变期间,R³调制器可以命令可变开关频率。为了延长电池寿命,ISL6264支持通过自动启用不同的操作模式来实现更深睡眠模式的PSI_L。在主动模式下的重负载操作时,调节器命令双相连续导通模式(CCM)操作。当在更深睡眠模式下断言PSI_L时,ISL6264平滑地禁用一个相位,并以单相二极管仿真模式(DE)运行,以在轻负载下最大化效率。一个6位数模转换器(DAC)允许动态调整核心输出电压,范围从0.375V到1.55V。ISL6264在主动模式下实现了0.5%的核心输出电压系统精度。提供了一个单位增益差分放大器用于远程CPU芯片检测。这使得能够根据AMD移动CPU规范准确测量和调节CPU芯片上的电压。电流检测可以通过无损耗电感DCR检测或精密电阻检测实现。单个NTC热敏电阻网络对DCR变化的增益和时间常数进行热补偿。
    数据手册
    • 1+

      ¥76.7096 ¥83.38
    • 10+

      ¥59.1876 ¥72.18
    • 30+

      ¥47.052 ¥65.35
    • 100+

      ¥42.9336 ¥59.63
  • 有货
  • HMC531LP5E 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO,集成了谐振器、负阻器件和变容二极管,提供半频和四分频输出。该 VCO 的相位噪声性能在温度、冲击和工艺变化下表现优异,输出功率为 +7 dBm,工作电压为 +5V。
    数据手册
    • 单价:

      ¥385 / 个
  • 有货
  • 这八通道CMOS模拟复用器/解复用器与RS2251功能引脚兼容,此外,还具有注入电流效应控制功能,在汽车应用中具有出色的价值,在这些应用中,超过正常电源电压的电压很常见。注入电流效应控制允许禁用的模拟输入通道上的信号超过电源电压,而不会影响启用的模拟通道的信号。这消除了通常用于将模拟通道信号保持在电源电压范围内的外部二极管/电阻网络的需求。该产品有绿色TSSOP16、QFN2.5X3.5-16和SOP16封装。它的工作环境温度范围为-40°C至 + 125°C。
    • 5+

      ¥1.5481
    • 50+

      ¥1.1953
    • 150+

      ¥1.0441
  • 有货
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