QFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

HMC799LP3ETR 是一款从 DC 到 700 MHz 的转阻放大器，设计用于光电激光传感器应用、FDDI 接收器和采用光学到电信号转换的接收系统。该放大器提供单端输出电压，与输入端的电流成正比。输入电流通常由光电二极管提供。

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型号：LTC7890RUJM#PBF 编号：C22426142

封装：QFN-40-EP(6x6)

LTC7890是一款高性能双路降压型直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有N沟道同步氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级，其输入电压最高可达100V。LTC7890解决了使用GaN FET时传统上面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）解决方案相比，LTC7890简化了应用设计，无需保护二极管和其他额外的外部组件

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型号：LTC3412AEUF#TRPBF 编号：C580723

封装：QFN-16-EP(4x4)

LTC3412A 是一款高效率的单片同步降压DC/DC转换器,采用恒定频率电流模式架构。它的工作输入电压范围为2.25V至5.5V,提供0.8V至5V的调节输出电压,最大输出电流为3A。内部同步功率开关具有77mΩ的导通电阻,提高了效率并消除了对外部肖特基二极管的需求。开关频率可通过外部电阻设置,范围为300kHz至4MHz。

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型号：LTC3603EUF#PBF 编号：C685167

封装：QFN-20-EP(4x4)

LTC3603 是一款高效的单片同步降压型 DC/DC 转换器，采用恒定频率、电流模式架构。它的输入电压范围为 4.5V 至 15V，可提供 0.6V 至 14.5V 的可调稳压输出电压，同时可提供高达 2.5A 的输出电流。内部同步功率开关的导通电阻为 45mΩ，可提高效率，且无需外部肖特基二极管

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型号：LTC2952CUF#PBF 编号：C683765

封装：QFN-20-EP(4x4)

LTC2952是一款电源管理器件，具备三项主要功能：系统电源的按钮开/关控制、理想二极管PowerPath™控制器以及系统监控。LTC2952的按钮输入可实现系统电源的开/关控制，其开启和关闭消抖时间可独立调节。一个包含中断信号的简单微处理器接口，可在系统断电前进行适当的系统内务处理

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型号：MIC45116-1YMP-T1 编号：C636530

封装：QFN-52(8x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC45116是一款20V/6A的同步降压DC/DC电源模块,具有高达6A的输出电流和93%的峰值效率。该模块采用独特的自适应导通时间控制架构,集成了DC/DC控制器、功率MOSFET、启动二极管、启动电容和电感,简化了设计和布局过程。支持安全启动到预偏置输出,具有热关断保护和短路保护。工作温度范围为-40°C至+125°C。

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型号：AOZ5311NQI 编号：C22441857

封装：QFN-31L(5x5)

品牌：AOS

是一款高效同步降压功率级模块，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端MOSFET经过优化，可实现低电容和栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。提供了许多特性，使其成为一款高度通用的电源模块。自举开关集成在驱动器中。低端MOSFET可以驱动进入二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。引脚布局也针对低寄生效应进行了优化，将其影响降至最低。

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型号：LTC3554EUD-3#TRPBF 编号：C685019

封装：QFN-20-EP(3x3)

是微功耗、高度集成的电源管理和电池充电IC，适用于单节锂离子/聚合物电池应用。它们包括一个具有自动负载优先级的PowerPath管理器、一个电池充电器、一个理想二极管和众多内部保护功能。专为USB应用设计，可自动将输入电流限制在最大100mA或500mA。电池充电电流会自动降低，以使负载电流和充电电流之和不超过所选的输入电流限制。还包括两个同步降压开关稳压器以及一个按钮控制器。在待机模式下启用所有电源时，从电池汲取的静态电流仅为10μA。

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型号：HMC385LP4E 编号：C1525947

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC385LP4E 是一款 GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖2.25到2.5 GHz频段，相位噪声性能优秀，单电源3V供电，典型输出功率为4.5 dBm。

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型号：HMC385LP4 编号：C1558242

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC385LP4 是一款 GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖2.25到2.5 GHz频段，相位噪声性能优秀，单电源3V供电，典型输出功率为4.5 dBm。

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型号：HMC390LP4E 编号：C1558209

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC390LP4E 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖3.55到3.9 GHz的频率范围，相位噪声性能优异。

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型号：HMC506LP4 编号：C1558212

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC506LP4 是一个GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。工作频率范围为7.8到8.7 GHz，相位噪声性能优异，输出功率为+14 dBm。

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￥203.44

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型号：HMC385LP4ETR 编号：C661854

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC385LP4ETR 是一款 GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖2.25到2.5 GHz频段，相位噪声性能优秀，单电源3V供电，典型输出功率为4.5 dBm。

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型号：HMC507LP5E 编号：C1558225

封装：QFN-32-EP(5x5)

HMC507LP5E 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成谐振器、负阻器件、变容二极管，具有半频输出。无需外部谐振器。

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型号：HMC531LP5 编号：C1558241

封装：QFN-32-EP(5x5)

HMC531LP5 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件和变容二极管，提供半频和四分频输出。该 VCO 的相位噪声性能在温度、冲击和工艺变化下表现优异，输出功率为 +7 dBm，工作电压为 +5V。

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型号：HMC6380LC4BTR 编号：C2151501

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC6380LC4BTR 是一款宽频带单片压控振荡器，集成了谐振器、负阻元件和变容二极管。输出功率和相位噪声性能优异，工作温度范围内表现稳定。调谐电压范围为 0 至 +23V，工作电压为 +5V，功耗仅为 75mA，采用无铅陶瓷 SMT 封装。

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型号：MM32SPIN560C 编号：C5151442

封装：QFN-48(6x6)

品牌：MindMotion(灵动微)

使用高性能的 Arm Cortex-M0 为内核的 32 位微控制器，5V 输出的 LDO 稳压器、三组具备有自举二极管的 N 通道半桥栅极驱动器。最高工作频率可达 96MHz，内置高速存储器，丰富的 I/O 端口和外设连接到外部总线。包含多达 2 个 3Msps 的 12 位 ADC、1 个 DAC、3 个比较器、3 个运算放大器、1 个 16 位通用定时器、1 个 32 位通用定时器、3 个 16 位基本定时器、2 个 16 位高级定时器。还包含标准的通信接口：1 个 I2C 接口、2 个 SPI 接口和 3 个 UART 接口

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￥11.02
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￥8.39
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型号：JW5068A 编号：C371422

封装：QFN-20(3x3)

品牌：Joulwatt(杰华特)

JW5068A是一款基于12架构的单片同步降压开关稳压器,具有4V至23V的输入电压范围,可提供8A连续输出电流。内部集成两个N-通道MOSFET,无需外部肖特基二极管,提供高效率。轻载时,调节器以低频运行,保持高效率和低输出纹波。具备多种保护功能,包括输出短路保护、过压锁定保护、热保护等。

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型号：MASW-000834-13560T 编号：C2925420

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：MACOM

MASW-000834是一种SPDT宽带、高线性度、共阳极PIN二极管T/R开关，适用于0.05-6.0GHz的应用，包括WiMAX和WiFi。该设备采用行业标准的4mmPQFN塑料封装。

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型号：IP4254CZ8-4-TTL,13 编号：C458180

封装：UDFN-8-EP(1.4x1.7)

这些设备是4通道、6通道和8通道的RC低通滤波器阵列，旨在为便携式通信或计算设备的端口提供不需要的RF信号过滤。此外，这些设备集成了二极管，以保护下游组件免受高达±30 kV的静电放电(ESD)电压的影响。这些设备采用单片硅技术制造，并在0.4毫米间距的8引脚、12引脚或16引脚超薄无引脚四方扁平封装(QFN)塑料封装中集成了多达八个电阻器和十六个二极管，其高度仅为0.55毫米。

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￥2.0773
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型号：IP4252CZ8-4-TTL,13 编号：C461172

封装：WSON-8-EP(1.4x1.7)

这些设备是4通道、6通道和8通道的RC低通滤波器阵列，旨在为便携式通信或计算设备的端口提供不需要的RF信号过滤。此外，这些设备集成了二极管，以保护下游组件免受高达±30 kV的静电放电(ESD)电压的影响。这些设备采用单片硅技术制造，并在0.4毫米间距的8引脚、12引脚或16引脚超薄无引脚四方扁平封装(QFN)塑料封装中集成了多达八个电阻器和十六个二极管，其高度仅为0.55毫米。

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￥1.2336
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型号：IP4252CZ16-8-TTL,1 编号：C458218

封装：UDFN-16-EP(1.4x3.3)

这些设备是4通道、6通道和8通道的RC低通滤波器阵列，旨在为便携式通信或计算设备的端口提供不需要的RF信号过滤。此外，这些设备集成了二极管，以保护下游组件免受高达±30 kV的静电放电(ESD)电压的影响。这些设备采用单片硅技术制造，并在0.4毫米间距的8引脚、12引脚或16引脚超薄无引脚四方扁平封装(QFN)塑料封装中集成了多达八个电阻器和十六个二极管，其高度仅为0.55毫米。

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￥4.54
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￥3.24
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￥2.85
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￥2.75

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型号：IP4254CZ16-8-TTL,1 编号：C551511

封装：UFDFN-16(1.4x3.3)

这些设备是4通道、6通道和8通道的RC低通滤波器阵列，旨在为便携式通信或计算设备的端口提供不需要的RF信号过滤。此外，这些设备集成了二极管，以保护下游组件免受高达±30 kV的静电放电(ESD)电压的影响。这些设备采用单片硅技术制造，并在0.4毫米间距的8引脚、12引脚或16引脚超薄无引脚四方扁平封装(QFN)塑料封装中集成了多达八个电阻器和十六个二极管，其高度仅为0.55毫米。

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￥3.67
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￥3.32
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￥3.16
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￥3.07

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型号：NCP81172MNTXG 编号：C513025

封装：TQFN-24-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81172是一款两相同步降压控制器，采用QFN - 24封装，集成了栅极驱动器和PWM VID接口，为新一代计算处理器提供了小尺寸的电源管理解决方案。它从处理器接收节能输入（PSI），并以单相二极管仿真模式运行，以在轻载条件下实现高效率。高达800 kHz的高开关频率运行允许使用小尺寸的电感器和电容器

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单价：
￥3.74148 / 个

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型号：VSOP38336 编号：C6024889

封装：QFN-8(2x2)

品牌：VISHAY(威世)

用于与光电二极管配合使用的红外接收器应用。对数据信号非常敏感，与最常见的红外遥控数据格式兼容。对直流光源（如钨丝灯）产生的直流电流免疫，抑制荧光灯的干扰信号，输出无杂散脉冲。

单价：
￥3.0602 / 个

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型号：JSM2124Q 编号：C50202098

封装：QFN-24(4x4)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动芯片，三相高低侧功率驱动芯片驱动配置：高低侧负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：8V

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￥2.142
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￥0.8262
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型号：IR35212MTRPBF 编号：C537651

封装：QFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

IR35212是一款双回路、数字、多相降压控制器,专为CPU和DDR电压调节设计,完全符合Intel VR13、VR12.5、VR12和IMVP8标准。它包括英飞凌的效率整形技术,可在整个负载范围内实现卓越的效率。动态相位控制可根据负载电流增加或减少相位。IR35212支持1或2相操作和主动二极管仿真模式,提供精确的输入和输出电流报告,并具有广泛的故障保护功能。

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￥62.39
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￥24.15
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￥23.3
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￥22.88

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型号：ISL8106IRZ 编号：C3188257

封装：QFN-16(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL8106是一款单相同步降压PWM控制器,输入电压范围为7V到25V,采用Intersil的Robust Ripple Regulator技术,提供快速瞬态响应和高效能。集成的MOSFET驱动器、5V LDO和自举二极管减少了组件数量,缩小了电源系统的实施面积。

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￥40.11
225+
￥15.52
525+
￥14.98
975+
￥14.71

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型号：HMC390LP4ETR 编号：C661857

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC390LP4ETR 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖3.55到3.9 GHz的频率范围，相位噪声性能优异。

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单价：
￥150.128 / 个

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