QFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：HMC799LP3ETR 编号：C662189

封装：QFN-16(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC799LP3ETR 是一款从 DC 到 700 MHz 的转阻放大器，设计用于光电激光传感器应用、FDDI 接收器和采用光学到电信号转换的接收系统。该放大器提供单端输出电压，与输入端的电流成正比。输入电流通常由光电二极管提供。

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型号：STDRIVEG610QTR 编号：C43079849

封装：QFN-18(4x5)

品牌：ST(意法半导体)

是用于N沟道增强型氮化镓（GaN）的高压半桥栅极驱动器。高端驱动器部分设计用于承受高达600V的电压轨，并可通过集成的自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配和集成LDO，使该驱动器针对高速氮化镓驱动进行了优化。具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源欠压锁定（UVLO）功能，同时完全支持硬开关并具有互锁功能，以避免交叉导通

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型号：LTC3554EUD-3#TRPBF 编号：C685019

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是微功耗、高度集成的电源管理和电池充电IC，适用于单节锂离子/聚合物电池应用。它们包括一个具有自动负载优先级的PowerPath管理器、一个电池充电器、一个理想二极管和众多内部保护功能。专为USB应用设计，可自动将输入电流限制在最大100mA或500mA。电池充电电流会自动降低，以使负载电流和充电电流之和不超过所选的输入电流限制。还包括两个同步降压开关稳压器以及一个按钮控制器。在待机模式下启用所有电源时，从电池汲取的静态电流仅为10μA。

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型号：MIC45116-1YMP-T1 编号：C636530

封装：QFN-52(8x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC45116是一款20V/6A的同步降压DC/DC电源模块,具有高达6A的输出电流和93%的峰值效率。该模块采用独特的自适应导通时间控制架构,集成了DC/DC控制器、功率MOSFET、启动二极管、启动电容和电感,简化了设计和布局过程。支持安全启动到预偏置输出,具有热关断保护和短路保护。工作温度范围为-40°C至+125°C。

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型号：HMC385LP4E 编号：C1525947

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC385LP4E 是一款 GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖2.25到2.5 GHz频段，相位噪声性能优秀，单电源3V供电，典型输出功率为4.5 dBm。

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型号：HMC385LP4 编号：C1558242

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC385LP4 是一款 GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖2.25到2.5 GHz频段，相位噪声性能优秀，单电源3V供电，典型输出功率为4.5 dBm。

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￥178.8372 / 个

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型号：HMC390LP4E 编号：C1558209

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC390LP4E 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖3.55到3.9 GHz的频率范围，相位噪声性能优异。

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￥118.5624 / 个

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型号：HMC506LP4 编号：C1558212

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC506LP4 是一个GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。工作频率范围为7.8到8.7 GHz，相位噪声性能优异，输出功率为+14 dBm。

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￥289.6236 / 个

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型号：HMC385LP4ETR 编号：C661854

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC385LP4ETR 是一款 GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖2.25到2.5 GHz频段，相位噪声性能优秀，单电源3V供电，典型输出功率为4.5 dBm。

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型号：HMC507LP5E 编号：C1558225

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC507LP5E 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成谐振器、负阻器件、变容二极管，具有半频输出。无需外部谐振器。

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￥273.726 / 个

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型号：HMC531LP5 编号：C1558241

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC531LP5 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件和变容二极管，提供半频和四分频输出。该 VCO 的相位噪声性能在温度、冲击和工艺变化下表现优异，输出功率为 +7 dBm，工作电压为 +5V。

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型号：HMC6380LC4BTR 编号：C2151501

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC6380LC4BTR 是一款宽频带单片压控振荡器，集成了谐振器、负阻元件和变容二极管。输出功率和相位噪声性能优异，工作温度范围内表现稳定。调谐电压范围为 0 至 +23V，工作电压为 +5V，功耗仅为 75mA，采用无铅陶瓷 SMT 封装。

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型号：MM32SPIN560C 编号：C5151442

封装：QFN-48(6x6)

品牌：MindMotion(灵动微)

使用高性能的 Arm Cortex-M0 为内核的 32 位微控制器，5V 输出的 LDO 稳压器、三组具备有自举二极管的 N 通道半桥栅极驱动器。最高工作频率可达 96MHz，内置高速存储器，丰富的 I/O 端口和外设连接到外部总线。包含多达 2 个 3Msps 的 12 位 ADC、1 个 DAC、3 个比较器、3 个运算放大器、1 个 16 位通用定时器、1 个 32 位通用定时器、3 个 16 位基本定时器、2 个 16 位高级定时器。还包含标准的通信接口：1 个 I2C 接口、2 个 SPI 接口和 3 个 UART 接口

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型号：JW5068A 编号：C371422

封装：QFN-20(3x3)

品牌：Joulwatt(杰华特)

JW5068A是一款基于12架构的单片同步降压开关稳压器,具有4V至23V的输入电压范围,可提供8A连续输出电流。内部集成两个N-通道MOSFET,无需外部肖特基二极管,提供高效率。轻载时,调节器以低频运行,保持高效率和低输出纹波。具备多种保护功能,包括输出短路保护、过压锁定保护、热保护等。

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型号：IP4252CZ16-8-TTL,1 编号：C458218

封装：UDFN-16-EP(1.4x3.3)

品牌：Nexperia(安世)

这些设备是4通道、6通道和8通道的RC低通滤波器阵列，旨在为便携式通信或计算设备的端口提供不需要的RF信号过滤。此外，这些设备集成了二极管，以保护下游组件免受高达±30 kV的静电放电(ESD)电压的影响。这些设备采用单片硅技术制造，并在0.4毫米间距的8引脚、12引脚或16引脚超薄无引脚四方扁平封装(QFN)塑料封装中集成了多达八个电阻器和十六个二极管，其高度仅为0.55毫米。

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型号：IP4254CZ8-4-TTL,13 编号：C458180

封装：UDFN-8-EP(1.4x1.7)

品牌：Nexperia(安世)

这些设备是4通道、6通道和8通道的RC低通滤波器阵列，旨在为便携式通信或计算设备的端口提供不需要的RF信号过滤。此外，这些设备集成了二极管，以保护下游组件免受高达±30 kV的静电放电(ESD)电压的影响。这些设备采用单片硅技术制造，并在0.4毫米间距的8引脚、12引脚或16引脚超薄无引脚四方扁平封装(QFN)塑料封装中集成了多达八个电阻器和十六个二极管，其高度仅为0.55毫米。

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型号：IP4254CZ16-8-TTL,1 编号：C551511

封装：UFDFN-16(1.4x3.3)

品牌：Nexperia(安世)

这些设备是4通道、6通道和8通道的RC低通滤波器阵列，旨在为便携式通信或计算设备的端口提供不需要的RF信号过滤。此外，这些设备集成了二极管，以保护下游组件免受高达±30 kV的静电放电(ESD)电压的影响。这些设备采用单片硅技术制造，并在0.4毫米间距的8引脚、12引脚或16引脚超薄无引脚四方扁平封装(QFN)塑料封装中集成了多达八个电阻器和十六个二极管，其高度仅为0.55毫米。

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型号：VSOP38336 编号：C6024889

封装：QFN-8(2x2)

品牌：VISHAY(威世)

用于与光电二极管配合使用的红外接收器应用。对数据信号非常敏感，与最常见的红外遥控数据格式兼容。对直流光源（如钨丝灯）产生的直流电流免疫，抑制荧光灯的干扰信号，输出无杂散脉冲。

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￥3.0602 / 个

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型号：NCP81172MNTXG 编号：C513025

封装：TQFN-24-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81172是一款两相同步降压控制器，采用QFN - 24封装，集成了栅极驱动器和PWM VID接口，为新一代计算处理器提供了小尺寸的电源管理解决方案。它从处理器接收节能输入（PSI），并以单相二极管仿真模式运行，以在轻载条件下实现高效率。高达800 kHz的高开关频率运行允许使用小尺寸的电感器和电容器

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型号：SI1141-A11-GMR 编号：C2655108

封装：QFN-10(2x2)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si1141/42/43是一款基于反射原理的低功耗红外接近和环境光传感器，具备I2C数字接口和可编程事件中断输出。这款非接触式传感器IC包含一个模数转换器、集成的高灵敏度可见光和红外光电二极管、数字信号处理器，以及一至三个集成的红外LED驱动器，具有十五种可选驱动电平。Si1141/42/43在宽动态范围和包括直射阳光在内的各种光源条件下均能提供出色的性能

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￥12.63114 / 个

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型号：JSM2124Q 编号：C50202098

封装：QFN-24(4x4)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动芯片，三相高低侧功率驱动芯片驱动配置：高低侧负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：8V

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型号：IR35212MTRPBF 编号：C537651

封装：QFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

IR35212是一款双回路、数字、多相降压控制器,专为CPU和DDR电压调节设计,完全符合Intel VR13、VR12.5、VR12和IMVP8标准。它包括英飞凌的效率整形技术,可在整个负载范围内实现卓越的效率。动态相位控制可根据负载电流增加或减少相位。IR35212支持1或2相操作和主动二极管仿真模式,提供精确的输入和输出电流报告,并具有广泛的故障保护功能。

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￥23.3
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型号：ISL8106IRZ 编号：C3188257

封装：QFN-16(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL8106是一款单相同步降压PWM控制器,输入电压范围为7V到25V,采用Intersil的Robust Ripple Regulator技术,提供快速瞬态响应和高效能。集成的MOSFET驱动器、5V LDO和自举二极管减少了组件数量,缩小了电源系统的实施面积。

1+
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￥15.52
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￥14.98
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型号：HMC390LP4ETR 编号：C661857

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC390LP4ETR 是一款 GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖3.55到3.9 GHz的频率范围，相位噪声性能优异。

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￥120.758 / 个

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型号：ZAMC4100GA2R 编号：C1848715

封装：QFN-64-EP(9x9)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ZAMC4100是一款多芯片模块概念的高性能ARM? CortexTM-M0微控制器解决方案,集成了10位ADC、四个通用模拟输入、四个半桥驱动器、四个高侧开关、一个用于电致变色镜控制的输出缓冲器、外部二极管温度测量的电流源、外部电阻传感器的开关电压源以及LIN（本地互连网络）总线接口。该单封装解决方案具有丰富的诊断功能、优化的热性能和LIN总线接口,适用于汽车应用,如高端汽车外部后视镜控制器,需要小型电路板设计和轻量布线。

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