QFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AOZ2366QI 编号：C3189046

封装：QFN-28(5x5)

品牌：AOS

AOZ2366QI 是一款高效、易用的同步降压调节器,支持4.5V到28V的宽输入电压范围,能够提供20A的连续输出电流,输出电压可调至0.6V,具有低导通电阻的内部NFET,采用专有的恒定导通时间PWM控制技术,具有快速瞬态响应和相对恒定的开关频率。集成的纹波注入功能支持全陶瓷低ESR输出滤波电容器,减小PCB尺寸。可选的PFM模式优化轻载效率,强制PWM模式保持恒定频率,降低谐波噪声。内置自举二极管,具有多种保护功能,包括欠压锁定、逐周期限流、短路保护和热关断。采用5mm x 5mm QFN_28L封装,工作温度范围为-40°C到+85°C。

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型号：MAMX-011067-TR0500 编号：C6223853

封装：QFN-12(3x3)

品牌：MACOM

MAMX-011067 是一款 GaAs 双平衡无源二极管混频器，封装在无铅 3 mm 12 引脚 QFN 封装中。该混频器具有低转换损耗、高线性和宽 IF 带宽。双平衡电路配置提供了出色的端口隔离，而内部 50Ω 匹配简化了其应用。该混频器适用于测试与测量、微波无线电等应用。

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型号：MSW2001-200-R 编号：C20344494

封装：-

品牌：MACOM

MSW200x-200系列表面贴装硅PIN二极管SP2T开关处理从400MHz到4GHz的高功率信号，适用于发射-接收（TR）、主动接收保护和其他应用。这些低轮廓、紧凑的表面贴装组件在QFN封装中提供了优于MMIC设备的小信号和大信号性能。

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型号：MSWLM2420-242-R 编号：C20344495

封装：-

品牌：MACOM

MSWLM2420-242是一款高功率SP2T开关-限幅模块，集成了高功率SP2T开关和被动限幅电路。该模块采用混合制造工艺，结合了高压PIN二极管和无源器件，集成在陶瓷基板上。这款低轮廓、紧凑型表面贴装元件(8mmLx5mmWx2.5mmH)提供了与QFN封装MMIC器件相当的大信号和小信号性能。SP2T开关-限幅器设计用于在小信号接收状态下最小化Ant-Rx插入损耗，并在大信号(51dBmCW)条件下的传输状态下提供出色的输入反射损耗。

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型号：XR76108ELTR-F 编号：C517986

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MaxLinear(迈凌)

XR76108和XR76112是同步降压稳压器，将控制器、驱动器、自举二极管和MOSFET集成在一个封装中，用于负载点电源。XR76108的负载电流额定值为8A，XR76112的负载电流额定值为12A。4.5V至22V的宽输入电压范围允许由行业标准的5V、12V和19.6V电源轨进行单电源供电

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型号：MP3302DJ-LF-Z 编号：C15035

封装：TSOT-23-5

品牌：MPS(芯源)

是一款升压转换器，用于从单节锂离子电池驱动白光发光二极管 (WLED) 阵列。采用电流模式、固定频率架构来调节 LED 电流，该电流通过外部电流检测电阻进行测量。其低 200mV 反馈电压可降低功耗并提高效率。如果因开路情况而出现过压情况，将关闭。包括欠压锁定、电流限制和热过载保护，可防止在输出过载时损坏。提供小型 5 引脚 TSOT23 和 8 引脚 QFN (2mm x 3mm) 封装。

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型号：SQ33065WAQ 编号：C5359316

封装：QFN-20(3.5x4.5)

品牌：Silergy(矽力杰)

是75V同步降压控制器，采用III型电压模式控制和前馈技术。最小导通时间为数十纳秒，便于实现大降压比。当输入电压低至6V时仍可继续工作。通过直接检测VIN引脚电压实现VIN过压保护，防止输出反向充电。通过测量低端MOSFET或电流检测电阻两端的电压实现逐周期过流保护。强制PWM (FPWM) 可消除频率变化，可选的二极管仿真可降低轻载条件下的功耗。开关频率高达1MHz，可设置或同步到外部时钟。

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型号：VCNL4035X01-GS08 编号：C2655152

封装：QFN-8-EP(2.4x4)

VCNL4035X01将一个接近传感器（PS）、环境光传感器（ALS）、一个多路复用器和一个最多可驱动3个外部红外发射二极管（IRED）/发光二极管（LED）的驱动器集成到一个小型封装中。它通过CMOS工艺将光电二极管、放大器和模数转换电路集成到单芯片中。16位高分辨率的环境光传感器具备出色的感应能力，有足够的选项可满足大多数应用需求，无论是采用深色还是高透明度的透镜设计

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型号：SCT82A30DHKR 编号：C6041259

封装：QFN-20L(3.5X4.5)

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT82A30是一款100V电压模式控制同步降压控制器,支持前馈线路,具有0.8V至60V可调输出电压,最小导通时间为40ns,支持高转换比,可在输入电压低至6V时以接近100%的占空比运行。该器件还支持强制PWM和二极管仿真模式,频率范围为100kHz至1.2MHz。

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型号：NSG20652Q 编号：C41414479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能

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型号：XR76208ELTR-F 编号：C555356

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MaxLinear(迈凌)

XR76203、XR76205 和 XR76208 是同步降压控制器,结合了控制器、驱动器、启动二极管和 MOSFET,集成在一个封装中,适用于负载点电源。这些器件具有 3A、5A 和 8A 的负载电流等级,输入电压范围为 5V 至 40V,输出电压可调,最低 0.6V。它们采用专有的恒定导通时间控制方案,无需环路补偿,支持陶瓷输出电容器,提供快速的瞬态响应。

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型号：XR76112ELTR-F 编号：C2073230

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MaxLinear(迈凌)

XR76108和XR76112是同步降压稳压器，将控制器、驱动器、自举二极管和MOSFET集成在一个封装中，用于负载点电源。XR76108的负载电流额定值为8A，XR76112的负载电流额定值为12A。4.5V至22V的宽输入电压范围允许由行业标准的5V、12V和19.6V电源轨进行单电源供电

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型号：ULN2803Q 编号：C33962543

封装：QFN-20L-EP(4x4)

品牌：Slkor(萨科微)

ULN2803 是单片集成低耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有钳位二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载，将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2803 的每一路达林顿管串联一个 2.7K 的基极电阻，在 5V 的工作电压下可直接与 TTL/CMOS 电路连接，可直接处理标准逻辑缓冲器所处理的数据。

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型号：PAM8013AKR 编号：C444418

封装：QFN-9(1.5x1.5)

品牌：DIODES(美台)

二极管PAM8013是一款3W单声道、无滤波器的D类放大器，具有高电源抑制比（PSRR）和差分输入，可消除噪声和射频整流。其90%的效率和小PCB面积等特性，使PAM8013 D类放大器成为手机的理想选择。无滤波器架构简化了应用设计，无需外部输出滤波器，减少了外部元件数量、PCB面积和系统成本

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型号：TPS54519RTER 编号：C140231

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS54519是一款6V输入,5A输出的同步降压转换器,具有两个集成的MOSFET,支持200kHz到2MHz的开关频率。该器件集成了启动电容二极管,采用3mm x 3mm QFN封装,具有高效率和小尺寸设计。

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型号：VCNL4030X01-GS08 编号：C2655123

封装：QFN-8-EP(2.4x4)

VCNL4030X01 将接近传感器（PS）、环境光传感器（ALS）和高功率红外发射二极管（IRED）集成于一个小型封装中。它采用互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，将光电二极管、放大器和模数转换电路集成到单芯片上。16 位高分辨率的环境光传感器具备出色的感应能力，有足够的选项来满足大多数应用需求，无论是暗光环境还是高透明度镜片设计

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型号：UM8401 编号：C5180317

封装：QFN-16

品牌：Union(英联)

是一款集成TVS二极管的低通滤波器阵列。旨在抑制便携式电子设备中不需要的EMI/RFI信号，并提供静电放电（ESD）保护。该先进设备采用硅雪崩技术，具有出色的钳位性能和直流电气特性。针对手机和其他便携式电子产品中的彩色LCD面板保护进行了优化

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型号：TPD6E001RSFR 编号：C1975428

封装：QFN-12-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

TPD6E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的 6 通道 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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型号：MIC28304-1YMP-TR 编号：C633027

封装：QFN-64

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款同步降压调节器模块，采用独特的自适应导通时间控制架构。该模块在单个封装中集成了一个DC-DC控制器、功率MOSFET、自举二极管、自举电容和一个电感器。其工作输入电源范围为4.5V至70V，可用于提供高达3A的输出电流。输出电压可调节至低至0.8V，精度确保为±1%。该器件的可编程开关频率为200kHz至600kHz。在中等到重负载下，所采用的架构可提供与高速控制架构相同的高效率和超快速瞬态响应。该架构还通过过渡到可变频率不连续模式操作，在轻负载条件下保持高效率。该模块提供全套保护功能，包括欠压锁定、内部软启动、折返式电流限制、“打嗝”模式短路保护和热关断。

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￥84.53

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型号：VCNL3030X01-GS08 编号：C3678677

封装：QFN-8(2.4x4)

VCNL3030X01将一个接近传感器（PS）和一个高功率红外发射二极管（IRED）集成到一个小型封装中。它通过CMOS工艺将光电二极管、放大器和模数转换电路集成到单芯片中。接近传感器提供可编程中断功能，具备独立的高低阈值，可降低微控制器的功耗

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型号：LT3482EUD#TRPBF 编号：C515895

封装：QFN-16-EP(3x3)

LT3482是一款带有倍压器的固定频率电流模式升压型DC/DC转换器，专为偏置光接收器中的雪崩光电二极管（APD）而设计。它可提供高达90V的输出。LT3482具备高端APD电流监测功能，在整个温度范围内相对精度优于10%

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￥25.24

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型号：LTC3545EUD-1#TRPBF 编号：C684957

封装：QFN-16-EP(3x3)

是一款高效的单片同步降压调节器，采用恒定频率、电流模式架构。三个调节器独立运行，具有独立的运行引脚。2.25V至5.5V的输入电压范围，适用于单节锂离子电池供电应用。可通过外部选择低纹波脉冲跳跃模式或高效突发模式运行。PWM脉冲跳跃模式可提供极低的输出纹波电压，而突发模式可在低输出负载时提高效率。开关频率内部设置为2.25MHz，也可同步到1MHz至3MHz的外部时钟。电源良好指示灯便于三个调节器之间的上电排序。内部同步开关提高了效率，无需外部肖特基二极管。0.6V的反馈参考电压支持低输出电压。

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￥28.96

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型号：LT3504IUFD#TRPBF 编号：C670795

封装：QFN-28-EP(4x5)

LT3504由四个1A输出电流的降压稳压器组成。LT3504具有3.2V至40V的宽工作输入电压范围。片上升压稳压器使每个通道能够以高达100%的占空比运行，并消除了对外部四个电荷泵电路的需求。LT3504旨在最小化外部组件数量，从而简化并缩小应用电路。LT3504在故障条件下能够稳健运行。逐周期峰值电流限制和续流二极管电流限制感应可在过载条件下保护器件。热关断功能可在温度升高时保护功率开关。软启动有助于在启动过程中控制电感峰值电流。LT3504还具备输出电压跟踪和排序、可编程频率、可编程欠压锁定以及一个电源良好引脚，用于指示所有输出均处于调节状态。

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￥74.4
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￥73.656 ￥74.4

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型号：LTC6561IUF#PBF 编号：C580991

封装：QFN-24-EP(4x4)

是一款低噪声四通道跨阻放大器（TIA），带宽为220MHz。其低噪声、高跨阻和低功耗特性，非常适合使用雪崩光电二极管（APD）的激光雷达接收器。该放大器具有74kΩ的跨阻增益和30µA的线性输入电流范围。使用总电容为2pF的APD输入电路时，在200MHz下输入电流噪声密度为4.5pA/√Hz

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￥87.363 ￥97.07

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型号：VCNL40301X01-GS08 编号：C17652143

封装：QFN-8(4x2.4)

集成了接近传感器（PS）、环境光传感器（ALS）和高功率红外发射二极管（IRED）到一个小封装中。通过CMOS工艺将光电二极管、放大器和模数转换电路集成到单芯片中。16位高分辨率ALS具有出色的传感能力，有足够的选择来满足大多数应用，无论是暗光还是高透明度镜头设计。ALS和PS都提供可编程中断，具有独立的高低阈值，可节省微控制器的功耗

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￥11.15

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型号：AOZ5332QI 编号：C5943984

封装：QFN-31(5x5)

品牌：AOS

是一种高效同步降压功率级模块，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置中的操作进行了单独优化。高端MOSFET经过优化，可实现低电容和栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。提供了许多特性，使其成为一款高度通用的电源模块。自举二极管集成在驱动器中。低端MOSFET可以驱动到二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。引脚排列也针对低寄生效应进行了优化，将其影响降至最低。

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￥11.25

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型号：LTC3553EUD#TRPBF 编号：C685009

封装：QFN-20-EP(3x3)

是一款用于单节锂离子/聚合物电池应用的微功率、高度集成的电源管理和电池充电IC。它包括一个具有自动负载优先级的电源路径管理器、一个电池充电器、一个理想二极管和众多内部保护功能。专为USB应用设计，电源管理器自动将输入电流限制为最大100mA或500mA。电池充电电流会自动降低，以确保负载电流和充电电流之和不超过所选的输入电流限制。还包括一个同步降压调节器、一个低压差线性调节器 (LDO) 和一个按钮控制器。在待机模式下启用所有电源时，从电池汲取的静态电流仅为12μA。

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￥35.43
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型号：HMC388LP4ETR 编号：C661856

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC388LP4ETR是一款GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖3.15到3.4 GHz频段，相位噪声性能优异，单电源3V供电，典型输出功率为4.9 dBm。

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型号：HMC511LP5E 编号：C17461968

封装：VFQFN-32-EP(5x5)