QFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MP6605DGR-Z 编号：C20099575

封装：QFN-24(4x4)

MP6605D是一款4通道低端MOSFET（LS-FET）驱动IC，集成了四个低端MOSFET和高端（HS）钳位二极管，用于驱动感性负载。它非常适合用于单极步进电机和螺线管驱动应用。该器件在4.5V至60V的宽输入电压（Vᵢₙ）范围内，可实现高达1.5A的输出电流（Iₒᵤₜ）。电机驱动器输出引脚的最大电压为60V。全面的保护功能包括过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）保护和热关断。MP6605D采用QFN - 24（4mmx4mm）封装。

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型号：HMC532LP4E 编号：C7455772

封装：QFN-24(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

是GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）单片微波集成电路（MMIC）压控振荡器（VCO），集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖7.1至7.9 GHz，由于振荡器的单片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和振动条件下表现出色。典型功率输出为+14 dBm，采用+3V单电源供电，电流为85 mA。压控振荡器采用4 x 4 mm无铅QFN表面贴装封装。

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型号：HMC582LP5 编号：C7456378

封装：QFN-32(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC压控振荡器（VCO），集成谐振器、负阻器件、变容二极管，具有半频和四分频输出。由于振荡器的单片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺变化时表现出色。电源电压为+5V时，典型功率输出为+9dBm。如果不需要，可以禁用预加速和RF/2功能以节省电流。压控振荡器采用无铅QFN 5x5 mm表面贴装封装，无需外部匹配元件。

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￥297.25

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型号：HMC534LP5 编号：C7455774

封装：QFN-32(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC压控振荡器（VCO）集成了谐振器、负阻器件、变容二极管，具有半频和四分频输出。由于振荡器的单片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺方面表现出色。在+5V电源电压下，典型功率输出为+11dBm。如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。压控振荡器采用无铅QFN 5x5mm表面贴装封装，无需外部匹配元件。

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型号：SI34061-A-GMR 编号：C3192068

封装：QFN-24(5x5)

品牌：SKYWORKS

Si3406x 系列集成了以太网供电加 (PoE+) 受电设备 (PD) 应用所需的所有电源管理和控制功能。这些设备将通过 10/100/1000BASE-T 以太网连接提供的高电压转换为稳压的低电压输出电源。该系列设备的优化架构最小化了解决方案的占板面积和外部 BOM 成本，并允许使用低成本的外部组件，同时保持高性能。Si3406x 系列集成了所需的二极管桥和瞬态浪涌抑制器，从而可以直接将 IC 连接到以太网 RJ-45 连接器。开关功率 FET 和所有相关功能也集成在一起。集成的电流模式控制开关稳压器支持隔离或非隔离反激和降压转换器拓扑结构。可以通过简单的外部电阻值来调节稳压器的开关频率，以帮助避免不必要的谐波，从而更好地控制电磁干扰。提供了一个同步驱动器，可以选择性地驱动次级侧 FET，以提高电源转换效率。通过可选的自动维持功率特征 (MPS) 信号，在睡眠期间可以保持与 PSE 开关的连接。这些设备完全支持 IEEE 802.3at 规范中的单事件或双事件分类情况。标准外部电阻提供了检测功能和分类模式编程所需的正确 IEEE 802.3 特征，内部启动电路确保热插拔开关和电压稳压器的初始运行受到良好控制的软启动操作。Si34061 和 Si34062 增加了主变压器偏置绕组支持，用于超高效率操作。Si34062 包括支持带有唤醒功能的睡眠模式以及 LED 驱动能力。这些功能可以用来最小化待机电流、控制睡眠和唤醒状态，并通过 LED 提供应用状态信息。Si3406 采用低剖面 20 引脚 5x5 mm QFN 封装，而 Si34061 和 Si34062 采用低剖面 24 引脚 5x5 mm QFN 封装。

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型号：AOZ2250BQI-22 编号：C3188723

封装：QFN-22(4x4)

品牌：AOS

AOZ2250BQI-22 是一款高效、易于使用的 DC/DC 同步降压调节器,最高工作电压可达 28V。该设备能够提供 3A 的连续输出电流,输出电压可调至 3V ±1%。其特性包括宽输入电压范围（6.5V 至 28V）、3A 连续输出电流、低导通电阻内部 NFET、陶瓷电容器稳定性、可调软启动、集成自举二极管、逐周期限流、短路保护、输出过欠压保护和热关断。该器件采用 4mm x 4mm QFN-22L 封装,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。

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型号：AOZ2366QI 编号：C3189046

封装：QFN-28(5x5)

品牌：AOS

AOZ2366QI 是一款高效、易用的同步降压调节器,支持4.5V到28V的宽输入电压范围,能够提供20A的连续输出电流,输出电压可调至0.6V,具有低导通电阻的内部NFET,采用专有的恒定导通时间PWM控制技术,具有快速瞬态响应和相对恒定的开关频率。集成的纹波注入功能支持全陶瓷低ESR输出滤波电容器,减小PCB尺寸。可选的PFM模式优化轻载效率,强制PWM模式保持恒定频率,降低谐波噪声。内置自举二极管,具有多种保护功能,包括欠压锁定、逐周期限流、短路保护和热关断。采用5mm x 5mm QFN_28L封装,工作温度范围为-40°C到+85°C。

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型号：MAMX-011067-TR0500 编号：C6223853

封装：QFN-12(3x3)

品牌：MACOM

MAMX-011067 是一款 GaAs 双平衡无源二极管混频器，封装在无铅 3 mm 12 引脚 QFN 封装中。该混频器具有低转换损耗、高线性和宽 IF 带宽。双平衡电路配置提供了出色的端口隔离，而内部 50Ω 匹配简化了其应用。该混频器适用于测试与测量、微波无线电等应用。

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型号：MSW2001-200-R 编号：C20344494

封装：-

品牌：MACOM

MSW200x-200系列表面贴装硅PIN二极管SP2T开关处理从400MHz到4GHz的高功率信号，适用于发射-接收（TR）、主动接收保护和其他应用。这些低轮廓、紧凑的表面贴装组件在QFN封装中提供了优于MMIC设备的小信号和大信号性能。

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型号：MSWLM2420-242-R 编号：C20344495

封装：-

品牌：MACOM

MSWLM2420-242是一款高功率SP2T开关-限幅模块，集成了高功率SP2T开关和被动限幅电路。该模块采用混合制造工艺，结合了高压PIN二极管和无源器件，集成在陶瓷基板上。这款低轮廓、紧凑型表面贴装元件(8mmLx5mmWx2.5mmH)提供了与QFN封装MMIC器件相当的大信号和小信号性能。SP2T开关-限幅器设计用于在小信号接收状态下最小化Ant-Rx插入损耗，并在大信号(51dBmCW)条件下的传输状态下提供出色的输入反射损耗。

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型号：SQ33065WAQ 编号：C5359316

封装：QFN-20(3.5x4.5)

品牌：Silergy(矽力杰)

是75V同步降压控制器，采用III型电压模式控制和前馈技术。最小导通时间为数十纳秒，便于实现大降压比。当输入电压低至6V时仍可继续工作。通过直接检测VIN引脚电压实现VIN过压保护，防止输出反向充电。通过测量低端MOSFET或电流检测电阻两端的电压实现逐周期过流保护。强制PWM (FPWM) 可消除频率变化，可选的二极管仿真可降低轻载条件下的功耗。开关频率高达1MHz，可设置或同步到外部时钟。

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型号：XR76108ELTR-F 编号：C517986

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MaxLinear(迈凌)

XR76108和XR76112是同步降压稳压器，将控制器、驱动器、自举二极管和MOSFET集成在一个封装中，用于负载点电源。XR76108的负载电流额定值为8A，XR76112的负载电流额定值为12A。4.5V至22V的宽输入电压范围允许由行业标准的5V、12V和19.6V电源轨进行单电源供电

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型号：SI1141-M01-GMR 编号：C2655125

封装：QFN-10(2.9x4.9)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si1141/42/43 M01是一款低功耗、基于反射的红外接近与环境光模块，集成了单个红外LED、两个额外的LED驱动器输出、I²C数字接口和可编程事件中断输出。这款非接触式传感器模块包含一个模数转换器、集成的高灵敏度可见光和红外光电二极管、数字信号处理器，以及三个集成的红外LED驱动器，具备十五种可选驱动电平。Si1141/42/43 M01在宽动态范围和包括直射阳光在内的各种光源下均能提供出色的性能

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型号：SCT82A30DHKR 编号：C6041259

封装：QFN-20L(3.5X4.5)

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT82A30是一款100V电压模式控制同步降压控制器,支持前馈线路,具有0.8V至60V可调输出电压,最小导通时间为40ns,支持高转换比,可在输入电压低至6V时以接近100%的占空比运行。该器件还支持强制PWM和二极管仿真模式,频率范围为100kHz至1.2MHz。

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型号：NSG20652Q 编号：C41414479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能

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型号：VCNL4035X01-GS08 编号：C2655152

封装：QFN-8-EP(2.4x4)

品牌：VISHAY(威世)

VCNL4035X01将一个接近传感器（PS）、环境光传感器（ALS）、一个多路复用器和一个最多可驱动3个外部红外发射二极管（IRED）/发光二极管（LED）的驱动器集成到一个小型封装中。它通过CMOS工艺将光电二极管、放大器和模数转换电路集成到单芯片中。16位高分辨率的环境光传感器具备出色的感应能力，有足够的选项可满足大多数应用需求，无论是采用深色还是高透明度的透镜设计

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型号：LT3571EUD#PBF 编号：C459891

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3571是一款电流模式升压型DC/DC转换器，旨在为光接收器中的雪崩光电二极管（APD）提供偏置，输出电压高达75V。LT3571具备高端固定压降APD电流监测器，在整个温度范围内相对精度优于10%。集成的功率开关、肖特基二极管和APD电流监测器使得解决方案占板面积小且成本低

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￥42.36
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￥34.04
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型号：XR76112ELTR-F 编号：C2073230

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MaxLinear(迈凌)

XR76108和XR76112是同步降压稳压器，将控制器、驱动器、自举二极管和MOSFET集成在一个封装中，用于负载点电源。XR76108的负载电流额定值为8A，XR76112的负载电流额定值为12A。4.5V至22V的宽输入电压范围允许由行业标准的5V、12V和19.6V电源轨进行单电源供电

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型号：PAM8013AKR 编号：C444418

封装：QFN-9(1.5x1.5)

品牌：DIODES(美台)

二极管PAM8013是一款3W单声道、无滤波器的D类放大器，具有高电源抑制比（PSRR）和差分输入，可消除噪声和射频整流。其90%的效率和小PCB面积等特性，使PAM8013 D类放大器成为手机的理想选择。无滤波器架构简化了应用设计，无需外部输出滤波器，减少了外部元件数量、PCB面积和系统成本

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型号：MP2489DJ-LF-Z 编号：C5800290

封装：TSOT-23-5

品牌：MPS(芯源)

是一款采用连续电流模式设计的高效降压转换器，用于在6V-60V的宽输入电压下驱动高亮度发光二极管（LED）。采用滞环控制架构来调节高精度LED电流，该电流通过外部高端电流检测电阻进行测量。此外，这种控制方案可实现优化的电路稳定性和非常快速的响应时间，无需进行环路补偿。其202mV的低平均反馈电压可降低功耗并提高转换器效率。实现了PWM和模拟调光功能，通过DIM引脚进行控制。具备热过载保护功能，可防止在输出过载时损坏。有小型QFN6（3x3mm）、TSOT23-5和SOIC8E封装可供选择。

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￥10.4045
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￥9.0285
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￥8.5202

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型号：LTC3545EUD-1#TRPBF 编号：C684957

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高效的单片同步降压调节器，采用恒定频率、电流模式架构。三个调节器独立运行，具有独立的运行引脚。2.25V至5.5V的输入电压范围，适用于单节锂离子电池供电应用。可通过外部选择低纹波脉冲跳跃模式或高效突发模式运行。PWM脉冲跳跃模式可提供极低的输出纹波电压，而突发模式可在低输出负载时提高效率。开关频率内部设置为2.25MHz，也可同步到1MHz至3MHz的外部时钟。电源良好指示灯便于三个调节器之间的上电排序。内部同步开关提高了效率，无需外部肖特基二极管。0.6V的反馈参考电压支持低输出电压。

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￥28.3974 ￥30.21

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型号：ULN2803Q 编号：C33962543

封装：QFN-20L-EP(4x4)

品牌：Slkor(萨科微)

ULN2803 是单片集成低耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有钳位二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载，将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2803 的每一路达林顿管串联一个 2.7K 的基极电阻，在 5V 的工作电压下可直接与 TTL/CMOS 电路连接，可直接处理标准逻辑缓冲器所处理的数据。

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型号：XR76208ELTR-F 编号：C555356

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MaxLinear(迈凌)

XR76203、XR76205 和 XR76208 是同步降压控制器,结合了控制器、驱动器、启动二极管和 MOSFET,集成在一个封装中,适用于负载点电源。这些器件具有 3A、5A 和 8A 的负载电流等级,输入电压范围为 5V 至 40V,输出电压可调,最低 0.6V。它们采用专有的恒定导通时间控制方案,无需环路补偿,支持陶瓷输出电容器,提供快速的瞬态响应。

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￥8.52
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型号：TPS54519RTER 编号：C140231

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS54519是一款6V输入,5A输出的同步降压转换器,具有两个集成的MOSFET,支持200kHz到2MHz的开关频率。该器件集成了启动电容二极管,采用3mm x 3mm QFN封装,具有高效率和小尺寸设计。

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￥1.0818

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型号：LT3482EUD#TRPBF 编号：C515895

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3482是一款带有倍压器的固定频率电流模式升压型DC/DC转换器，专为偏置光接收器中的雪崩光电二极管（APD）而设计。它可提供高达90V的输出。LT3482具备高端APD电流监测功能，在整个温度范围内相对精度优于10%

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￥35.45
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￥30.08

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型号：HMC388LP4ETR 编号：C661856

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC388LP4ETR是一款GaAs InGaP HBT MMIC VCO，集成了谐振器、负阻器件、变容二极管和缓冲放大器。覆盖3.15到3.4 GHz频段，相位噪声性能优异，单电源3V供电，典型输出功率为4.9 dBm。

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￥123.84 ￥144
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￥118.2242 ￥137.47
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￥108.489 ￥126.15
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￥100.0008 ￥116.28

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型号：HMC511LP5E 编号：C17461968

封装：VFQFN-32-EP(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

是GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC压控振荡器（VCO），集成了谐振器、负阻器件、变容二极管，具有半频输出。由于振荡器的单片结构，压控振荡器的相位噪声性能在温度、冲击和工艺方面表现出色。电源电压为+5V时，典型功率输出为+13dBm。压控振荡器采用无铅QFN 5x5mm表面贴装封装，无需外部匹配元件。

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￥220.286 ￥231.88
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￥212.553 ￥223.74

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型号：MP2489DN-LF-Z 编号：C493295

封装：SOIC-8-EP

品牌：MPS(芯源)

是一款采用连续电流模式设计的高效降压转换器，用于在 6V-60V 的宽输入电压下驱动高亮度发光二极管 (LED)。采用滞环控制架构来调节高精度 LED 电流，该电流通过外部高端电流检测电阻进行测量。此外，这种控制方案可在无需环路补偿的情况下实现优化的电路稳定性和极快的响应时间。其低 202mV 的平均反馈电压可降低功耗并提高转换器效率。通过 DIM 引脚实现 PWM 和模拟调光。具备热过载保护功能，可防止在输出过载时受损。提供小尺寸的 QFN6 (3x 3mm)、TSOT23-5 和 SOIC8E 封装。

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￥12.1249
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￥10.3226
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￥8.5202
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￥7.2094
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￥5.8986
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￥5.3251

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型号：MIC28304-1YMP-TR 编号：C633027

封装：QFN-64

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款同步降压调节器模块，采用独特的自适应导通时间控制架构。该模块在单个封装中集成了一个DC-DC控制器、功率MOSFET、自举二极管、自举电容和一个电感器。其工作输入电源范围为4.5V至70V，可用于提供高达3A的输出电流。输出电压可调节至低至0.8V，精度确保为±1%。该器件的可编程开关频率为200kHz至600kHz。在中等到重负载下，所采用的架构可提供与高速控制架构相同的高效率和超快速瞬态响应。该架构还通过过渡到可变频率不连续模式操作，在轻负载条件下保持高效率。该模块提供全套保护功能，包括欠压锁定、内部软启动、折返式电流限制、“打嗝”模式短路保护和热关断。

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￥102.81
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￥99.71

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型号：TPD6E001RSFR 编号：C1975428

封装：QFN-12-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

TPD6E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的 6 通道 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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