sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：STPSC6H065D 编号：C472624

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

数据手册

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￥6.5
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￥6
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￥5.9
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型号：YJD106506DQG2 编号：C41368360

封装：TO-252

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：正温度系数。与温度无关的开关特性。最高工作温度为175℃。单极器件，零反向恢复电流。零正向恢复电压。基本无开关损耗。应用：功率因数校正(PFC)。太阳能逆变器

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￥9.62
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型号：HC1D08065E 编号：C41428786

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流（IF），能够承受高达650V的反向电压（VR），保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管在其工作期间展现出较低的正向电压降（VF）为1.3V，这意味着它在导通状态下损耗的能量较少，有助于提升系统的整体效率。适用于需要高效率及稳定性能的电路设计中，特别是在要求快速开关特性的场合下表现优异。

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￥8.1654 ￥8.78
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￥7.2912 ￥7.84
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型号：YFWD310065CT 编号：C41382617

封装：TO-220AB

品牌：YFW(佑风微)

碳化硅二极管

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￥10.4025 ￥10.95
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￥8.778 ￥9.24
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型号：GC3D20060D 编号：C7435095

封装：TO-247-3

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:110nC 总功率(Ptot):250W

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￥13.56
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￥11.33
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￥10.57
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型号：YJD106520NCTQG2 编号：C20605573

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

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￥22.37
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型号：HC1D20065G 编号：C41428733

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性，其最大工作电流IF可达20安培，反向击穿电压VR高达650伏特，正向电压降VF仅为1.3伏特，能够在高频率与严苛条件下保持稳定性能。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如电源转换、逆变以及其他对效率和热性能有严格要求的应用领域。

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￥23.5848 ￥25.36
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￥20.2275 ￥21.75
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￥18.228 ￥19.6
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型号：CI40S120D3 编号：C967733

封装：TO-247-3

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关。极快的开关速度。用单极整流器替代双极整流器。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC 或 DCC/DC 级中的升压二极管

数据手册

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￥28.45
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￥24.18
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￥21.64
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￥19.08
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￥17.89
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￥17.36

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型号：GC4D40120D 编号：C7435101

封装：TO-247-3

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:99nC 总功率(Ptot):532W

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￥29.26 ￥33.25
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￥18.7616 ￥21.32
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￥18.2336 ￥20.72

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型号：ASYD050170C 编号：C50132429

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1700V, If=50A@Tc=137℃, Vf=1.7V@50A

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￥46.0845 ￥48.51
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￥39.729 ￥41.82
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￥35.853 ￥37.74
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￥32.6135 ￥34.33

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型号：FFSH5065A-HXY 编号：C51896394

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备50A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.45V，有助于减少导通损耗并提升系统效率。其基于碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗，适用于高功率密度电源转换场景。器件热稳定性良好，能够在较宽温度范围内可靠运行，适合用于高效开关电源、可再生能源逆变装置及高要求的功率整流电路中，为复杂电力电子系统提供坚实的元器件支持。

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￥59.0805 ￥62.19
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￥50.977 ￥53.66
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￥46.0275 ￥48.45
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￥41.8855 ￥44.09

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型号：HC3D50170H 编号：C41428791

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有50安培的最大整流电流IF，反向耐压VR高达1700伏特，正向电压VF为1.5伏特。这些特性使其非常适合应用于需要高压和较大电流通过的电子设备中。凭借其出色的电气性能，这款二极管能够保证在高压环境下稳定工作，并且由于其较低的正向电压，可显著减少电力损耗，适合用于需要高可靠性及低能耗的精密电路中，提高整体系统效率。

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￥68.3335 ￥71.93
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￥65.1035 ￥68.53
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￥59.508 ￥62.64
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￥54.625 ￥57.5

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型号：GC3D50170H 编号：C7435086

封装：TO-247-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:158nC 总功率(Ptot):725W

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￥74.9
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￥69.9
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￥63.9
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型号：E4D20120A-HXY 编号：C52195051

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.45V，具备良好的导通效率。基于碳化硅半导体材料，该器件具有优异的开关特性和高温工作能力，可有效降低开关损耗并提升系统热稳定性。适用于高效率电力转换场景，如服务器电源、储能系统逆变单元及高压直流变换模块，在高频运行条件下仍能保持较低的能量损耗和可靠的电气性能，有助于提高整体电源系统的功率密度与运行效率。

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￥98.4295 ￥103.61
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￥93.9075 ￥98.85
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￥79.249 ￥83.42

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型号：RJS6004TDPP-EJ#T2-HXY 编号：C53468102

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料的特性，具备优异的高频性能与低导通损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。器件结构设计支持快速开关操作，有助于降低系统整体能耗并提升功率密度。

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￥149.815 ￥157.7
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￥142.633 ￥150.14

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型号：CI04S65E3 编号：C967703

封装：TO-252

品牌：Tokmas(托克马斯)

碳化硅SiC

数据手册

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￥4.68
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￥3.81
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￥3.38
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￥2.96
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￥2.37
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￥2.24

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型号：GC4D08120A 编号：C7435075

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:37nC 总功率(Ptot):270W

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￥7.9376 ￥9.02
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￥6.5736 ￥7.47
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￥5.764 ￥6.55
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￥4.5408 ￥5.16
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￥4.3736 ￥4.97

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型号：SIDK10G65C5XTMA2 编号：C49450336

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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￥11.69
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￥9.88
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￥7.59

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型号：YFWD315065AC 编号：C41382616

封装：TO-220AC

品牌：YFW(佑风微)

碳化硅二极管

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￥12.255 ￥12.9
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￥11.172 ￥11.76
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￥10.754 ￥11.32
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￥10.07 ￥10.6
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￥9.7565 ￥10.27
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￥9.6235 ￥10.13

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型号：GK30D650H 编号：C52976459

封装：TO-247AC

品牌：GOODWORK(固得沃克)

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点，适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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￥12.4165 ￥13.07
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￥7.6665 ￥8.07
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￥7.429 ￥7.82

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型号：YFWD310065FCT 编号：C53403737

封装：TO-220F

品牌：YFW(佑风微)

IFSM/A：33、VRRM/V：650、VF/V：1.45、碳化硅二极管、TO-220F、最小包装量：50PCS/管，1K/盒

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￥12.54
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￥10.66
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￥9.49
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￥8.28

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型号：C3D06060A 编号：C5693025

封装：TO-220-2

品牌：CREE LED

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￥13.62
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￥11.65
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￥10.41
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￥9.15
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￥8.57

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型号：HC3D10065E 编号：C22449557

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高功率应用优化，耐压650V确保了在严苛电压条件下的可靠性。10A大电流处理能力结合仅1.3V的低正向压降，标志着其在电流转换中的高效表现，是追求极致能效与热管理解决方案的不二之选。

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￥8.4568 ￥9.61

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型号：SCS210AGC17 编号：C3759146

封装：TO-220ACFP

品牌：ROHM(罗姆)

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￥12.61
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￥9.54
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￥8.84

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型号：ASYD040120C 编号：C50132428

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=40A@Tc=141℃, Vf=1.5V@40A

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￥15.4185 ￥16.23
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￥13.129 ￥13.82
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￥11.704 ￥12.32
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￥10.2315 ￥10.77
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￥9.5665 ￥10.07
990+
￥9.2815 ￥9.77

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型号：CRXU30D065G2 编号：C39930207

封装：TO-247-2

品牌：CRMICRO(华润微)

是第二代碳化硅JBS，具有较低的正向压降(VF)，提供了先进的性能。专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。

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￥16.47
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￥14.06
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￥12.55
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￥10.31

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型号：HSTPSC10H12BTR 编号：C42389196

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10A的正向平均电流(IF)能力和高达1200V的反向耐压(VR)，适用于需要承受高电压的应用。其正向电压降(VF)为1.4V，有助于减少热损耗。该器件还表现出优秀的电性能，包括仅100μA的低反向漏电流(IR)以及90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)能力，能够有效应对突发的大电流情况。它适合于那些要求高效能与稳定性的电力转换和管理电路中使用。