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  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
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  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
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  • 碳化硅肖特基二极管没有开关损耗,由于采用新型半导体材料——碳化硅,提供比硅二极管更高的系统效率,支持更高的运行频率,并且有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压状况下的稳健运行
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    650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
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    汽车级650V TO-220 D2PAK SiC功率肖特基二极管
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      ¥17.667728 / 个
    汽车用650 V、20 A碳化硅功率肖特基二极管
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    汽车用650 V、10 A碳化硅功率肖特基二极管
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