sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BCA120S15D2 编号：C42401692

封装：TO-247-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,1200V,15A

1+
￥4.38
10+
￥3.53
30+
￥3.11
90+
￥2.7

有货

立即购买

型号：LGE3D06065A 编号：C25097540

封装：TO-220AC

品牌：LGE(鲁光)

1+
￥4.47
10+
￥4.37
50+
￥4.3
100+
￥4.23

订货

我要订货

型号：BCH65S016D2 编号：C47715882

封装：TO-220-2

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,16A

1+
￥5.82
10+
￥4.71
50+
￥4.16
100+
￥3.61
500+
￥3.28
1000+
￥3.11

有货

立即购买

型号：HC3D10065F 编号：C45896881

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)和650V的反向电压(VR)耐压能力，适用于多种电力转换设备。其正向电压(VF)为1.3V，有助于减少能量损耗，同时在断开状态下仅有50uA的反向漏电流(IR)，提高了能效。瞬态正向电流(IFSM)可达80A，确保了在突发高电流情况下的可靠性。这些特点使得该二极管非常适合用于需要高效、稳定电源管理的应用场景，满足对高性能电子组件的需求。

1+
￥12.07
10+
￥11.79
50+
￥11.61
100+
￥11.43

订货

我要订货

型号：HFFSP2065BF085 编号：C42389179

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有20安培的最大平均正向电流（IF/A），适用于要求苛刻的电流处理应用。其额定反向电压（VR/V）为650伏特，确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向电流（IR/uA）为100微安，体现了良好的绝缘性能。此外，瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）高达123安培，增强了其应对瞬间大电流冲击的能力。这些特性使其非常适合用于需要高效能和稳定性的电路中。

1+
￥12.55
10+
￥12.27
50+
￥11.93
100+
￥11.74

订货

我要订货

型号：LGE3D15065H 编号：C51018421

封装：TO-247-2

品牌：LGE(鲁光)

商品目录碳化硅二极管；整流电流 15A；正向压降(Vf) 1.43V@15A；直流反向耐压(Vr) 650V；反向电流(Ir) 10uA@650V

1+
￥13.07
10+
￥11.11
30+
￥9.89
90+
￥8.63
510+
￥8.07
990+
￥7.82

订货

我要订货

型号：C6D08065E-TR 编号：C5713493

封装：TO-252

品牌：WOLFSPEED

1+
￥13.94
10+
￥11.83
30+
￥10.51

有货

立即购买

型号：C3D08065I 编号：C5589529

封装：TO-220-2

品牌：WOLFSPEED

特性：650 伏肖特基整流器。陶瓷封装提供 2.5kV 隔离。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关特性。正向电压（VF）正温度系数。应用：暖通空调。开关模式电源（SMPS）

1+
￥16.83
10+
￥14.42
50+
￥12.91

有货

立即购买

型号：CI15S120M3 编号：C967727

封装：TO-263-2

品牌：Tokmas(托克马斯)

碳化硅SiC

数据手册

1+
￥17.79
10+
￥15.38
50+
￥11.97
100+
￥10.43
500+
￥9.73
1000+
￥9.43

订货

我要订货

型号：JCD30S120T6 编号：C51484308

封装：TO-247-2

品牌：JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：正温度系数，可用于并联。零反向恢复电流。低泄漏电流。与温度无关的开关特性。正向电压具有正温度系数。单极整流器。应用：开关模式电源 (SMPS)。5G基站

1+
￥18.88
10+
￥16.2
30+
￥14.61

有货

立即购买

型号：C4D05120E-TR 编号：C5713497

封装：TO-252

品牌：WOLFSPEED

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

1+
￥26.27
10+
￥22.49
30+
￥20.23

有货

立即购买

型号：LSIC2SD120A10A-HXY 编号：C45896875

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有12A的正向电流(IF)和1200V的反向电压(VR)，适用于高要求的电力转换场景。其正向电压(VF)为1.35V，有助于降低能耗，提升效率。漏电流(IR)控制在150微安(uA)，确保了使用的安全性与稳定性。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)高达130A，使其能够承受较高的瞬态电流冲击，非常适合用于高效能电源供应及可再生能源系统中，增强设备的耐用性和运行效率，满足严苛的应用需求。

1+
￥29.37
10+
￥28.7
50+
￥28.25
100+
￥27.8

订货

我要订货

型号：C3D20065D 编号：C7455321

封装：TO-247-3

品牌：WOLFSPEED

特性：650伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

1+
￥35.83
10+
￥31.1
30+
￥28.22

有货

立即购买

型号：GD05MPS17H 编号：C28089873

封装：TO-247-2

品牌：Navitas(纳微)

特性：第四代薄芯片技术，实现低正向电压（VF）。增强浪涌和雪崩耐受性。卓越的品质因数（QC/IF）。低热阻。低反向漏电流。温度独立。应用：EV快速充电器。太阳能逆变器

1+
￥41.19
10+
￥35.43
50+
￥31.91

有货

立即购买

型号：GD10MPS17H 编号：C23207194

封装：TO-247-2

品牌：Navitas(纳微)

1+
￥42.9
10+
￥41.89
50+
￥41.22

有货

立即购买

型号：HIDWD40G120C5 编号：C42389187

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管拥有40安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及1200伏特的反向电压（VR/V）耐受度，适用于高电压和大电流需求的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低工作时的能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）为300微安，表明其具有较好的阻断特性。此外，该二极管能够承受瞬间高达161安培的正向浪涌电流（IFSM/A），提升了其在非稳态条件下的可靠性和鲁棒性。因此，这种二极管非常适合应用于需要快速开关和高效率的电源转换器等场合。

1+
￥47.62
10+
￥41.08
30+
￥37.1
90+
￥33.76

订货

我要订货

型号：HNDSH30120CF155 编号：C42389186

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有卓越的电气特性，其正向平均电流(IF)为30A，反向耐压(VR)达到1200V，确保了在高压环境下的稳定工作。正向电压降(VF)仅为1.5V，有助于减少系统能量损耗。此外，该器件的反向漏电流(IR)控制在250μA以内，非重复峰值浪涌电流(IFSM)可达121A，提供了良好的过载保护能力。这款二极管适合用于需要高效能、高可靠性的电子电路设计中。

1+
￥47.62
10+
￥41.08
30+
￥37.1
90+
￥33.76

订货

我要订货

型号：B1D20120F 编号：C3037974

封装：TO-263-2

品牌：BASiC(基本)

特性：极低的反向电流。无反向恢复电流。温度无关的开关特性。正向电压VF具有正温度系数。出色的浪涌电流能力。低电容电荷。应用：开关模式电源（SMPS）。不间断电源

数据手册

1+
￥50.43
10+
￥43.51
30+
￥39.29

有货

立即购买

型号：HC5D20170H 编号：C41428792

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的最大电流（IF）承载能力，以及高达1700伏特的反向电压（VR），适用于需要高电压隔离与快速开关性能的应用。其正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时，减少了能量损耗。此元件凭借碳化硅材料的优良特性，能够在高温和高频条件下稳定工作，是追求高性能电子线路设计的理想选择。

1+
￥53.4
10+
￥46.07
30+
￥41.61
90+
￥37.86

订货

我要订货

型号：GD2X30MPS12D 编号：C22609022

封装：TO-247-3

品牌：Navitas(纳微)

特性：第四代薄芯片技术，实现低正向电压和卓越的品质因数Qc*VF。 100%雪崩（UI/L）测试。增强的浪涌电流耐受能力。温度无关的快速开关。低热阻。正向电压的正温度系数。应用：功率因数校正（PFC）。电动汽车和电池充电器

1+
￥118.84
10+
￥115

有货

立即购买

型号：L3D06065P 编号：C481311

封装：TO-220-2L

品牌：Liown(里阳半导体)

数据手册

1+
￥5.08
10+
￥4.96
50+
￥4.87
100+
￥4.78

订货

我要订货

型号：STPSC6H065D 编号：C472624

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

数据手册

1+
￥6.5
50+
￥6
100+
￥5.9
500+
￥5.7
1000+
￥5.6

我要订货

型号：L3D06065I 编号：C481566

封装：TO-220-2

品牌：Liown(里阳半导体)

数据手册

1+
￥9.21
10+
￥7.48
50+
￥7.03
100+
￥5.96
500+
￥5.49
1000+
￥5.27

订货

我要订货

型号：IDH10G65C5 编号：C535872

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（已在第三代产品中引入），现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都能提高效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数 (Qc×Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代产品旨在与我们的 650V CoolMOS 系列产品互补，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

数据手册