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2 x 650V串联、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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￥28.41
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型号：FFSD08120A 编号：C605089

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。

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￥30.83
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￥30.12
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￥29.64

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型号：STPSC10H12B2-TR 编号：C3758106

封装：DPAK

1200V、10A、碳化硅功率肖特基二极管

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￥33.12
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￥31.79

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型号：SCS210KNHRTRL 编号：C25322467

封装：TO-263-2L

品牌：ROHM(罗姆)

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￥38.88

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型号：IDW15G120C5BFKSA1 编号：C3757618

封装：TO-247-3

特性：革命性的半导体材料。碳化硅：无反向恢复电流/无正向恢复。温度无关的开关特性。即使在高工作温度下也具有低正向电压。正向电压分布紧密。出色的热性能。应用：太阳能逆变器。不间断电源

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￥42.71
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型号：STPSC15H12G2-TR 编号：C3758794

封装：D2PAK-HV

1200V、15A、碳化硅功率肖特基二极管

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型号：IDK16G120C5XTMA1 编号：C42433297

封装：TO-263-2

系统效率比硅二极管更高。可实现更高频率/更高功率密度解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件，节省了系统尺寸和成本。降低电磁干扰。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管运行稳定。高可靠性

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￥52.93
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型号：STPSC15H12G2Y-TR 编号：C3759120

封装：D2PAK-HV

汽车级 1200V、15A、碳化硅功率肖特基二极管

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型号：UJ3D06530TS 编号：C44870517

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

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型号：STPSC20H12G2-TR 编号：C3759227

封装：D2PAK-HV

1200V、20A、碳化硅功率肖特基二极管

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型号：HC1D100065H 编号：C41428790

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有卓越的电气特性，整流电流IF最高可达100安培，反向耐压VR为650伏特，而正向电压VF低至1.3伏特。这些参数表明它能在大电流条件下工作，并且由于较低的VF值，可以有效降低导通时的能量损失。适用于需要处理高电流且要求高效能的应用场景，如高频电源转换或其它需要快速开关特性的电路设计中，能够提升系统的整体效率并保持良好的热稳定性。

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型号：IDH20G65C5XKSA2 编号：C3758536

封装：TO-220-2

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（在第三代中已引入）现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

单价：
￥74.45 / 个

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型号：NDSH40120CDN 编号：C5209018

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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型号：MSC030SDA120K 编号：C6600440

封装：TO-220-2

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型号：MSC015SDA120B 编号：C3760132

封装：TO-247

特性：超快恢复时间。软恢复特性。低正向电压。低漏电流。雪崩能量额定。符合RoHS标准。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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型号：STPSC20H12DY 编号：C2970552

封装：TO-220-2

汽车用1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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型号：MSC030SDA070BCT 编号：C3758972

封装：TO-247-3

特性：无反向恢复/无正向恢复。低正向电压。低漏电流。雪崩能量额定。符合RoHS标准。高开关频率。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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型号：MSC050SDA120B 编号：C3758580

封装：TO-247

碳化硅 (SiC) 功率肖特基势垒二极管 (SBD) 产品线可在高压应用中提高性能，同时降低总体拥有成本。

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型号：MSC050SDA120S 编号：C6916590

封装：D3PAK

特性：低正向电压。低泄漏电流。无反向恢复电流/无正向恢复。雪崩能量额定。符合RoHS标准。应用：功率因数校正（PFC）。反并联二极管

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型号：LJP04065 编号：C49318146

封装：TO-220AC

品牌：luJing(鲁晶)

特性：650V 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。用单极整流器替代双极整流器。应用：开关电源 (SMPS)。功率因数校正

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￥2.240195 ￥2.3581
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￥1.770895 ￥1.8641
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￥1.569875 ￥1.6525
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型号：LJP10120 编号：C49318151

封装：TO-220AC

品牌：luJing(鲁晶)

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￥2.8248 ￥3.21
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型号：BCI65S10D3 编号：C52269252

封装：TO220N-2L

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

碳化硅二极管,650V,10A

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￥3.82
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￥2.15
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型号：KS04065-A 编号：C42377508

封装：TO-220-2L

品牌：SGKS(森国科)

特性：肖特基整流器 / 650-Volt肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高工作频率。不受温度影响的开关特性。高速开关。应用：开关电源 / 开关模式电源 (SMPS)。功率因数校正

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型号：STPSC406B-TR 编号：C127908

封装：TO-252(DPAK)

SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管，采用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计额定电压为600V的肖特基二极管结构。由于肖特基结构，关断时无恢复，振铃模式可忽略不计。最小电容关断特性与温度无关。ST SiC二极管将提升硬开关条件下PFC操作的性能。

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￥8.46
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型号：IDH05G65C5XKSA2 编号：C3760028

封装：TO-220-2

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（已在第三代中引入）现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都能提高效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥10.65
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型号：IDH08G65C5XKSA2 编号：C672133

封装：TO-220-2