sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TRS10E65H,S1Q 编号：C20247652

封装：TO-220-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第三代芯片设计。低正向电压：Vₚ = 1.2 V (典型值)。低总电容电荷：Qc = 27 nC (典型值)。低反向电流：Iₑ = 2.0 μA (典型值)。应用：功率因数校正。太阳能逆变器

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￥15.57
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￥15.18
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￥14.92

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型号：F3C20065A 编号：C784609

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：650伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用：开关电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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￥16.47
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￥14.21
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型号：STPSC8065D 编号：C192070

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

650 V 碳化硅功率肖特基二极管

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￥20.36
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￥17.38
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型号：DSC04C065 编号：C19950054

封装：TO-220AC

品牌：DIODES(美台)

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￥22.64
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￥22.32

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型号：STPSC10065D 编号：C2942354

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

650 V 碳化硅功率肖特基二极管

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￥25.9
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￥22.31
30+
￥20.17

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型号：IDH03SG60CXKSA2 编号：C5361091

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：SMPS，例如CCM PFC。电机驱动

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￥28.47
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￥24.18
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型号：FFSH1265BDN-F085 编号：C898151

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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1+
￥31.19
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型号：C3D10065A 编号：C6802702

封装：TO-220-2

品牌：WOLFSPEED

凭借碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势，电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准，同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联以满足各种应用需求，无需担心热失控。结合 SiC 产品减少的散热要求和改进的热性能，SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。

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￥33.1
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￥28.44
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￥25.6

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型号：IDK08G65C5XTMA2 编号：C3758485

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

单价：
￥33.98 / 个

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型号：SCS206AMC 编号：C3759267

封装：TO-220FM

品牌：ROHM(罗姆)

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￥35.97
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￥35.06
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￥34.45

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型号：STPSC10H12G-TR 编号：C2971499

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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￥37.96
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￥37.12
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￥36.56

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型号：HC6D30065H 编号：C42389278

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有30A的正向平均电流(IF)和650V的反向电压(VR)，适合高压应用。其正向电压(VF)低至1.3V，有助于降低系统功耗。反向漏电流(IR)为150μA，确保了良好的绝缘性能。此外，该二极管支持高达210A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，增强了应对突发情况的能力。凭借优异的热稳定性和快速开关特性，适用于高效能电源转换器及逆变装置中，以实现更加紧凑和可靠的设计。

1+
￥38.01
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￥32.79
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型号：HIDW30G120C5B 编号：C42389231

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有30安培的额定正向电流（IF/A），并且能够承受最高1200伏特的反向电压（VR/V），适用于高电压和大电流需求的电路设计中。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，表明在导通状态下能保持较低的能量损耗。反向漏电流（IR/uA）为200微安，显示了其在非导通模式下的良好隔离性。此外，该二极管支持高达100安培的瞬态正向电流（IFSM/A），使其能够在面对突然增加的电流负荷时维持稳定的工作状态。这些特性使其非常适合应用于需要高效能电力转换及控制的场合。

1+
￥40.43
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￥34.74
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￥31.27
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型号：HNDSH30120CDN 编号：C42389248

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有优异的电气特性，支持高达30A的正向平均电流IF和1200V的反向耐压VR，适用于需要承受高电压的工作环境。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少热损耗并提高效率。该二极管的反向漏电流IR低至200μA，保证了良好的电能管理；同时，非重复峰值浪涌电流IFSM达到100A，增强了对瞬时大电流冲击的抵抗力。它适合于各种追求高效、稳定性能的应用场合。

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￥40.82
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￥35.08
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￥31.57
90+
￥28.64

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型号：NDSH20120C 编号：C3757891

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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1+
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型号：WNSC101200Q 编号：C602697

封装：TO-220-2L

品牌：WeEn(瑞能)

碳化硅SiC

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￥47.25
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型号：HIDW40G120C5B 编号：C42389222

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有40安培的正向电流（IF）承载能力，以及1200伏特的反向击穿电压（VR），表明其可以在高压和大电流条件下可靠运作。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。反向漏电流（IR）控制在200微安，这保证了在非导通状态下的低能耗特性。瞬态正向电流（IFSM）可达130安培，意味着它可以在短时间内处理电流尖峰。这些特性使得该二极管非常适合应用于需要高性能整流和高效率转换的电路设计中。