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碳化硅肖特基二极管

型号：HWNSC101200WQ 编号：C42389298

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在高电流应用中能有效降低能耗。在反向偏压下，其漏电流（IR）控制在微安级别，具体为250微安，表明其优秀的阻断性能。此外，瞬态条件下，该二极管的最大正向浪涌电流（IFSM）可达67安培，适合用于需要瞬间处理大电流的应用场合。这些特性使得此款二极管适用于多种电子设计中，作为高效能的开关元件使用。

1+
￥17.6205 ￥20.73
10+
￥15.062 ￥17.72
30+
￥13.5405 ￥15.93
90+
￥12.002 ￥14.12
510+
￥11.2965 ￥13.29
990+
￥10.9735 ￥12.91

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS220AGHRC 编号：C42389317

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备20安培的正向电流（IF/A），能够处理较大的电力负荷，同时拥有650伏特的反向重复峰值电压（VR/V），适合用于高压环境。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，在高电流通过时能有效降低能量损耗。反向漏电流（IR/uA）控制在100微安，表明在关闭状态下具有良好的绝缘特性。最大瞬态正向电流（IFSM/A）达到123安培，增强了应对突发电流的能力，适用于要求高性能与可靠性的电路设计方案中。

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￥17.697 ￥20.82
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￥15.13 ￥17.8
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￥13.6 ￥16
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￥12.0615 ￥14.19
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￥11.3475 ￥13.35
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￥11.0245 ￥12.97

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP10120A 编号：C42389242

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的最大正向电流（IF/A），可承受高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.35V，在250微安反向电流（IR/uA）下的漏电流表现良好。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）达到71A，表明它能够在短时间内处理较大的电流波动。该二极管适用于高频开关及需要降低能量损耗的应用中，其出色的性能使其成为追求高效转换设计的理想选择。

1+
￥17.8948 ￥21.56
10+
￥15.2969 ￥18.43
50+
￥13.7531 ￥16.57
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￥12.1927 ￥14.69
500+
￥11.4706 ￥13.82
1000+
￥11.1469 ￥13.43

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1200V/20A碳化硅肖特基二极管

型号：ASD20120C 编号：C2688447

封装：TO-247-2

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压1200V、正向电流20A、正向压降≤1.8V@20A、结温-55~175℃，零反向恢复电流，适合高温/高频运行；功能：高压整流/续流、PFC电路；应用：电机驱动器，太阳能应用，不间断电源系统，功率切换电路等

数据手册

1+
￥18.45 ￥36.9
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￥15.875 ￥31.75
30+
￥13.615 ￥27.23
100+
￥12.3 ￥24.6

有货

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HC1D16065H

型号：HC1D16065H 编号：C41428789

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气性能，其最大整流电流IF可达16安培，反向击穿电压VR高达650伏特，正向电压降VF仅为1.3伏特，确保了在高功率密度应用中的高效能表现。该二极管适用于需要高速开关及低功耗特性的场合，能够在高频电路中提供稳定的电流控制，同时减少能量损耗。其坚固的结构设计使得即使在严苛的工作环境下也能保持可靠运行。这些特性使其成为要求高性能电子设备的理想选择。

1+
￥18.8908 ￥22.76
10+
￥16.1518 ￥19.46
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￥14.5167 ￥17.49
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￥12.8733 ￥15.51
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￥12.1097 ￥14.59
990+
￥11.7694 ￥14.18

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC15H12WL 编号：C42389245

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备15安培的最大正向电流（IF/A），同时支持高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，在反向状态下，漏电流（IR/uA）维持在200微安水平。该元件还拥有87安培的瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A），适合应用于要求高效能及高频率切换的电路设计中，确保在复杂条件下的稳定性和可靠性。

1+
￥18.9635 ￥22.31
10+
￥16.218 ￥19.08
30+
￥14.5775 ￥17.15
90+
￥12.9285 ￥15.21
510+
￥12.1635 ￥14.31
990+
￥11.815 ￥13.9

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP15120A 编号：C42389252

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有15安培的正向电流（IF/A），并能承受最高1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.27伏特，有助于减少能量损失，提高效率。反向漏电流（IR/uA）不超过200微安，展示了优异的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达100安培，表明其具有较强的抗电流冲击能力。这些特性使该二极管成为需要高电压耐受性和低能量损耗的应用中的理想选择。

1+
￥19.4225 ￥22.85
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￥16.6005 ￥19.53
50+
￥14.926 ￥17.56
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￥13.2345 ￥15.57
500+
￥12.4525 ￥14.65
1000+
￥12.104 ￥14.24

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DDF3D10170H

型号：DDF3D10170H 编号：C51901953

封装：TO-247-2L

品牌：DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 10A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 1700V 正向压降VF： 1.7V@10A 反向电流IR： 18uA 结温TJ：-55~+175℃

1+
￥20.3872 ￥22.16
10+
￥17.4248 ￥18.94
30+
￥15.6676 ￥17.03
90+
￥13.892 ￥15.1
510+
￥13.0732 ￥14.21
1200+
￥12.696 ￥13.8

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12CWL 编号：C42389243

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流容量（IF/A），并能承受最高1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4V，在反向电流（IR/uA）为150微安时表现出较低的漏电特性。此外，该二极管能够承受高达46A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），适合用于需要快速开关且注重效率的应用场景，尤其在减少能量损失和提高系统可靠性方面有显著优势。

1+
￥20.587 ￥24.22
10+
￥17.6715 ￥20.79
30+
￥15.929 ￥18.74
90+
￥14.178 ￥16.68
510+
￥13.362 ￥15.72
990+
￥12.9965 ￥15.29

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH20G120C5XKSA1 编号：C42389304

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，正向电流IF为20A，反向电压VR达到1200V，确保了在高压环境下的稳定工作。其正向压降VF仅为1.5V，有助于减少功率损耗；反向漏电流IR控制在200μA以内，保证了设备的低功耗性能。此外，单周期浪涌电流IFSM高达130A，增强了产品应对瞬时大电流冲击的能力。该器件适用于要求高效率、高温及高频工作的电子电路中，如电源转换器等场合。

1+
￥20.791 ￥24.46
10+
￥17.7735 ￥20.91
50+
￥15.98 ￥18.8
100+
￥14.1695 ￥16.67
500+
￥13.328 ￥15.68
1000+
￥12.954 ￥15.24

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNDSH20120C 编号：C42389247

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有20安培的正向电流容量（IF/A），并能承受1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向测试中，漏电流（IR/uA）不超过200微安。此外，该二极管能够承受高达130安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），适用于高频开关和电源管理电路中，保障了在复杂环境下的高效与稳定性。

1+
￥21.248 ￥25.6
10+
￥18.1687 ￥21.89
30+
￥16.3344 ￥19.68
90+
￥14.4835 ￥17.45
510+
￥13.6286 ￥16.42
990+
￥13.2385 ￥15.95

有货

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SICF1060P

型号：SICF1060P-HXY 编号：C45896878

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有10A的正向电流

1+
￥22.095 ￥24.55
10+
￥18.954 ￥21.06
50+
￥17.091 ￥18.99
100+
￥15.21 ￥16.9
500+
￥14.337 ￥15.93
1000+
￥13.95 ￥15.5

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH10120AF085 编号：C42389182

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流能力（IF/A），以及1200伏特的最高反向电压承受能力（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低在导通状态下的功耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温条件下测量为250微安，表现出良好的绝缘性能。该元件可承受高达67安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），适用于需要应对短暂高电流冲击的应用场景，如高性能开关电源转换器和其他要求快速切换且高效运作的电子设备。

1+
￥23.9272 ￥27.19
10+
￥20.4512 ￥23.24
30+
￥18.392 ￥20.9
90+
￥16.3064 ￥18.53
510+
￥15.3384 ￥17.43
990+
￥14.9072 ￥16.94

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSB10120AF085 编号：C42389197

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A）处理能力，以及高达1200V的反向电压（VR/V），适用于高耐压和中等电流的应用场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，在高效能操作时可减少电力损耗。反向电流（IR/uA）为100微安，表明在非导通期间有良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达90A，使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值，适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。

1+
￥25.4478 ￥30.66
10+
￥21.7543 ￥26.21
30+
￥19.5631 ￥23.57
100+
￥17.3387 ￥20.89
500+
￥16.3178 ￥19.66
800+
￥15.853 ￥19.1

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：DSC05120-HXY 编号：C45896879

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF)，能够承受高达1200V的反向电压(VR)，适用于高要求的电力转换系统。其正向电压(VF)为1.4V，保证了较低的能量损耗，同时反向漏电流(IR)仅为100uA，减少了不必要的能耗。瞬态正向电流(IFSM)可达45A，增强了对短时峰值电流的耐受能力。这些特性使其成为高效能电力电子设备中的关键组件，特别适合于需要稳定高压操作和高效能表现的应用场景。

1+
￥25.488 ￥28.32
10+
￥21.87 ￥24.3
50+
￥19.719 ￥21.91
100+
￥17.55 ￥19.5
500+
￥16.542 ￥18.38
1000+
￥16.092 ￥17.88

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC4D30120H 编号：C19723891

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，具有1200V高反向耐压和30A大电流承载能力，其正向导通电压VF低至1.5V。专为高效能、高频开关应用设计，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统等严苛环境下的高端电源转换与整流需求。

1+
￥26.232 ￥32.79
10+
￥22.536 ￥28.17
30+
￥20.288 ￥25.36
90+
￥18.4 ￥23

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：GP3D010A065B-HXY 编号：C45896872

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于高要求的电源转换场景。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗，而低至50uA的反向漏电流（IR）确保了更高的能效。该二极管瞬间能够承受高达80A的浪涌电流（IFSM），增强了设备在异常情况下的稳定性与可靠性。它特别适合应用于高效能源管理系统及需要紧凑设计与高性能表现的电力电子设备中。

1+
￥26.904 ￥28.32
10+
￥23.085 ￥24.3
30+
￥20.8145 ￥21.91
90+
￥18.525 ￥19.5
510+
￥17.461 ￥18.38
990+
￥16.986 ￥17.88

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH3065A 编号：C42389264

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有30安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受高达650伏特的最大反向电压（VR/V），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管在正向导通时的电压降（VF/V）仅为1.3伏特，这有助于减少能量损失并提高效率。其反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过150微安，表明其具有良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达210安培，适合需要处理瞬时大电流的应用场合。此二极管适用于需要高效能及稳定性的电路设计中。

1+
￥27.4032 ￥31.14
10+
￥23.4256 ￥26.62
30+
￥21.0672 ￥23.94
90+
￥18.6736 ￥21.22
510+
￥17.5736 ￥19.97
990+
￥17.072 ￥19.4

有货

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零恢复碳化硅肖特基二极管

型号：MSC010SDA120K 编号：C5785548

封装：TO-220-2

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

碳化硅 (SiC) 功率肖特基势垒二极管 (SBD) 产品线可提高性能，同时降低高压应用的总体拥有成本。

1+
￥32.89
10+
￥31.97
50+
￥31.35

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：RSS40120K 编号：C7465284

封装：TO-247-3

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

应用：车载OBC，PHEV/EV充电桩，电信级电源、服务器电源,大功率工业电源，电机驱动器,UPS电源,太阳能/风能逆变器，家电,医疗，远洋设备，电网，机器人，新能源汽车，动车

1+
￥33.687 ￥35.46
10+
￥29.6495 ￥31.21
30+
￥27.189 ￥28.62
90+
￥25.1275 ￥26.45

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HWNSC201200CWQ 编号：C42389313

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，并能承受高达1200V的反向电压(VR/V)，适用于需要高压和稳健电流管理的应用场景。其正向电压(VF/V)为1.5V，有效降低了导通损耗。二极管的反向漏电流(IR/uA)为250微安，在非导通状态下提供可靠的隔离性能。同时，它还能承受71A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)，增强了在复杂环境下的耐用性，适合用于追求高效与稳定性的各类电路设计中。

1+
￥34.59
10+
￥29.72
30+
￥26.76

有货

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YJD112040NGG2

型号：YJD112040NGG2 编号：C20605604

封装：TO-247AC

品牌：YANGJIE(扬杰)

1+
￥38.45
10+
￥37.61
36+
￥37.05

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：HNDSH10170A 编号：C42389237

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及高达1700伏特的反向电压（VR/V）耐受度，适用于需要高电压隔离的应用。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少功耗。二极管在反向偏置状态下的漏电流（IR/uA）仅为60微安，保证了良好的阻断效果。瞬态条件下，它能够承受55安培的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了应对短时电流冲击的能力。这些特性使得该二极管适用于高频率开关电路以及其他注重效率和可靠性的场合。

1+
￥41.272 ￥46.9
10+
￥35.7896 ￥40.67
30+
￥32.4544 ￥36.88
90+
￥29.6472 ￥33.69

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：YJD106520BQG3Q 编号：C22468577

封装：TO-263

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：正温度系数。与温度无关的开关特性。最高工作温度为175℃。单极器件，零反向恢复电流。本质上无开关损耗。减少散热片需求。应用：功率因数校正（PFC）。太阳能逆变器

1+
￥44.04
10+
￥38.37
30+
￥34.91

有货

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碳化硅肖特基二极管

型号：YJD112040NCTGG2 编号：C20605603

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：正温度系数。温度无关的开关特性。最高工作温度为175°C。单极器件，零反向恢复电流。零正向恢复电流。基本无开关损耗。应用：功率因数校正（PFC）。太阳能逆变器

1+
￥48.22
10+
￥47.07
36+
￥46.31

有货

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碳化硅肖特基二极管 650V 30A

型号：FFSB3065B 编号：C898610

封装：D2PAK-2(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、开关特性与温度无关，且热性能优异，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

数据手册

1+
￥51.89
10+
￥44.77
30+
￥40.43

有货

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双650V功率碳化硅肖特基二极管

型号：STPSC10TH13TI 编号：C2971600

封装：TO-220AB

品牌：ST(意法半导体)

2 x 650V串联、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

数据手册

1+
￥53.9333 ￥68.27
10+
￥40.7997 ￥59.13
30+
￥31.6063 ￥53.57
100+
￥28.851 ￥48.9

有货

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SiC肖特基势垒二极管，1200V，20A

型号：SCS220KGC17 编号：C3758662

封装：TO-220ACFP

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥57.81
10+
￥56.42
30+
￥55.5

有货

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STTH6006TV1-HXY

型号：STTH6006TV1-HXY 编号：C53133709

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性和阻断能力。器件可承受高达600A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源系统，尤其在对开关速度、热稳定性和动态响应有较高要求的电力电子应用中具有优势。

1+
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GHXS030A060S-D3-HXY

型号：GHXS030A060S-D3-HXY 编号：C53133712

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通效率与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，适用于高频开关电源、高功率密度变换器等对动态响应和热管理要求较高的电力电子系统。

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