SMC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MURS360 编号：C499770

封装：SMC

品牌：SMC(桑德斯)

特性：超快速开关。高电流能力。低反向漏电流。高浪涌电流能力。塑料材料具有UL 94V-0阻燃等级。这是无铅器件。所有SMC部件可追溯到晶圆批次。可应要求提供额外测试

数据手册

5+
￥1.3556
50+
￥1.0681
150+
￥0.9449
500+
￥0.7912
3000+
￥0.7056
6000+
￥0.6646

有货

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型号：SMC5349A 编号：C5161198

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

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5+
￥1.444
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￥1.1416
150+
￥1.012
500+
￥0.8503
3000+
￥0.7423
6000+
￥0.699

有货

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型号：SMC5353A 编号：C5161201

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.444
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￥1.1416
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￥1.012
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￥0.8503
3000+
￥0.7423
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￥0.699

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型号：B390-13-F-HXY 编号：C53262824

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压达90V。其正向压降为0.74V，在导通时维持相对较低的功率损耗；反向漏电流为200μA，适用于对反向阻断性能有一定容忍度的电路环境。该器件常用于开关电源、适配器、电池供电设备及各类直流转换电路中，在兼顾效率与耐压需求的场合下可提供稳定可靠的整流功能。

1+
￥1.501 ￥1.58
10+
￥1.463 ￥1.54
30+
￥1.444 ￥1.52
100+
￥1.425 ￥1.5

有货

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型号：SS1545C 编号：C53403625

封装：SMC

品牌：YFW(佑风微)

I(AV)/A：15、VRRM/V：45、Trr/ns：10、VF/V：0.55、肖特基管、SMC、最小包装量：3000PCS

5+
￥1.5326
50+
￥1.214
150+
￥1.0775

有货

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型号：B390Q-13-F-HXY 编号：C53262799

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和90V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.74V，在保证高效导通的同时有助于降低功耗。反向漏电流（IR）在额定条件下为200μA，表现出良好的反向阻断特性。器件适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中，能够在维持稳定电气性能的同时支持紧凑型电路布局。

1+
￥1.6245 ￥1.71
10+
￥1.5865 ￥1.67
30+
￥1.5675 ￥1.65
100+
￥1.539 ￥1.62

有货

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型号：VSMBRS360-M3/9AT-HXY 编号：C52988725

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。

5+
￥1.63533 ￥1.7214
50+
￥1.29542 ￥1.3636
150+
￥1.14969 ￥1.2102
500+
￥0.967955 ￥1.0189
3000+
￥0.887015 ￥0.9337
6000+
￥0.83847 ￥0.8826

有货

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型号：SS3H10-E3/9AT 编号：C467997

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。保护环用于过压保护。低功耗，高效率。低正向压降。低漏电流。高浪涌能力。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥1.6772
50+
￥1.3495
150+
￥1.2091
500+
￥1.0338

有货

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型号：RS3G-13-F 编号：C460930

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，实现高效率。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动组装。塑料材料：UL阻燃等级为94V-0

数据手册

5+
￥1.7424
50+
￥1.3907
150+
￥1.2041
500+
￥1.016

有货

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型号：STTH4R02S 编号：C222210

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

200 V、4 A高效超高速二极管

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1+
￥1.78
10+
￥1.74
30+
￥1.72

有货

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型号：NRVBS540T3G-HXY 编号：C52988729

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场景，常见于开关电源、适配器及各类高频电路中。

5+
￥1.84262 ￥1.9396
50+
￥1.45958 ￥1.5364
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￥1.29542 ￥1.3636
500+
￥1.0906 ￥1.148
3000+
￥0.9994 ￥1.052
6000+
￥0.94468 ￥0.9944

有货

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型号：SL44HE3_B/H-HXY 编号：C53262807

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，有助于在大电流工作时维持较低的功耗；反向漏电流仅为0.1μA，体现出优异的反向阻断能力。这些电气特性使其适用于高频整流、开关电源中的续流保护以及对效率和温升敏感的各类电子电路。

1+
￥1.9285 ￥2.03
10+
￥1.8905 ￥1.99
30+
￥1.862 ￥1.96
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￥1.8335 ￥1.93

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型号：CMSH3-60TR13-HXY 编号：C52988722

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压达60V。其正向压降为0.7V，在导通时维持较低的功耗；反向漏电流为100μA，具备良好的反向阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源次级侧输出、便携式电子设备电源管理以及对效率和热性能有要求的低压直流转换场合。

5+
￥1.957855 ￥2.0609
50+
￥1.550875 ￥1.6325
150+
￥1.376455 ￥1.4489
500+
￥1.15881 ￥1.2198
3000+
￥1.06191 ￥1.1178
6000+
￥1.00377 ￥1.0566

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型号：SDUR1560CT 编号：C260351

封装：TO-220AB-3

品牌：SMC(桑德斯)

特性：超快开关。高电流能力。低反向漏电流。高浪涌电流能力。塑料材料具有UL可燃性等级94V-0。 “-A”是符合AEC-Q101标准的器件。应用：高频开关设备的反并联二极管。抗饱和二极管

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1+
￥2.0235 ￥3.55
10+
￥1.4899 ￥3.17
50+
￥1.1026 ￥2.98
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￥1.0323 ￥2.79
500+
￥0.9916 ￥2.68
1000+
￥0.9694 ￥2.62

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型号：CMSH3-40TR13-HXY 编号：C52988715

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率敏感的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及低压直流转换系统中。

5+
￥2.04991 ￥2.1578
50+
￥1.623835 ￥1.7093
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￥1.44115 ￥1.517
500+
￥1.21334 ￥1.2772
3000+
￥1.11188 ￥1.1704
6000+
￥1.050985 ￥1.1063

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型号：CMSH3-100TR13-HXY 编号：C52988706

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，在导通时可有效降低功耗；反向漏电流低至20μA，有助于维持系统在待机或轻载状态下的能效。器件支持高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出级以及对热性能和效率敏感的电子电路中，表现出良好的动态响应与稳定性。

5+
￥2.11907 ￥2.2306
50+
￥1.678555 ￥1.7669
150+
￥1.48979 ￥1.5682
500+
￥1.25419 ￥1.3202
3000+
￥1.14931 ￥1.2098
6000+
￥1.08642 ￥1.1436

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型号：VSSC520S-M3/57T 编号：C241922

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。沟槽MOS肖特基技术。低功率损耗，高效率。低正向压降。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：高频转换器。续流二极管

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5+
￥2.1291
50+
￥1.6856
150+
￥1.4955

有货

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型号：NRVBS3100T3G-HXY 编号：C52988709

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为20μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中，提供可靠的单向导通特性。

5+
￥2.3085 ￥2.43
50+
￥1.8335 ￥1.93
150+
￥1.6245 ￥1.71
500+
￥1.368 ￥1.44
3000+
￥1.254 ￥1.32
6000+
￥1.1875 ￥1.25

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型号：NRVBS4201T3G-HXY 编号：C53262820

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压达200V，适用于较高电压环境下的整流需求。其正向压降为0.92V，在保证耐压能力的同时维持较低的导通损耗；反向漏电流为20μA，体现出良好的反向截止特性。器件具备175A的非重复峰值正向浪涌电流承受能力，适合用于开关电源、高频整流及对瞬态电流耐受性要求较高的电子电路中。

1+
￥3.6955 ￥3.89
10+
￥3.61 ￥3.8
30+
￥3.553 ￥3.74
100+
￥3.496 ￥3.68

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型号：LSM840JE3/TR13-HXY 编号：C53262806

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向电压为40V。其正向压降低至0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流仅为0.1μA，体现出优异的反向阻断能力。凭借较低的VF与极小的IR，该器件适用于高效率电源转换、高频整流以及对能耗和热管理要求较高的电子设备中，能够支持系统稳定、高效运行。

1+
￥3.933 ￥4.14
10+
￥3.8475 ￥4.05
30+
￥3.7905 ￥3.99
100+
￥3.7335 ￥3.93

有货

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型号：HSM5100JE3/TR13-HXY 编号：C53262803

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为5A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为20μA，有助于提升系统效率与稳定性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源整流、高频逆变及各类低压大电流应用场景。

1+
￥4.921 ￥5.18
10+
￥4.807 ￥5.06
30+
￥4.7405 ￥4.99
100+
￥4.6645 ￥4.91

有货

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型号：HSM390JE3/TR13-HXY 编号：C53262800

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达90V。其典型正向压降（VF）为0.74V，在导通状态下可有效降低功率损耗；反向漏电流（IR）为200μA，体现出良好的反向截止性能。该器件适用于高频整流、开关电源次级侧输出、电池供电设备的极性保护以及各类对效率和热管理有要求的电子电路中，能够稳定支持持续负载运行。

1+
￥4.921 ￥5.18
10+
￥4.807 ￥5.06
30+
￥4.7405 ￥4.99
100+
￥4.6645 ￥4.91

有货

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型号：HSM835JE3/TR13-HXY 编号：C53262822

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在高电流工作时仍能保持较低的导通损耗；反向漏电流仅为0.1μA，展现出优异的反向阻断能力。此类参数特性使其适用于对效率和稳定性要求较高的电源整流、续流保护以及高频开关电路，常见于适配器、消费类电子设备及各类高效能电源模块中。

1+
￥4.921 ￥5.18
10+
￥4.807 ￥5.06
30+
￥4.7405 ￥4.99
100+
￥4.6645 ￥4.91

有货

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型号：LSM340JE3/TR13-HXY 编号：C52988716

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的能量损耗；在反向阻断状态下，漏电流为100μA。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流及电源极性保护等电路，常见于开关电源、适配器及便携式电子设备的电源管理单元中。

1+
￥5.0065 ￥5.27
10+
￥4.0565 ￥4.27
30+
￥3.591 ￥3.78
100+
￥3.1255 ￥3.29
500+
￥2.8405 ￥2.99
1000+
￥2.698 ￥2.84

有货

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型号：LSM540JE3/TR13-HXY 编号：C52988727

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有5A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的截止特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源管理电路中。

1+
￥5.225 ￥5.5
10+
￥4.237 ￥4.46
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￥3.743 ￥3.94
100+
￥3.2585 ￥3.43
500+
￥2.964 ￥3.12
1000+
￥2.812 ￥2.96

有货

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型号：HSM560JE3/TR13-HXY 编号：C52988733

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为5A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。