SMC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMC

特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。高温冶金结合结构。无空腔玻璃钝化结。能够满足MIL-S-19500环境标准。适用于高频整流电路。快速开关，效率高。典型反向电流小于1.0μA。保证高温焊接：260℃/10秒。重量：0.26g

数据手册

5+
￥0.7554
50+
￥0.5927
150+
￥0.5113
500+
￥0.4503

有货

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型号：B360-13-F-HXY 编号：C52988721

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，在导通状态下保持较低的能量损耗；反向漏电流为100μA，表现出良好的反向截止性能。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备以及对效率和响应速度有较高要求的低压电力转换电路。

5+
￥0.761995 ￥0.8021
50+
￥0.606955 ￥0.6389
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￥0.529435 ￥0.5573
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￥0.471295 ￥0.4961
3000+
￥0.424745 ￥0.4471
6000+
￥0.401565 ￥0.4227

有货

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型号：SK310HE3-HXY 编号：C52988710

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流低至20μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于开关电源、电源适配器、DC-DC转换器及高频整流等场合，能够有效支持对效率与热性能有要求的电路设计。

5+
￥0.829255 ￥0.8729
50+
￥0.660535 ￥0.6953
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￥0.576175 ￥0.6065
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￥0.512905 ￥0.5399
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￥0.46227 ￥0.4866
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￥0.437 ￥0.46

有货

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型号：SK34HE3-HXY 编号：C52988718

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有3A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及各类低压直流转换系统中。

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￥0.829255 ￥0.8729
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￥0.660535 ￥0.6953
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￥0.576175 ￥0.6065
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￥0.512905 ￥0.5399
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￥0.46227 ￥0.4866
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￥0.437 ￥0.46

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型号：MBRS340T3G-HXY 编号：C52988717

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场合，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的低压输出电路中。

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￥0.829255 ￥0.8729
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￥0.660535 ￥0.6953
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￥0.576175 ￥0.6065
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￥0.512905 ￥0.5399
3000+
￥0.46227 ￥0.4866
6000+
￥0.437 ￥0.46

有货

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型号：STPS4S200S-HXY 编号：C53262821

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有5A的额定正向电流和200V的最大反向电压。其正向压降为0.92V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流仅为20μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于开关电源、高频整流电路及各类对效率和瞬态响应有要求的电子系统中，确保在高负载波动下稳定运行。

5+
￥0.87134 ￥0.9172
50+
￥0.85215 ￥0.897
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￥0.83942 ￥0.8836
500+
￥0.826595 ￥0.8701

有货

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型号：SS515 编号：C5161916

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

表面安装肖特基二极管反向电压 20 ~ 200V，正向电流5.0A

数据手册

5+
￥0.8887
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￥0.7073
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￥0.6166
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￥0.5485
3000+
￥0.4714
6000+
￥0.4442

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型号：SK54L-TP 编号：C669019

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：MCC(美微科)

特性：无铅涂层/符合RoHS标准。高电流能力。适用于表面贴装应用。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。

数据手册

5+
￥0.9639
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￥0.7472
150+
￥0.6543
500+
￥0.5384

有货

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型号：SS810 编号：C698826

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：保护环用于过压保护。低功耗。极快的开关速度。高正向浪涌能力。高频操作。最高260℃浸焊10秒，符合JESD 22-B106标准。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.976
50+
￥0.7883
150+
￥0.6944
500+
￥0.6241

有货

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型号：SK84-3G-HXY 编号：C53262818

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为0.1μA，体现出优异的反向阻断特性。器件适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、低压输出转换以及高频开关电路等场景，能够在维持稳定电气性能的同时有效降低系统能量损耗。

5+
￥1.008235 ￥1.0613
50+
￥0.9861 ￥1.038
150+
￥0.97128 ￥1.0224
500+
￥0.956555 ￥1.0069

有货

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型号：SK86L-HXY 编号：C52988736

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有8A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）典型值为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

5+
￥1.01346 ￥1.0668
50+
￥0.802845 ￥0.8451
150+
￥0.7125 ￥0.75
500+
￥0.59983 ￥0.6314
3000+
￥0.54967 ￥0.5786
6000+
￥0.51965 ￥0.547

有货

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型号：VS30BQ100-M3/9AT-HXY 编号：C52988712

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为20μA，有助于提升系统效率与稳定性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对开关速度和能效要求较高的电源整流、极性保护及高频续流等电路场合。

5+
￥1.036545 ￥1.0911
50+
￥0.821085 ￥0.8643
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￥0.728745 ￥0.7671
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￥0.61351 ￥0.6458
3000+
￥0.56221 ￥0.5918
6000+
￥0.53143 ￥0.5594

有货

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型号：STPS3L40S-HXY 编号：C52988719

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及保护电路，常见于开关电源、适配器及各类低压电子系统中。

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￥1.036545 ￥1.0911
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￥0.821085 ￥0.8643
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￥0.728745 ￥0.7671
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￥0.61351 ￥0.6458
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￥0.56221 ￥0.5918
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￥0.53143 ￥0.5594

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型号：SK34HE3-TP 编号：C3757601

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：MCC(美微科)

5+
￥1.0463
50+
￥0.838
150+
￥0.7487
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￥0.6372
3000+
￥0.5876

有货

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型号：MB56_R2_00001 编号：C5118927

封装：SMC

品牌：PANJIT(强茂)

特性：塑料封装，具有美国保险商实验室（UL）94V-0 阻燃等级。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。低功耗，高效率。高浪涌容量。符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品。采用符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

数据手册

5+
￥1.0824
50+
￥0.8612
150+
￥0.7663
500+
￥0.648

有货

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型号：SS3H10-E3/57T-HXY 编号：C52988711

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流仅为20μA，表现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于开关电源、高频整流、电源转换模块及便携式电子设备中的高效能电路，满足对低损耗与高可靠性的应用需求。

5+
￥1.08262 ￥1.1396
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￥0.857565 ￥0.9027
150+
￥0.76114 ￥0.8012
500+
￥0.640775 ￥0.6745
3000+
￥0.587195 ￥0.6181
6000+
￥0.555085 ￥0.5843

有货

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型号：STPS3L60S-HXY 编号：C52988724

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达60V。在正常导通状态下，其正向压降VF为0.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止性能。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于高频整流、开关电源输出端以及需要快速恢复特性的电路中，能有效提升系统效率与响应速度。

5+
￥1.08262 ￥1.1396
50+
￥0.857565 ￥0.9027
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￥0.76114 ￥0.8012
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￥0.640775 ￥0.6745
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￥0.587195 ￥0.6181
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￥0.555085 ￥0.5843

有货

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型号：SS1040 编号：C5161917

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

数据手册

5+
￥1.107
50+
￥0.8752
150+
￥0.7758
500+
￥0.6519
3000+
￥0.5691
6000+
￥0.5359

有货

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型号：B390CE-13-HXY 编号：C50176899

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有3A的正向平均电流（IF）和90V的反向耐压（VR），适用于中等电压整流与续流应用。其正向导通压降较低，典型值为0.74V，有助于减少导通损耗，提升电路效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR）典型值为200μA，表现出较好的阻断特性。器件适用于开关电源、直流-直流转换器、反向极性保护及高频整流电路，尤其适合对效率和热性能有一定要求的便携式电子设备与通用电源系统，是实现低功耗、高可靠性设计的常用半导体元件。

5+
￥1.114635 ￥1.1733
50+
￥0.875235 ￥0.9213
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￥0.772635 ￥0.8133
500+
￥0.64467 ￥0.6786
3000+
￥0.58767 ￥0.6186
6000+
￥0.553375 ￥0.5825

有货

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型号：MB515_R1_00001 编号：C5668039

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：PANJIT(强茂)

特性：塑料封装，具有美国保险商实验室（UL）94V-0 阻燃等级。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。低功耗，高效率。高浪涌容量。符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品。采用符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

5+
￥1.1167
50+
￥0.8827
150+
￥0.7824
800+
￥0.6573

有货

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型号：SS39 编号：C5766613

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IF(A) 3 VR(V) 90 VF(V) 0.85 IFSM(A) 80

5+
￥1.1268
50+
￥1.102
150+
￥1.0855

有货

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型号：MB520_R1_00001 编号：C304400

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：PANJIT(强茂)

特性：塑料封装，具有美国保险商实验室（UL）94V-0 阻燃等级。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。低功耗，高效率。高浪涌容量。符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品。采用符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

数据手册

5+
￥1.1492
50+
￥0.9158
150+
￥0.8158
800+
￥0.691

有货

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型号：STPS340S-HXY 编号：C52988761

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景。

5+
￥1.151685 ￥1.2123
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￥0.912285 ￥0.9603
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￥0.809685 ￥0.8523
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￥0.681625 ￥0.7175
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￥0.624625 ￥0.6575
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￥0.590425 ￥0.6215

有货

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型号：SS3H9-E3/57T-HXY 编号：C53262801

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为90V。其正向压降典型值为0.74V，在90V反向电压下漏电流不超过200μA。器件具备较低的导通损耗与较快的开关响应特性，适用于对效率和速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场景，可有效提升系统能效并简化热管理设计。

5+
￥1.254 ￥1.32
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￥1.2255 ￥1.29
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￥1.2065 ￥1.27
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￥1.1875 ￥1.25

有货

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型号：VSMBRS340-M3/9AT-HXY 编号：C52988762

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关电路等场合。

5+
￥1.266825 ￥1.3335
50+
￥1.003485 ￥1.0563
150+
￥0.890625 ￥0.9375
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￥0.749835 ￥0.7893
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￥0.687135 ￥0.7233
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￥0.649515 ￥0.6837

有货

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型号：SK54SMC-HXY 编号：C52988731

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为5A，最大反向电压为40V。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置时，漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流能力（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、续流保护以及对效率和瞬态响应有较高要求的电子系统中。

5+
￥1.266825 ￥1.3335
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￥0.687135 ￥0.7233
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￥0.649515 ￥0.6837

有货

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型号：MBRS540T3G-HXY 编号：C52988728

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为5A，最大反向电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和动态响应要求较高的整流、续流及电源转换等电路场合。

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￥1.28991 ￥1.3578
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￥1.021725 ￥1.0755
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￥0.90687 ￥0.9546
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￥0.76342 ￥0.8036
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￥0.69958 ￥0.7364
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￥0.661295 ￥0.6961

有货

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型号：VS30BQ040-M3/9AT-HXY 编号：C52988720

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。