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15nH ±3%

型号：MLG0603P15NHTD25 编号：C404582

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.0968
500+
￥0.0747
1500+
￥0.0624

有货

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5.1nH ±3%

型号：MLG0603P5N1HTD25 编号：C404571

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

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50+
￥0.0968
500+
￥0.0747
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￥0.0624

有货

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4.7nH ±3%

型号：MHQ0603W4N7HT000 编号：C413907

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

数据手册

50+
￥0.1025
500+
￥0.0791
1500+
￥0.066

有货

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±0.1nH 0.4nH

型号：MHQ0603W0N4BT000 编号：C413900

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

数据手册

50+
￥0.1025
500+
￥0.0791
1500+
￥0.066
15000+
￥0.0582
30000+
￥0.0515
45000+
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18nH ±3%

型号：MLG0603P18NHTD25 编号：C404584

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

10+
￥0.1053
100+
￥0.0829
300+
￥0.0705
1000+
￥0.0631
5000+
￥0.0567
15000+
￥0.0532

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±0.1nH 0.6nH

型号：MHQ0603W0N6BT000 编号：C413901

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

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1+
￥0.1106
10+
￥0.0871
30+
￥0.0741

有货

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16nH ±3%

型号：MHQ0603W16NHT000 编号：C432987

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

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1+
￥0.1145
10+
￥0.0883
30+
￥0.0738
100+
￥0.065
500+
￥0.0575
1000+
￥0.0534

有货

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±0.1nH 4.1nH

型号：MHQ0603W4N1BT000 编号：C432999

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

数据手册

50+
￥0.1145
500+
￥0.0883
1500+
￥0.0738
15000+
￥0.065
30000+
￥0.0575
45000+
￥0.0534

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±0.1nH 2.3nH

型号：MHQ0603W2N3BT000 编号：C432994

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

数据手册

50+
￥0.1145
500+
￥0.0883
1500+
￥0.0738
15000+
￥0.065
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±0.3nH 1.2nH

型号：MLK0603L1N2ST000 编号：C2683201

封装：0201

特性：采用千兆螺旋层压结构,可获得比MLG结构更高的自谐振频率,同时限制GHz频段Q值的下降。采用陶瓷和高频导电材料通过多层烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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20+
￥0.1204
200+
￥0.0929
600+
￥0.0776

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±0.2nH 1.8nH

型号：MHQ0603W1N8CT000 编号：C432992

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

数据手册

50+
￥0.124
500+
￥0.0978
1500+
￥0.0833
15000+
￥0.0745
30000+
￥0.067
45000+
￥0.0629

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±0.1nH 1.8nH

型号：MLG1005S1N8BTD25 编号：C360709

封装：0402

特性：先进的整体结构,采用多层陶瓷和高频导电材料烧结工艺制成。工作温度范围:-55至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

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1+
￥0.304714
100+
￥0.253928
1000+
￥0.213088
5000+
￥0.182459
10000+
￥0.168264

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6.8nH ±3%

型号：MHQ0603P6N8HT000 编号：C2683180

封装：0201

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感相当的高Q特性。多层工艺允许电感值以精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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20+
￥0.1369
200+
￥0.1056
600+
￥0.0882

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15nH ±3%

型号：MHQ0603P15NHT000 编号：C2042968

封装：0201

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感相当的高Q特性。多层工艺允许电感值以精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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1+
￥0.1477
10+
￥0.1164
30+
￥0.099

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47nH ±3%

型号：MLG0603P47NHTD25 编号：C404594

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

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5+
￥0.1742
50+
￥0.1343
150+
￥0.1122

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27nH ±3%

型号：MHQ0603P27NHT000 编号：C2044738

封装：0201

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感相当的高Q特性。多层工艺允许电感值以精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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20+
￥0.1883
200+
￥0.1452
600+
￥0.1213

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220nH ±5%

型号：MLF2012DR22JT000 编号：C76740

封装：0805

特性：阵容包括广泛的电感范围。高度可靠的单片结构,具有多层集成。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机。平板电脑

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20+
￥0.248
200+
￥0.1956
600+
￥0.1665

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±0.3nH 3.6nH

型号：MLG1005S3N6STD25 编号：C360713

封装：0402

特性：先进的整体结构,采用多层陶瓷和高频导电材料烧结工艺制成。工作温度范围:-55至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

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1+
￥0.2526
10+
￥0.199
30+
￥0.1693

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3.9uH ±5%

型号：MLF2012A3R9JT000 编号：C275372

封装：0805

特性：产品线涵盖广泛的电感范围。采用多层集成的高可靠性单片结构。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

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5+
￥0.7087
50+
￥0.5552
150+
￥0.4785
500+
￥0.4209
2000+
￥0.3748
4000+
￥0.3518

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470nH ±20%

型号：MLD2012SR47TTD25 编号：C404403

封装：0805

适用于汽车电源电路,基于铁氧体磁芯,采用紧凑的IEC 2012 (EIA 0805)封装,占位面积为2.0mm×1.25mm,插入高度仅为0.5mm。该功率电感器符合AEC Q200标准,电感值为0.47μH,额定电流为1200mA。由于其出色的电气性能和 40°C至 + 125°C的宽工作温度范围,适合汽车应用,特别是在高级驾驶辅助系统 (ADAS) 中,有助于实现更小的摄像头。也适用于车载信息娱乐 (IVI) 和远程信息处理系统以及各种汽车ECU和模块。

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5+
￥0.7868
50+
￥0.6182
150+
￥0.5339
500+
￥0.4707
2500+
￥0.4118
4000+
￥0.3865

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1uH ±20% 280mA

型号：KLZ2012AHR1R0WTD25 编号：C404389

封装：0805

特性：KLZ系列包括用于去耦电路的电感器,具有一流的直流叠加特性和低直流电阻。它们适用于从低频到高频的宽频带噪声。导电特性树脂吸收外部应力和机械应力,提高了抗热冲击能力。通过导电树脂缓解热应力,也能适应150°C的高温环境。工作温度范围:-55至+150°C。应用：V2X、车载网络、安全、舒适、xEV、动力系统、摩托车

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5+
￥0.9971
50+
￥0.7768
150+
￥0.6824

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10uH ±20%

型号：VLF5012ST-100M1R0 编号：C5213810

封装：SMD,4.8x4.6mm

特性：小型尺寸。安装面积:4.6×4.8mm。低剖面:最大高度1.2mm。普遍用于便携式直流到直流转换器线路。高磁屏蔽结构,可实现高分辨率的电磁兼容性保护。可采用卷带封装进行自动安装。应用：移动设备(如手机、硬盘驱动器和数码相机)的电源电感

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5+
￥2.192
50+
￥1.7284
150+
￥1.5297

有货

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330nH ±20% 5.5A

型号：TFM201208BLE-R33MTCF 编号：C6552738

封装：0805

1+
￥2.546 ￥2.68
10+
￥2.4985 ￥2.63
30+
￥2.4605 ￥2.59
100+
￥2.4225 ￥2.55

有货

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75nH ±5%

型号：MLG0603P75NJT000 编号：C275248

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

100+
￥0.013
1000+
￥0.0127
5000+
￥0.0125
10000+
￥0.0123

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±0.3nH 5.6nH

型号：MLG0603P5N6ST000 编号：C275237

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

100+
￥0.013
1000+
￥0.0127
5000+
￥0.0125
10000+
￥0.0123

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5.6nH ±5%

型号：MLG0603P5N6JT000 编号：C275236

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

100+
￥0.013
1000+
￥0.0127
5000+
￥0.0125
10000+
￥0.0123

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±0.1nH 4.1nH

型号：MLG0603P4N1BT000 编号：C275223

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

100+
￥0.013
1000+
￥0.0127
5000+
￥0.0125
10000+
￥0.0123

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4.3nH

型号：MLG0603P4N3CTZ10 编号：C275225

封装：0201

100+
￥0.0138
1000+
￥0.0136
5000+
￥0.0131
10000+
￥0.0129

订货

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±0.1nH 1.1nH

型号：MLG0603P1N1BTZ10 编号：C275162

封装：0201

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化范围为0.6 120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

数据手册

15000+
￥0.01812
45000+
￥0.017365
135000+
￥0.016912
180000+
￥0.01661

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±0.1nH 2.8nH

型号：MLG0603P2N8BT000 编号：C275195

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

100+
￥0.0139
1000+
￥0.0136
5000+
￥0.0124
10000+
￥0.0122

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