TDK贴片电感_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

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操作

1uH ±20% 220mA

型号：MLZ2012N1R0LTD25 编号：C404763

封装：0805

特性：包含具有一流直流叠加特性和低直流电阻的去耦电路电感。兼容从低频到高频的宽频带噪声。O·H 型产品的额定电流与绕线线圈相当。W 型产品是兼具大电流和低电阻的新标准型产品。L 型产品的电阻比 W 型产品低达 60%。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：PoC、V2X、车载网络、安全、舒适、xEV、动力系统、摩托车

数据手册

5+
￥0.5814
50+
￥0.4543
150+
￥0.3908

有货

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停产 470uH ±5%

型号：NL453232T-471J-PF 编号：C90406

封装：1812

特性：树脂模制型标准电路绕线电感器。E-12系列,广泛兼容J (±5%) 公差,可用于需要满足严格L公差的应用,如滤波电路。在工作温度范围内具有出色的电感温度特性。应用：智能电表。AV设备

数据手册

1+
￥1.1837 ￥1.246
10+
￥0.93062 ￥0.9796
30+
￥0.822225 ￥0.8655
100+
￥0.68685 ￥0.723
500+
￥0.62662 ￥0.6596
1000+
￥0.590425 ￥0.6215

有货

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1uH ±20%

型号：MLF1608A1R0MTA00 编号：C3910781

封装：0603

5+
￥1.686155 ￥1.7749
50+
￥1.3414 ￥1.412
150+
￥1.193675 ￥1.2565
500+
￥1.00928 ￥1.0624
2500+
￥0.9272 ￥0.976
4000+
￥0.87799 ￥0.9242

订货

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FLBSH5050T-R10M

型号：FLBSH5050T-R10M 编号：C307678

封装：-

-

1+
￥3.53
10+
￥2.81
30+
￥2.5

有货

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39nH ±5%

型号：MLG0603P39NJTZ10 编号：C275203

封装：0201

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

数据手册

63000+
￥0.015295
667000+
￥0.013888

我要订货

±0.1nH 2.3nH

型号：MLG0603P2N3BT000 编号：C92033

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.0126
500+
￥0.0123
1500+
￥0.0121

有货

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3.3nH

型号：MLG0603P3N3BTZ10 编号：C76754

封装：0201

10+
￥0.0221
100+
￥0.0161
300+
￥0.013
1000+
￥0.0116

有货

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±0.1nH 2nH

型号：MLG0603P2N0BTZ10 编号：C275181

封装：0201

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

数据手册

100+
￥0.0228
1000+
￥0.0169
3000+
￥0.0137

有货

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47nH ±3%

型号：MLG0603P47NHTZ10 编号：C275220

封装：0201

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

数据手册

10+
￥0.0236
100+
￥0.0175
300+
￥0.0143

有货

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±0.1nH 0.6nH

型号：MLG0603P0N6BTZ10 编号：C275147

封装：0201

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

数据手册

1+
￥0.024
10+
￥0.0181
30+
￥0.015
100+
￥0.0136
500+
￥0.0117

有货

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47nH ±5%

型号：MLG0603P47NJT000 编号：C415336

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.0254
500+
￥0.0197
1500+
￥0.0166

有货

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±0.1nH 0.8nH

型号：MLG0603P0N8BTZ10 编号：C275150

封装：0201

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

数据手册

100+
￥0.027
1000+
￥0.0205
3000+
￥0.0171
15000+
￥0.0155
45000+
￥0.0134

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±0.1nH 3.2nH

型号：MLG0603P3N2BT000 编号：C415334

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.0281
500+
￥0.0221
1500+
￥0.0188

有货

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9.1nH ±5%

型号：MLG0603P9N1JT000 编号：C89439

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.0306
500+
￥0.0241
1500+
￥0.0205

有货

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±0.1nH 1.8nH

型号：MLG0402P1N8BT000 编号：C275121

封装：01005

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.2 ~ 33 nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

数据手册

1+
￥0.0379
10+
￥0.0371
30+
￥0.0366
100+
￥0.0361

有货

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±0.1nH 1.4nH

型号：MLG0402P1N4BT000 编号：C275119

封装：01005

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.2 ~ 33 nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

数据手册

1+
￥0.0379
10+
￥0.0371
30+
￥0.0366
100+
￥0.0361

有货

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±0.3nH 4.7nH

型号：MLK1005S4N7ST000 编号：C136252

封装：0402

特性：采用千兆螺旋层压结构,在限制GHz频段Q值下降的同时,可获得比MLG结构更高的自谐振频率。采用多层陶瓷和高频导电材料的烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

1+
￥0.0469
10+
￥0.0361
30+
￥0.0301
100+
￥0.0265
500+
￥0.0233

有货

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120nH ±5%

型号：MLG1005SR12JT000 编号：C76780

封装：0402

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

数据手册

50+
￥0.0477
500+
￥0.0375
1500+
￥0.0319

有货

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22nH ±5%

型号：MLK1005S22NJT000 编号：C107320

封装：0402

特性：采用千兆螺旋层压结构,在限制GHz频段Q值下降的同时,可获得比MLG结构更高的自谐振频率。采用多层陶瓷和高频导电材料的烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

1+
￥0.0527
10+
￥0.0408
30+
￥0.0343

有货

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240nH ±5% 停产

型号：MLK1005SR24JT000 编号：C275337

封装：0402

特性：采用千兆螺旋层压结构,在限制GHz频段Q值下降的同时,可获得比MLG结构更高的自谐振频率。采用多层陶瓷和高频导电材料的烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.055
500+
￥0.0434
1500+
￥0.0369
10000+
￥0.0331
20000+
￥0.0297
50000+
￥0.0279

订货

我要订货

±0.3nH 1.6nH

型号：MLG1005S1N6ST000 编号：C307723

封装：0402

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

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单价：
￥0.172845 / 个

我要订货

100nH ±5%

型号：MLK1005SR10JTD25 编号：C524462

封装：0402

特性：采用千兆螺旋层压结构,可获得比MLG结构更高的自谐振频率,且MLK中Q值的下降难以被限制。采用多层陶瓷和导电材料烧结工艺形成单片结构,适用于高频。无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。符合AEC Q200标准。应用：汽车设备。智能手机

数据手册

1+
￥0.063
10+
￥0.0496
30+
￥0.0422
100+
￥0.0378
500+
￥0.0339
1000+
￥0.0318

有货

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±0.1nH 2nH

型号：MLG0603P2N0BTD25 编号：C404546

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.0917
500+
￥0.0723
1500+
￥0.0615

有货

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150nH ±3%

型号：MLG1005SR15HTD25 编号：C404660

封装：0402

特性：先进的整体结构,采用多层陶瓷和高频导电材料烧结工艺制成。工作温度范围:-55至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

数据手册

50+
￥0.092
500+
￥0.0715
1500+
￥0.0601

有货

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±0.1nH 3.4nH

型号：MLG0603P3N4BT000 编号：C433017

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

1+
￥0.1093
10+
￥0.0861
30+
￥0.0732
100+
￥0.0655
500+
￥0.0588
1000+
￥0.0552

有货

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±0.2nH 1.8nH

型号：MHQ0603W1N8CT000 编号：C432992

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

数据手册

50+
￥0.1235
500+
￥0.0973
1500+
￥0.0828

有货

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±0.1nH 0.3nH

型号：MHQ0603W0N3BT000 编号：C432984

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

数据手册

1+
￥0.135
10+
￥0.1064
30+
￥0.0905
100+
￥0.0809
500+
￥0.0727

有货

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5.6nH ±3%

型号：MHQ0603P5N6HT000 编号：C2683197

封装：0201

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感相当的高Q特性。多层工艺允许电感值以精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

1+
￥0.1469
10+
￥0.1157
30+
￥0.0984
100+
￥0.0881
500+
￥0.0791
1000+
￥0.0742

有货

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47nH ±3%

型号：MLG0603P47NHTD25 编号：C404594

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

5+
￥0.1801
50+
￥0.1402
150+
￥0.1181
500+
￥0.1048

有货

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±0.2nH 5.6nH

型号：MHQ1005P5N6CT000 编号：C2050782

封装：0402

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感器相当的高Q特性。多层方法可实现电感的精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

20+
￥0.1961
200+
￥0.1545
600+
￥0.1314

有货

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