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操作

9.1nH ±3%

型号：MLG0603P9N1HTD25 编号：C404577

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

单价：
￥0.07406 / 个

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15nH ±3%

型号：MLG0603P15NHTD25 编号：C404582

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

50+
￥0.09443 ￥0.0994
500+
￥0.073435 ￥0.0773
1500+
￥0.06175 ￥0.065
15000+
￥0.05472 ￥0.0576
30000+
￥0.04864 ￥0.0512
45000+
￥0.045315 ￥0.0477

有货

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6.8nH ±5%

型号：MLG1005S6N8JT000 编号：C275299

封装：0402

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

1+
￥0.1153
10+
￥0.0909
30+
￥0.0773
100+
￥0.0691
500+
￥0.0621
1000+
￥0.0583

有货

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68nH ±20%

型号：MLF1608D68NMTA00 编号：C275352

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

数据手册

20+
￥0.21708 ￥0.2412
200+
￥0.17037 ￥0.1893
600+
￥0.14445 ￥0.1605
4000+
￥0.12888 ￥0.1432
8000+
￥0.11538 ￥0.1282
20000+
￥0.10809 ￥0.1201

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±0.3nH 3.3nH

型号：MLG1005S3N3STD25 编号：C5139747

封装：0402

特性：先进的整体结构,采用多层陶瓷和高频导电材料烧结工艺制成。工作温度范围:-55至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

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20+
￥0.2443
200+
￥0.1954
600+
￥0.1683

有货

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1.5uH ±20% 550mA

型号：MLZ2012M1R5HT000 编号：C2047472

封装：0805

特性：具有一流的直流叠加特性和低直流电阻。兼容从低频到高频的宽频带噪声。O·H 型产品的额定电流与绕线线圈相当。W 型产品是兼具大电流和低电阻的新标准型产品。L 型产品的电阻比 W 型产品低达 60%。工作温度范围:-55 至 +125°C(包括自升温)。应用：智能手机。平板电脑终端

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10+
￥0.2747
100+
￥0.2165
300+
￥0.1875

有货

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3.9uH ±5%

型号：MLF2012A3R9JT000 编号：C275372

封装：0805

特性：产品线涵盖广泛的电感范围。采用多层集成的高可靠性单片结构。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

数据手册

5+
￥0.68103 ￥0.7567
50+
￥0.54288 ￥0.6032
150+
￥0.47376 ￥0.5264
500+
￥0.42201 ￥0.4689
2000+
￥0.38052 ￥0.4228
4000+
￥0.35982 ￥0.3998

订货

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1uH ±20% 700mA

型号：MLZ2012M1R0HTD25 编号：C380016

封装：0805

特性：包含具有一流直流叠加特性和低直流电阻的去耦电路电感。兼容从低频到高频的宽频带噪声。O·H 型产品的额定电流与绕线线圈相当。W 型产品是兼具大电流和低电阻的新标准型产品。L 型产品的电阻比 W 型产品低达 60%。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：PoC、V2X、车载网络、安全、舒适、xEV、动力系统、摩托车

数据手册

5+
￥0.69759 ￥0.7751
50+
￥0.55611 ￥0.6179
150+
￥0.48528 ￥0.5392
500+
￥0.43227 ￥0.4803
2000+
￥0.38979 ￥0.4331
4000+
￥0.36855 ￥0.4095

有货

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3.3uH ±20%

型号：MLD2016S3R3MTD25 编号：C404407

封装：0806

特性：通过适用于汽车应用的材料应用和产品设计实现高可靠性。采用多层集群的完整单片结构,减少磁通泄漏。工作温度范围:-40 至 +125°C(包括自升温)。应用：ADAS。汽车多媒体(远程信息处理)

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10+
￥0.78
100+
￥0.6242
300+
￥0.5462

有货

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±0.1nH 1.2nH

型号：MHQ1005P1N2BT000 编号：C445745

封装：0402

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感器相当的高Q特性。多层方法可实现电感的精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

5+
￥1.09
50+
￥0.8508
150+
￥0.7483

有货

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15uH ±20% 10.6A

型号：SPM12565VT-150M-D 编号：C2043721

封装：SMD,13x12.5mm

特性：金属复合式绕线电感,用于使用金属磁性材料的电源电路。与铁氧体绕线式电感相比,由于金属磁性材料具有优异的直流叠加特性,可实现低直流电阻和小型化。由于采用抗振结构,抗振能力达 30G。工作温度范围:-55 至 +155°C(包括自升温)。符合 AEC Q200。应用：汽车相关设备(LED、ECM、ADAS、BCM 等)

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1+
￥12.94
10+
￥10.9
30+
￥9.62

有货

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±0.1nH 1.8nH

型号：MLG0603P1N8BTZ10 编号：C275171

封装：0201

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化成0.6~120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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10+
￥0.021185 ￥0.0223
100+
￥0.015675 ￥0.0165
300+
￥0.012825 ￥0.0135
1000+
￥0.011495 ￥0.0121
5000+
￥0.00969 ￥0.0102

有货

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82nH ±5%

型号：MLG0603P82NJTZ10 编号：C275251

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH。电感以0.1n为步进排列。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适用于细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。应用：智能手机。平板电脑终端

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100+
￥0.0241
1000+
￥0.0187
3000+
￥0.0157

有货

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68nH ±3%

型号：MLG0603S68NHT000 编号：C415343

封装：0201

特性：先进的单片结构,采用多层陶瓷和导电材料烧结工艺制成,适用于高频。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机。平板终端。高频模块。蓝牙。W-LAN。UWB。调谐器。移动通信行业的其他高频电路

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50+
￥0.0254
500+
￥0.0197
1500+
￥0.0166

有货

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±0.1nH 2.1nH

型号：MLG0603P2N1BTZ10 编号：C502017

封装：0201

特性：是High Q型的高频电路用电感器。系列化范围为0.6 120nH。对应0.1n步的电感组合。在已有产品的基础上实现了大幅的小型化,最适合精密间距电路。根据最优结构设计,尤其大幅提高了800MHz以上的Q。是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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100+
￥0.0255
1000+
￥0.0201
3000+
￥0.0171

有货

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12nH ±3%

型号：MLG0603P12NHT000 编号：C307701

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

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10+
￥0.0257
100+
￥0.0194
300+
￥0.0161
1000+
￥0.0145

有货

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±0.1nH 0.3nH

型号：MLG0603S0N3BT000 编号：C2049325

封装：0201

特性：先进的单片结构,采用多层陶瓷和导电材料烧结工艺制成,适用于高频。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机。平板终端。高频模块。蓝牙。W-LAN。UWB。调谐器。移动通信行业的其他高频电路

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100+
￥0.0258
1000+
￥0.0203
3000+
￥0.0173

有货

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±0.1nH 3nH

型号：MLG0603P3N0BT000 编号：C87524

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

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100+
￥0.0283
1000+
￥0.0223
3000+
￥0.019
15000+
￥0.017
45000+
￥0.0153
105000+
￥0.0143

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±0.2nH 2.2nH

型号：MLG0603P2N2CT000 编号：C2043777

封装：0201

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

数据手册

100+
￥0.0354
1000+
￥0.0281
3000+
￥0.024

有货

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±0.3nH 4.3nH

型号：MLK1005S4N3ST000 编号：C275326

封装：0402

特性：采用千兆螺旋层压结构,在限制GHz频段Q值下降的同时,可获得比MLG结构更高的自谐振频率。采用多层陶瓷和高频导电材料的烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

1+
￥0.04302 ￥0.0478
10+
￥0.03375 ￥0.0375
30+
￥0.02862 ￥0.0318
100+
￥0.02556 ￥0.0284
500+
￥0.02286 ￥0.0254
1000+
￥0.02142 ￥0.0238

有货

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82nH ±5%

型号：MLK1005S82NJT000 编号：C275332

封装：0402

特性：采用千兆螺旋层压结构,在限制GHz频段Q值下降的同时,可获得比MLG结构更高的自谐振频率。采用多层陶瓷和高频导电材料的烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

1+
￥0.0524
10+
￥0.0413
30+
￥0.0351
100+
￥0.0314
500+
￥0.0282
1000+
￥0.0265

有货

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±0.2nH 3nH

型号：MLG1005S3N0CT000 编号：C574025

封装：0402

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

数据手册

50+
￥0.0552
500+
￥0.0435
1500+
￥0.037

有货

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±0.3nH 3.9nH

型号：MLK1005S3N9STD25 编号：C524461

封装：0402

特性：采用千兆螺旋层压结构,可获得比MLG结构更高的自谐振频率,且MLK中Q值的下降难以被限制。采用多层陶瓷和导电材料烧结工艺形成单片结构,适用于高频。无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。符合AEC Q200标准。应用：汽车设备。智能手机

数据手册

50+
￥0.056525 ￥0.0595
500+
￥0.043795 ￥0.0461
1500+
￥0.036765 ￥0.0387
10000+
￥0.032585 ￥0.0343
20000+
￥0.02888 ￥0.0304
50000+
￥0.026885 ￥0.0283

有货

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±0.2nH 1nH

型号：MLG1005S1N0CT000 编号：C307722

封装：0402

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

数据手册

50+
￥0.0574
500+
￥0.0455
1500+
￥0.0389

有货

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12nH ±5%

型号：MLG1005S12NJTD25 编号：C433023

封装：0402

特性：先进的整体结构,采用多层陶瓷和高频导电材料烧结工艺制成。工作温度范围:-55至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

数据手册

50+
￥0.085215 ￥0.0897
500+
￥0.066025 ￥0.0695
1500+
￥0.055385 ￥0.0583
10000+
￥0.04902 ￥0.0516
20000+
￥0.04351 ￥0.0458
50000+
￥0.04047 ￥0.0426

订货

我要订货

120nH ±3%

型号：MLG1005SR12HTD25 编号：C404658

封装：0402

特性：先进的整体结构,采用多层陶瓷和高频导电材料烧结工艺制成。工作温度范围:-55至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

数据手册

50+
￥0.0874 ￥0.092
500+
￥0.067925 ￥0.0715
1500+
￥0.057095 ￥0.0601
10000+
￥0.050635 ￥0.0533
20000+
￥0.044935 ￥0.0473
50000+
￥0.041895 ￥0.0441

有货

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18nH ±5%

型号：MLG1005S18NJTD25 编号：C2043506

封装：0402

特性：先进的整体结构,采用多层陶瓷和高频导电材料烧结工艺制成。工作温度范围:-55至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

数据手册

1+
￥0.1019
10+
￥0.0803
30+
￥0.0683
100+
￥0.0611
500+
￥0.0549
1000+
￥0.0515

有货

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±0.1nH 2.4nH

型号：MHQ0603W2N4BT000 编号：C432996

封装：0201

特性：通过充分利用先进材料和结构设计技术,实现了与绕线电感器相当的高Q值。MHQ0603W实现了多层类型中的最高Q特性。与High-Q/MLG0603P/W型相比,Q值提高了约30%。与MLG0603S型相比,Q值提高了约50%。提供灵活的电感系列,0.1nH步进和E24系列,有助于工程师进行电路设计

数据手册

50+
￥0.1235
500+
￥0.0973
1500+
￥0.0828

有货

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±0.2nH 3.9nH

型号：MHQ1005P3N9CT000 编号：C502020

封装：SMD,1x0.6mm

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感器相当的高Q特性。多层方法可实现电感的精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

数据手册

20+
￥0.1802
200+
￥0.1397
600+
￥0.1172

有货

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820nH ±5%

型号：MLF1608DR82JTD25 编号：C404520

封装：0603

特性：电感范围广。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：汽车设备。智能手机

数据手册

5+
￥0.5402
50+
￥0.4279
150+
￥0.3717
500+
￥0.3296
2500+
￥0.2959
4000+
￥0.2791

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