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首页 > 热门关键词 > 美台三极管
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特性:BVCEO > 70V。 高连续集电极电流:IC = 2A。 峰值脉冲电流:ICM 高达 4A。 功率耗散:2W。 低饱和电压:@1A 时 < 300mV。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
数据手册
  • 单价:

    ¥0.509818 / 个
  • 10+

    ¥0.81972
  • 20+

    ¥0.792396
  • 40+

    ¥0.778734
  • 80+

    ¥0.75141
  • 3000+

    ¥0.80004
  • 6000+

    ¥0.7797
  • 9000+

    ¥0.75258
  • 18000+

    ¥0.73902
特性:理想适用于自动插入。 外延平面芯片结构。 有互补NPN类型(BC817)。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 1+

    ¥3.85
  • 10+

    ¥3.11
  • 30+

    ¥2.79
  • 100+

    ¥2.4
  • 500+

    ¥2.22
  • 1000+

    ¥2.11
  • 订货
  • 特性:BVCEO >-45V,-60V &-80V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。 低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-0.5A。 增益组 10 和 16。应用:中功率开关或放大应用。 音频驱动和输出级
    数据手册
    • 1400+

      ¥0.4002
    • 3500+

      ¥0.375872
    特性:BVCEO > 150V。 Ic = 1A 高连续电流。 低饱和电压。 互补 PNP 型。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 1000+

      ¥2.25064
    • 2000+

      ¥2.150165
    特性:BVCEO > -400V。 高连续集电极电流:IC = -0.5A。 峰值脉冲电流:ICM = -1.5A。 低饱和电压:VUS(sat) < -400mV @ -0.5A。 hFE指定高达 -2A,以实现高增益保持。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥3.66275
    • 750+

      ¥2.92376
    特性:非常适合自动插入。 互补PNP类型。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.169024 / 个
    特性:非常适合自动插入。 适用于开关和AP放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,是“绿色”器件
    • 45+

      ¥0.157136
    • 90+

      ¥0.151984
    • 180+

      ¥0.149408
    • 360+

      ¥0.14168
    特性:外延平面芯片结构。 互补NPN型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.144043 / 个
    特性:低集电极-发射极饱和电压,VCE(sat)。 超小型无铅表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.338046 / 个
    • 40+

      ¥0.178181
    • 80+

      ¥0.172339
    • 160+

      ¥0.169418
    • 320+

      ¥0.160655
    特性:BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。 增益组 10 和 16。 外延平面芯片结构。应用:中功率开关或放大应用。 AF 驱动器和输出级
    • 单价:

      ¥0.485082 / 个
    45V,1A,PNP三极管,hFE=100-250
    数据手册
    • 1000+

      ¥0.687586
    • 3000+

      ¥0.670105
    • 10000+

      ¥0.652624
    特性:BVCEO > -20V。 Ic = -2A,高连续集电极电流。 RCE(SAT) = 100mΩ,低等效导通电阻。 低饱和电压 VCE(SAT) < -150mV @ -1A。 侧壁镀锡,便于自动光学检测(AOI)进行可焊性侧边检测。 Pd 高达 2.47W,适用于高功率需求应用。应用:矩阵 LED 照明。 电源管理
    • 单价:

      ¥1.602283 / 个
    特性:BVCEO >-100V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压。 高达 IC =-1A 时具有出色的 hFE 特性。 互补 NPN 类型。应用:高端驱动器。 负载断开开关
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.137712 / 个
    特性:外延平面管芯结构。 有互补NPN类型。 适用于中功率放大和开关。 超小表面贴装封装。 有无铅/符合RoHS标准的版本
    数据手册
    • 30+

      ¥0.260958
    • 60+

      ¥0.252402
    • 120+

      ¥0.248124
    • 240+

      ¥0.23529
    特性:BVCEO >-70V。 IC =-1.5A 连续集电极电流。 IC =-3A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) <-220mV @-1A。 RCE(sat) = 140mΩ,等效导通电阻低。 625mW 功率耗散。应用:高端驱动器。 负载断开开关
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.865728 / 个
    特性:BVCEO > -40V。 连续集电极电流高:IC = -3A。 脉冲峰值电流:ICM = -6A。 比SOT223小43%;比TO252小60%。 最大高度仅1.1mm。 额定功率达3.2W。 低饱和、高增益晶体管。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
    数据手册
    • 10+

      ¥1.265966
    • 20+

      ¥1.244139
    • 30+

      ¥1.222312
    特性:BVCEO > 60V。 IC = 3A 连续集电极电流。 ICM = 8A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) < 90mΩ。 额定温度为 +175°C。 适用于高环境温度环境。应用:电源管理。 负载开关
    • 单价:

      ¥2.039269 / 个
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