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首页 > 热门关键词 > 美台三极管
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特性:BVCEO > 75V。 IC = 4.5A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 120mV @ 1A。 hFE > 300 @ IC = 1A 以实现高增益保持。 RCE(sat) = 78mΩ @ 4.5A 以实现低等效导通电阻。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性
数据手册
  • 4000+

    ¥2.102673
  • 8000+

    ¥2.08373
  • 12000+

    ¥2.045844
-
  • 5+

    ¥0.1577
  • 50+

    ¥0.1242
  • 150+

    ¥0.1057
  • 500+

    ¥0.0945
  • 3000+

    ¥0.0849
  • 6000+

    ¥0.0797
  • 订货
  • 特性:非常适合自动插入。 适用于开关和AP放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,是“绿色”器件
    • 9052+

      ¥0.150304
    • 18104+

      ¥0.145376
    • 36208+

      ¥0.142912
    • 72416+

      ¥0.13552
    • 42000+

      ¥0.17412
    • 84000+

      ¥0.171218
    • 168000+

      ¥0.166865
    • 336000+

      ¥0.15961
    特性:BVCEO > 50V。 IC = 150mA 高集电极电流。 超小表面贴装封装。 有互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEO-Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 78000+

      ¥0.09156
    • 234000+

      ¥0.087745
    • 702000+

      ¥0.085456
    • 936000+

      ¥0.08393
    -
    • 5+

      ¥0.2026
    • 50+

      ¥0.1597
    • 150+

      ¥0.1358
    • 500+

      ¥0.1215
    • 3000+

      ¥0.1043
    • 6000+

      ¥0.0976
  • 订货
  • 特性:BVCEO > 50V。 IC = 150mA 高集电极电流。 超小表面贴装封装。 有互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEO-Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 2200+

      ¥0.218209
    • 4400+

      ¥0.211055
    • 8800+

      ¥0.207478
    • 17600+

      ¥0.196746
    • 2850+

      ¥0.373009
    • 5700+

      ¥0.360779
    • 11400+

      ¥0.354664
    • 22800+

      ¥0.33632
    • 9000+

      ¥1.057398
    • 18000+

      ¥1.030515
    • 27000+

      ¥0.994671
    • 54000+

      ¥0.967788
    特性:BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。 PD = 435mW 功率耗散。 0.48mm² 封装尺寸,比 SOT23 小 16 倍。 0.4mm 封装高度,最小化板外轮廓。 互补 NPN 型 MMBT3904FA。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 20000+

      ¥0.62717
    • 40000+

      ¥0.611225
    • 60000+

      ¥0.589965
    • 120000+

      ¥0.57402
    • 5423+

      ¥0.32624
    • 10846+

      ¥0.315544
    • 21692+

      ¥0.310196
    • 43384+

      ¥0.294151
    • 12000+

      ¥0.647466
    • 24000+

      ¥0.631005
    • 36000+

      ¥0.609057
    • 72000+

      ¥0.592596
    特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型。 非常适合自动化组装工艺。 适用于中功率开关或放大应用。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    数据手册
    • 10000+

      ¥0.766882
    • 20000+

      ¥0.747385
    • 30000+

      ¥0.721389
    • 60000+

      ¥0.701892
    采用先进的工艺能力实现高电流增益保持,非常适合需要高脉冲电流的应用。
    数据手册
    • 1687+

      ¥0.891
    • 3374+

      ¥0.8613
    • 6748+

      ¥0.84645
    • 13496+

      ¥0.81675
    • 10000+

      ¥0.698206
    • 20000+

      ¥0.680455
    • 30000+

      ¥0.656787
    • 60000+

      ¥0.639036
    • 12000+

      ¥0.68912
    • 24000+

      ¥0.6716
    • 36000+

      ¥0.64824
    • 72000+

      ¥0.63072
    这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
    • 7000+

      ¥1.032618
    • 14000+

      ¥1.006365
    • 21000+

      ¥0.971361
    • 42000+

      ¥0.945108
    特性:外延平面管芯结构。 有互补NPN类型。 适用于中功率放大和开关。 超小表面贴装封装。 有无铅/符合RoHS标准的版本
    数据手册
    • 33000+

      ¥0.20952
    • 66000+

      ¥0.206028
    • 132000+

      ¥0.20079
    • 264000+

      ¥0.19206
    特性:BVCEO > -100V。 连续集电极电流 IC = -3A。 峰值脉冲电流 ICM = -8A。 集电极发射极饱和电阻 RCE(SAT) = 110mΩ(典型值)。 额定温度可达 +175℃,适用于高环境温度环境。 有互补部件 DXTN3C100PS。应用:电源管理。 负载开关
    • 5000+

      ¥1.571982
    • 10000+

      ¥1.55782
    • 15000+

      ¥1.529496
    特性:BVCEO >-40V。 最大连续集电极电流 Ic =-3A。 峰值脉冲电流 IcM =-10A。 低等效导通电阻,RCE(SAT) = 58mΩ。 低饱和电压(1A 时最大-200mV)。 高达 5A 的 hFE 特性,实现高电流增益保持。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
    数据手册
    • 6000+

      ¥2.01687
    • 12000+

      ¥1.9987
    • 18000+

      ¥1.96236
    特性:BVCEO > 100V。 IC = 6A,高连续集电极电流。 ICM = 10A,峰值脉冲电流。 低饱和电压,VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。 hFE指定至10A,高增益保持。 互补PNP类型:FZT953。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,高可靠性
    • 1+

      ¥7.95
    • 10+

      ¥6.7
    • 30+

      ¥6.01
    • 100+

      ¥5.23
    • 500+

      ¥4.89
    • 1000+

      ¥4.73
  • 订货
  • 特性:外延平面芯片结构。 互补NPN型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 8874+

      ¥0.15594
    • 17748+

      ¥0.150828
    • 35496+

      ¥0.148271
    • 70992+

      ¥0.140602
    这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
    数据手册
    • 30000+

      ¥0.2382
    • 60000+

      ¥0.23423
    • 120000+

      ¥0.228275
    • 240000+

      ¥0.21835
    • 36000+

      ¥0.19464
    • 72000+

      ¥0.191396
    • 144000+

      ¥0.18653
    • 288000+

      ¥0.17842
    • 40000+

      ¥0.213
    • 80000+

      ¥0.20945
    • 160000+

      ¥0.204125
    • 320000+

      ¥0.19525
    特性:外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 互补 NPN 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 36000+

      ¥0.19692
    • 72000+

      ¥0.193638
    • 144000+

      ¥0.188715
    • 288000+

      ¥0.18051
    特性:超小型无铅表面贴装封装。 ESD:HBM 8kV,MM 400V。 最大峰值集电极电流 3.0A。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 10700+

      ¥0.188216
    • 21400+

      ¥0.182045
    • 42800+

      ¥0.178959
    • 85600+

      ¥0.169703
    • 11000+

      ¥0.632834
    • 22000+

      ¥0.616745
    • 33000+

      ¥0.595293
    • 66000+

      ¥0.579204
    特性:低集电极-发射极饱和电压,VCE(sat)。 超小型无铅表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 30000+

      ¥0.28176
    • 60000+

      ¥0.277064
    • 120000+

      ¥0.27002
    • 240000+

      ¥0.25828
    特性:外延平面芯片结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保产品
    • 5+

      ¥1.4488
    • 50+

      ¥1.1696
    • 150+

      ¥1.05
    • 500+

      ¥0.9007
    • 3000+

      ¥0.8009
    • 6000+

      ¥0.761
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