pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMDT3906 编号：C5274441

封装：SOT-363

品牌：LGE(鲁光)

特性：外延平面管芯结构，适用于低功率放大和开关

数据手册

20+
￥0.1998
200+
￥0.1592
600+
￥0.1366
3000+
￥0.1155
9000+
￥0.1038
21000+
￥0.0975

有货

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型号：S8550-TA(RANGE:160-300) 编号：C147846

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：出色的hFE线性度

数据手册

20+
￥0.2044
200+
￥0.1623
600+
￥0.1389

有货

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型号：HMMDT39067F 编号：C42389335

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款三极管属于BJT类型，采用PNP+PNP结构设计，具有较高的电流增益比（HFE），范围在100至300之间，适合放大信号和开关电路。其集电极-发射极间电压（VCEO）可达40伏特，确保了良好的耐压性能；同时，该器件的特征频率（FT）为250MHz，表明它能够处理高频信号应用。静态电流IC/A为0.2安培，适用于要求低功耗的工作环境。此款三极管因其稳定的电气特性和宽泛的工作条件，在多种电子设备中表现出色。

20+
￥0.204507 ￥0.2199
200+
￥0.159309 ￥0.1713
600+
￥0.134199 ￥0.1443
3000+
￥0.119133 ￥0.1281
9000+
￥0.106113 ￥0.1141
21000+
￥0.099045 ￥0.1065

有货

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型号：MMDT5401 编号：C19267759

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款SOT-363封装的双PNP三极管，每单元具有150V高耐压VCEO和0.2A集电极电流容量，放大倍数范围在100至300之间，专为高电压、低功耗应用设计，是构建高效互补电路的理想选择。

20+
￥0.205251 ￥0.2207
200+
￥0.161541 ￥0.1737
600+
￥0.137268 ￥0.1476
3000+
￥0.115227 ￥0.1239
9000+
￥0.102579 ￥0.1103
21000+
￥0.09579 ￥0.103

有货

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型号：BC858BLT3G 编号：C896682

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)，并符合 RoHS 标准

数据手册

20+
￥0.2098
200+
￥0.161
600+
￥0.1338
2000+
￥0.1176
10000+
￥0.1035
20000+
￥0.0959

有货

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型号：2SB799 编号：C475464

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

应用：可用于开关和放大。用于各种电气和电子设备

数据手册

20+
￥0.215555 ￥0.2269
200+
￥0.170335 ￥0.1793
1000+
￥0.134235 ￥0.1413
2000+
￥0.119225 ￥0.1255
10000+
￥0.106115 ￥0.1117
20000+
￥0.099085 ￥0.1043

有货

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型号：SMMBT4403LT1G-HXY 编号：C46682412

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）适用于多种电子设备中，具备0.6A的集电极电流(IC)能力，以及高达40V的集电极-发射极电压(VCEO)，确保了在不同电路中的稳定表现。其直流电流增益(HFE)范围为100至300，能够有效放大信号，而200MHz的过渡频率(FT)则表明它在高频应用中同样表现出色。该三极管非常适合用于需要高灵敏度和快速响应的电路设计，如无线通信模块或音频处理装置，提供了可靠性能与灵活性。

20+
￥0.221154 ￥0.2378
200+
￥0.173445 ￥0.1865
600+
￥0.14694 ￥0.158
3000+
￥0.131037 ￥0.1409
9000+
￥0.117273 ￥0.1261
21000+
￥0.109833 ￥0.1181

有货

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型号：BC856BDW1T1G-HXY 编号：C50177018

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该三极管采用双PNP结构，具有较高的直流电流增益（HFE）特性，范围在200至450之间，适用于精确信号放大与电流控制。集电极电流（IC）为0.1A，集电极-发射极耐压（VCEO）达65V，具备良好的电压承受能力。其特征频率（FT）高达100MHz，支持高频信号处理，适合用于高速开关和射频信号放大等场景。器件组合设计节省空间，广泛应用于通信设备、消费类电子产品中的信号切换、驱动控制及小功率放大电路。

20+
￥0.224105 ￥0.2359
200+
￥0.178505 ￥0.1879
600+
￥0.155705 ￥0.1639
3000+
￥0.138605 ￥0.1459
9000+
￥0.124925 ￥0.1315
21000+
￥0.118085 ￥0.1243

有货

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型号：A92 编号：C49238155

封装：SOT-89

品牌：Hottech(合科泰)

PNP -310V -500mA

10+
￥0.22952 ￥0.2416
100+
￥0.182875 ￥0.1925
300+
￥0.159505 ￥0.1679
1000+
￥0.142025 ￥0.1495
5000+
￥0.127965 ￥0.1347
10000+
￥0.120935 ￥0.1273

有货

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型号：MMBT3906Q-7-F 编号：C460100

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

数据手册

20+
￥0.2314
200+
￥0.1828
600+
￥0.1558
3000+
￥0.1387

有货

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型号：MMSTA92 编号：C148111

封装：SOT-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：小表面贴装封装。与MMSTA42互补。适用于中功率放大和开关

数据手册

20+
￥0.2321
200+
￥0.1808
600+
￥0.1523

有货

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型号：MPS2907A-TA(RANGE:200-300) 编号：C2910420

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：互补NPN型：MPS2222A

数据手册

20+
￥0.2333
200+
￥0.1838
600+
￥0.1563

有货

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型号：BCX53-JSM 编号：C30587309

封装：SOT-89

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

主要用于音频放大的驱动级。

10+
￥0.238161 ￥0.3093
100+
￥0.188265 ￥0.2445
300+
￥0.163317 ￥0.2121
1000+
￥0.144606 ￥0.1878
5000+
￥0.129668 ￥0.1684
10000+
￥0.122199 ￥0.1587

有货

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型号：MMDT5401 编号：C968396

封装：SOT-363

品牌：YANGJIE(扬杰)

MMDT5401-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.2391
200+
￥0.1911
600+
￥0.1671

有货

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型号：PXT8550 编号：C5344607

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

用于开关和放大器应用。特别适用于音频驱动级和低功率输出级。

数据手册

10+
￥0.240065 ￥0.2527
100+
￥0.18981 ￥0.1998
300+
￥0.164635 ￥0.1733
1000+
￥0.145825 ￥0.1535
5000+
￥0.13072 ￥0.1376
10000+
￥0.123215 ￥0.1297

有货

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型号：MPSA56 编号：C38893

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：通用开关和放大

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10+
￥0.2407
100+
￥0.1903
300+
￥0.1651
1000+
￥0.1462

有货

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型号：MPSA56-TA 编号：C2910365

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：通用开关和放大

数据手册

10+
￥0.2418
100+
￥0.1924
300+
￥0.1677

有货

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型号：BCW68GVL 编号：C549649

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。NPN互补型号：BCW66F/G/H

数据手册

20+
￥0.2448
200+
￥0.1929
600+
￥0.1641
2000+
￥0.1468
10000+
￥0.1318
20000+
￥0.1237

有货

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型号：BC807-16LWX 编号：C549390

封装：SOT-323-3

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）或SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。

数据手册

20+
￥0.2453
200+
￥0.1946
600+
￥0.1664
3000+
￥0.1495
9000+
￥0.1348
21000+
￥0.127

有货

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型号：2SB805 编号：C475466

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

特性：高集电极-发射极电压：VcEO >-100V

数据手册

20+
￥0.245575 ￥0.2585
200+
￥0.195035 ￥0.2053
1000+
￥0.15029 ￥0.1582
2000+
￥0.13338 ￥0.1404
10000+
￥0.11875 ￥0.125
20000+
￥0.110865 ￥0.1167

有货

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型号：MMBTA94 编号：C692860

封装：SOT-23

品牌：HT(金誉)

档位：100-200

数据手册

10+
￥0.245765 ￥0.2587
100+
￥0.195605 ￥0.2059
300+
￥0.170525 ￥0.1795
3000+
￥0.145445 ￥0.1531
6000+
￥0.13034 ￥0.1372
9000+
￥0.122835 ￥0.1293

有货

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型号：2SB1132 编号：C28928392

封装：SOT-89

品牌：HT(金誉)

特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：-0.2V（典型值，Ic / Ib = -500mA / -50mA）。与2SD1664互补

10+
￥0.2548
100+
￥0.203
300+
￥0.1771

有货

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型号：BCW89,215 编号：C549655

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP晶体管。

数据手册

20+
￥0.2552
200+
￥0.2062
600+
￥0.1789
3000+
￥0.1626
9000+
￥0.1484
21000+
￥0.1408

有货

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型号：DPLS160-7-HXY 编号：C47506929

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP型三极管（BJT）设计用于需要高电流处理能力的电路中，其集电极电流IC可达1A，满足多数功率需求。最大集电极-发射极电压VCEO为60V，确保在高压应用中的稳定性和可靠性。直流电流增益HFE范围为100至300，保证了信号放大的一致性与效率。此外，该三极管的过渡频率FT为150MHz，使其同样适用于要求较高的频率响应场景。这些特性使得它成为音频放大、电源管理及其他对稳定性与频率响应有较高要求的电子设计中的理想选择。

10+
￥0.263283 ￥0.2831
100+
￥0.209715 ￥0.2255
300+
￥0.182931 ￥0.1967
3000+
￥0.162843 ￥0.1751
6000+
￥0.146754 ￥0.1578
9000+
￥0.138756 ￥0.1492

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型号：B772-Y 编号：C3018516

封装：SOT-89

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

晶体管类型：NPNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@2A,200mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：400@1A,2V 特征频率（fT）：50MHZ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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