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首页 > 热门关键词 > pnp晶体管
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PNP 电流:100mA 电压:45V
型号：BC557BTA 编号：C512874
封装：TO-92-3L
品牌：onsemi(安森美)
特性：适用于开关和放大。 高电压：BC556，VCEO =-65V。 低噪声：BC559、BC560。 与BC546、BC547、BC548、BC549和BC550互补
数据手册

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    ￥0.5472

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    PNP 电流:1A 电压:45V
    型号：TPBCP51-16 编号：C7603305
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 封装：SOT-223。 模塑料，UL 可燃性分类等级 94V-0。 引脚：雾锡电镀引脚，符合 MIL-STD-202 方法 208 可焊性要求

    • 5+

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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：TPBCP52-16 编号：C7603303
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 封装：SOT-223。 模塑料，UL 可燃性分类等级 94V-0。 引脚：雾锡电镀引脚，可根据 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接

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    PNP 电流:1A 电压:80V
    型号：BCP53-16 编号：C7603302
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 封装：SOT-223。 模塑料，UL 可燃性分类等级 94V-0。 引脚：雾锡电镀引线，可根据 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接

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    PNP 500mA 45V
    型号：BC807-40HR 编号：C549405
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP通用晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

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      ￥0.5728

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    PNP 电流:1A 电压:45V
    型号：BCP51,115 编号：C15335
    封装：SOT-223
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP中功率晶体管系列，采用表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

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    PNP 电流:500mA 电压:12V
    型号：2SA2030T2L 编号：C2974201
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：高电流。 集电极-发射极饱和电压低：在集电极电流（IC）为 -200mA、基极电流（IB）为 -10mA 时，VCE(sat) ≤ 250mA。应用：低频放大器。 驱动器

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      ￥0.4424
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    PNP 电流:0.5A 电压:80V
    型号：2SB1198KT146R 编号：C266246
    封装：TO-236-3(SOT-23-3)
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：低VCE(sat)，VCE(sat) = -0.2V（典型值）(Ic / Ib = -0.5A / -50mA)。 高击穿电压，BVCEO = -80V。 与2SD1782K互补
    数据手册

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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：AD-BCP52-16 编号：C2975689
    封装：SOT-223
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：NPN型。 通过AEC-Q101认证

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      ￥0.6004

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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：BCX52-16 编号：C2843319
    封装：SOT-89
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BCX54/BCX55/BCX56。应用：中功率通用。 音频放大器的驱动级
    数据手册

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    PNP 电流:1A 电压:45V
    型号：AD-BCP51-16 编号：C2975720
    封装：SOT-223
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：NPN型。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

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      ￥0.6494

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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：BCX52 编号：C20599885
    封装：SOT-89
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。 可根据要求提供无卤版本，添加后缀“HF”。 防潮敏感度等级。 低集电极-发射极饱和电压

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      ￥0.6624

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      ￥0.5357

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      ￥0.4723

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      ￥0.4248
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    PNP 电流:1A 电压:80V
    型号：BCP53-16,135 编号：C549580
    封装：SOT-223
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

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      ￥0.695475 ￥1.5455

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      ￥0.42399 ￥1.2114

    • 150+

      ￥0.26705 ￥1.0682

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      ￥0.2224 ￥0.8896

    • 2500+

      ￥0.202525 ￥0.8101

    • 4000+

      ￥0.190575 ￥0.7623
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    hfe=120~240 PNP 电流:800mA 电压:120V
    型号：KTA1023-Y-AT/P 编号：C69739
    封装：TO-92-3
    品牌：KEC
    特性：与KTC1027互补
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6972

    • 50+

      ￥0.6132

    • 150+

      ￥0.5772

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      ￥0.5323
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    PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：2N5401YTA 编号：C900709
    封装：TO-92-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：集电极-发射极电压：VCEO = 150V。 集电极耗散功率：PC(max) = 625mW。 后缀“-C”表示对收集极（1. 发射极 2. 集电极 3. 基极）
    数据手册

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      ￥0.7701

    • 50+

      ￥0.6122

    • 150+

      ￥0.5333

    • 500+

      ￥0.4741
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    180-390 PNP 电流:5A 电压:20V
    型号：2SB1386(RANGE:180-390) 编号：C108182
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低集电极饱和电压。 出色的电流增益特性
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7764

    • 50+

      ￥0.6228

    • 150+

      ￥0.546
  • 有货
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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：DPLS160V-7 编号：C5248956
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 提供互补NPN类型。 表面贴装封装，适合自动组装。 超小表面贴装封装。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色器件”。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

    • 5+

      ￥0.7829

    • 50+

      ￥0.6905

    • 150+

      ￥0.6508

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      ￥0.6014

    • 2500+

      ￥0.5794
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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：DSS5160V-7 编号：C526594
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 提供互补NPN类型。 低集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)。 表面贴装封装，适合自动组装。 超小型表面贴装封装。 无铅/RoHS合规。 “绿色设备”
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8045

    • 50+

      ￥0.6514

    • 150+

      ￥0.5748

    • 500+

      ￥0.5174
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    PNP塑料封装晶体管
    型号：MJE350 编号：C50275343
    封装：TO-126
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该PNP型三极管具有0.5A集电极电流和300V集电极-发射极耐压，适用于中等功率的信号放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）范围为100至250，表现出稳定的电流放大能力与良好的线性特性。器件可用于电源反向控制、电平转换、继电器驱动及小功率音频信号处理等应用。较高的电压耐受性能使其适合在存在电压波动的环境中工作，广泛适用于家用电子设备、电源模块、消费类电器控制电路及通用模拟数字混合电路中的信号切换与功率控制需求。

    • 5+

      ￥0.809115 ￥0.8517

    • 50+

      ￥0.791255 ￥0.8329

    • 150+

      ￥0.779475 ￥0.8205

    • 500+

      ￥0.7676 ￥0.808
  • 有货
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    PNP 电流:3A 电压:60V
    型号：PBSS5360XX 编号：C551991
    封装：SOT-89-3
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP低VCEsat晶体管采用中功率SOT89（SC-62）扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。NPN互补型号为PBSS4360X。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8172 ￥1.362

    • 50+

      ￥0.5338 ￥1.0676

    • 150+

      ￥0.37656 ￥0.9414

    • 1000+

      ￥0.3136 ￥0.784

    • 2000+

      ￥0.28556 ￥0.7139

    • 5000+

      ￥0.26872 ￥0.6718
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    PNP 电流:2A 电压:40V
    型号：FCX790ATA 编号：C155511
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-40V。 IC =-2A 连续电流。 ICM =-6A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-500mA。 PD = 2W 功耗。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9133

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      ￥0.7451

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      ￥0.661

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      ￥0.5979
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    PNP 电流:1.5A 电压:80V
    型号：2SAR554P5T100 编号：C509294
    封装：SOT-89
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：低饱和电压，典型值 VCE(sat)=400mV（最大值）（IC/IB = -500mA/-25mA）。 高速开关。应用：低频放大器。 高速开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9682

    • 50+

      ￥0.7515

    • 150+

      ￥0.6586

    • 1000+

      ￥0.5427
  • 有货
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    PNP 电流:2A 电压:60V
    型号：NSV60200LT1G 编号：C889776
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体的 e2 PowerEdge 系列低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品（例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器）中的 DC-DC 转换器和功率管理。其它应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.033536 ￥1.6149

    • 50+

      ￥0.675972 ￥1.2518

    • 150+

      ￥0.482328 ￥1.0962

    • 500+

      ￥0.396924 ￥0.9021

    • 3000+

      ￥0.358864 ￥0.8156

    • 6000+

      ￥0.336028 ￥0.7637
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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：DSS5160T-7 编号：C526593
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构，适用于中功率放大和开关。 无铅，符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0415

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      ￥0.8506

    • 150+

      ￥0.7552

    • 500+

      ￥0.6836
  • 有货
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    PNP 电流:1A 电压:230V
    型号：2SA1837 编号：C2920867
    封装：TO-220F
    品牌：minos(迈诺斯)
    特性：与2SC4793互补。 高集电极电压：VCEO = -230V（最小值）。应用：功率放大器
    数据手册

    • 1+

      ￥1.111035 ￥1.3071

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      ￥0.875415 ￥1.0299

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      ￥0.76041 ￥0.8946

    • 100+

      ￥0.63444 ￥0.7464

    • 500+

      ￥0.57834 ￥0.6804

    • 1000+

      ￥0.54468 ￥0.6408
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    hfe=120~270 PNP 电流:3A 电压:50V
    型号：2SB1184(RANGE:120-270) 编号：C48690
    封装：TO-252-2L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
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    PNP 电流:1.5A 电压:150V
    型号：2SA940 编号：C480005
    封装：TO-220C
    品牌：SPTECH(深圳质超)
    设计用于通用功率放大器，垂直输出应用。
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    PNP 电流:0.5A 电压:500V
    型号：STR2550 编号：C377933
    封装：SOT-23
    品牌：ST(意法半导体)
    高压快速切换PNP功率晶体管
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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BCM857BV-7 编号：C5248629
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -45V。 IC = -100mA，高集电极电流。 一对本质匹配的 PNP 晶体管。 电流增益 (hFE) 匹配度为 2%。 基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。 采用小型表面贴装封装，完全内部隔离。 完全无铅，完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

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    PNP 电流:6A 电压:30V
    型号：PBSS5630PA,115 编号：C552000
    封装：SOT-1061
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP低VCEsat小信号突破（BISS）晶体管，采用超薄SOT1061无引脚小表面贴装器件（SMD）塑料封装，具备中等功率能力。NPN互补型号：PBSS4630PA。
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