pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：FCX790ATA 编号：C155511

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-2A 连续电流。 ICM =-6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-500mA。 PD = 2W 功耗。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9133
50+
￥0.7451
150+
￥0.661
1000+
￥0.5979

有货

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型号：2SAR554P5T100 编号：C509294

封装：SOT-89

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低饱和电压，典型值 VCE(sat)=400mV（最大值）（IC/IB = -500mA/-25mA）。高速开关。应用：低频放大器。高速开关

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5+
￥0.9682
50+
￥0.7515
150+
￥0.6586
1000+
￥0.5427

有货

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型号：NSV60200LT1G 编号：C889776

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 e2 PowerEdge 系列低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品（例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器）中的 DC-DC 转换器和功率管理。其它应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

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5+
￥1.033536 ￥1.6149
50+
￥0.675972 ￥1.2518
150+
￥0.482328 ￥1.0962
500+
￥0.396924 ￥0.9021
3000+
￥0.358864 ￥0.8156
6000+
￥0.336028 ￥0.7637

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型号：DSS5160T-7 编号：C526593

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，适用于中功率放大和开关。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥1.0415
50+
￥0.8506
150+
￥0.7552
500+
￥0.6836

有货

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型号：2SA1837 编号：C2920867

封装：TO-220F

品牌：minos(迈诺斯)

特性：与2SC4793互补。高集电极电压：VCEO = -230V（最小值）。应用：功率放大器

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1+
￥1.111035 ￥1.3071
10+
￥0.875415 ￥1.0299
50+
￥0.76041 ￥0.8946
100+
￥0.63444 ￥0.7464
500+
￥0.57834 ￥0.6804
1000+
￥0.54468 ￥0.6408

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型号：A940 编号：C20607874

封装：TO-220AB

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高效率，低偏差。输入阻抗小，功耗低。抗高温、高湿。稳定性好，可靠性高。应用：音频放大器。开关应用

5+
￥1.114635 ￥1.1733
50+
￥0.875235 ￥0.9213
150+
￥0.772635 ￥0.8133
500+
￥0.64467 ￥0.6786
2000+
￥0.58767 ￥0.6186
5000+
￥0.553375 ￥0.5825

有货

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型号：2SA940 编号：C480005

封装：TO-220C

品牌：SPTECH(深圳质超)

设计用于通用功率放大器，垂直输出应用。

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5+
￥1.30644 ￥1.3752
50+
￥1.015265 ￥1.0687
150+
￥0.89623 ￥0.9434
500+
￥0.747745 ￥0.7871
2400+
￥0.681625 ￥0.7175
4800+
￥0.641915 ￥0.6757

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型号：BCM857BV-7 编号：C5248629

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -45V。 IC = -100mA，高集电极电流。一对本质匹配的 PNP 晶体管。电流增益 (hFE) 匹配度为 2%。基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。采用小型表面贴装封装，完全内部隔离。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥1.4241
50+
￥1.135
150+
￥1.0111

有货

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型号：PBSS5630PA,115 编号：C552000

封装：SOT-1061

品牌：Nexperia(安世)

PNP低VCEsat小信号突破（BISS）晶体管，采用超薄SOT1061无引脚小表面贴装器件（SMD）塑料封装，具备中等功率能力。NPN互补型号：PBSS4630PA。

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1+
￥1.4547 ￥3.73
10+
￥0.8787 ￥3.03
30+
￥0.5187 ￥2.73
100+
￥0.4465 ￥2.35
500+
￥0.4161 ￥2.19
1000+
￥0.3971 ￥2.09

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型号：DXT3906-13 编号：C460067

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥1.4549
50+
￥1.1758
150+
￥1.0562
500+
￥0.907

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型号：PBHV9115Z,115 编号：C551775

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223（SC - 73）中功率表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP高压低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBHV8115Z

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1+
￥1.5729 ￥3.21
10+
￥0.9828 ￥2.52
30+
￥0.6438 ￥2.22
100+
￥0.5365 ￥1.85
500+
￥0.4872 ￥1.68
1000+
￥0.4611 ￥1.59

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型号：LBTP560Y3T1G 编号：C5273349

封装：SOT-89

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高集电极电流能力。高集电极电流增益。由于发热少，效率高。所需印刷电路板 (PCB) 面积小。产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

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5+
￥1.5914
50+
￥1.2934
150+
￥1.1657
1000+
￥1.0064
2000+
￥0.9354
5000+
￥0.8929

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型号：2SA1952 编号：C2910354

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：SA-60V 中功率晶体管。适用于中功率驱动器。互补 NPN 类型。低集电极-发射极饱和电压。应用：中功率驱动器。 LED 驱动器

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5+
￥1.6002
50+
￥1.2676
150+
￥1.125
500+
￥0.9471

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型号：MJE2955T 编号：C19189959

封装：TO-220

品牌：minos(迈诺斯)

应用：音频功率放大

5+
￥1.6284
50+
￥1.2756
150+
￥1.1244
500+
￥0.9357
2500+
￥0.8517
5000+
￥0.8013

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型号：DXT790AP5-13 编号：C672304

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流高：IC = -3A。脉冲峰值电流：ICM = -6A。比SOT223小43%；比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率达3.2W。低饱和、高增益晶体管。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

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1+
￥1.96
10+
￥1.73
30+
￥1.63
100+
￥1.51
500+
￥1.45
1000+
￥1.42

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型号：BC807DSF 编号：C549414

封装：SC-74

品牌：Nexperia(安世)

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1+
￥1.96
10+
￥1.93
30+
￥1.9
100+
￥1.8048 ￥1.88

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型号：MJD42CJ 编号：C3198519

封装：DPAK

品牌：Nexperia(安世)

PNP高功率双极晶体管，采用功率DPAK、TO-252（SOT428C）表面贴装器件（SMD）塑料封装。NPN互补型号：MJD41C

1+
￥2.13
10+
￥2.09
30+
￥2.07
100+
￥1.9584 ￥2.04

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型号：PHPT61002PYCX 编号：C552663

封装：SOT-669

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT669（LFPAK56）表面贴装器件（SMD）功率塑料封装的PNP大功率双极晶体管。NPN互补型号：PHPT61002NYC。

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1+
￥2.5694 ￥4.43
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￥1.7088 ￥3.56
30+
￥1.1894 ￥3.13
100+
￥1.026 ￥2.7
500+
￥0.9272 ￥2.44
1500+
￥0.8778 ￥2.31

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型号：BCV64B,215 编号：C549622

封装：SOT-143

品牌：Nexperia(安世)

PNP通用双晶体管，采用小型SOT143B表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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1+
￥2.72
10+
￥2.67
30+
￥2.63
100+
￥2.496 ￥2.6

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型号：PBSS306PX,115 编号：C551859

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT89（SC - 62/TO - 243）小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。互补NPN型晶体管：PBSS306NX

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1+
￥3.17
10+
￥2.51
30+
￥2.22
100+
￥1.87
500+
￥1.72
1000+
￥1.62

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型号：BD242B 编号：C5456156

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

是安装在JEDEC TO-220塑料封装中的硅外延基NPN晶体管。适用于中功率线性和开关应用。互补PNP类型分别为BD242A、BD242B和BD242C。

1+
￥3.35
10+
￥2.68
50+
￥2.34
100+
￥2.01
500+
￥1.81

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型号：FZT749TA 编号：C110505

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -25V。高连续电流：IC = -3A。峰值脉冲电流：ICM = -8A。低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型。无铅表面处理；符合RoHS标准。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动

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1+
￥3.39
10+
￥2.77
30+
￥2.5
100+
￥2.17

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型号：ZXTD720MCTA 编号：C155327

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。低饱和电压 (- 220mV @-1A)。 RSAT = 104mΩ 低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，保持高增益。双 NPN 节省空间和元件数量。应用：DC-DC 转换器。充电电路

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1+
￥3.88
10+
￥3.29
30+
￥3
100+
￥2.71
500+
￥2.53

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型号：ZXTP2008GTA 编号：C151587

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 IC = -5.5A 连续集电极电流。 ICM = -20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT)< -60mV 最大 @ -1A。 RSAT = 31mΩ @ -5.5A 低等效导通电阻。出色的增益线性度低至 -10mA。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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1+
￥4.13
10+
￥3.73
30+
￥3.54
100+
￥3.34
500+
￥3.22

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型号：TTA1943 编号：C5366139

封装：TO-3PL

品牌：minos(迈诺斯)

互补于TTC5200，高集电极电压：VCEO = -230V（最小值），推荐用于100W高保真音频放大器输出级

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1+
￥4.2245 ￥4.97
10+
￥3.417 ￥4.02
25+
￥2.941 ￥3.46
100+
￥2.533 ￥2.98
500+
￥2.295 ￥2.7
1000+
￥2.176 ￥2.56

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型号：FZT790ATA 编号：C460090

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 Ic Max.-3A 高连续电流。 IcM Max.-6A 峰值脉冲电流。极低的等效导通电阻；RCE (sat) 在 2A 时为 125mΩ。在 IC = 1A 时 hFE 为 200，且饱和电压极低。互补 NPN 型：FZT690B。应用：DC-DC 转换器。警报器驱动器

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