pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2N6520 编号：C47089367

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与2N6517互补

10+
￥0.4292
100+
￥0.3419
300+
￥0.2983
1000+
￥0.2655

有货

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型号：2SB1386-R 编号：C18208594

封装：SOT-89

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低VCE(sat)。VCE(sat) =-0.35V (Typ.) (IC/lB =-4A /-0.1A)。优异的直流电流增益。外延平面型。PNP硅晶体管

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
1000+
￥0.2783
5000+
￥0.2495
10000+
￥0.235

有货

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型号：BC806-16HR 编号：C3201059

封装：TO-236AB

品牌：Nexperia(安世)

PNP 通用晶体管，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

10+
￥0.5016
100+
￥0.4099
300+
￥0.3641
3000+
￥0.3182
6000+
￥0.2907
9000+
￥0.277

有货

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型号：2SA1013-Y 编号：C305389

封装：TO-92LM

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

TO-92LM 塑封封装 PNP 半导体三极管。

数据手册

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
1000+
￥0.3061

有货

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型号：TPPZT2907A 编号：C7603314

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
1000+
￥0.3061
2000+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

有货

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型号：A1013Y-2AF 编号：C48947046

封装：SOT-89-3L

品牌：FOSAN(富捷/富信)

晶体管类型: PNP A1013Y-2AF

5+
￥0.5247
50+
￥0.415
150+
￥0.3602
1000+
￥0.319
2000+
￥0.2861
5000+
￥0.2697

有货

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型号：2SA1661-JSM 编号：C33960078

封装：SOT-89

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于高压、高电流应用。

5+
￥0.52992 ￥0.5888
50+
￥0.41895 ￥0.4655
150+
￥0.36342 ￥0.4038
1000+
￥0.32175 ￥0.3575
2000+
￥0.28845 ￥0.3205
5000+
￥0.2718 ￥0.302

有货

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型号：2SA1020(RANGE:120-240) 编号：C9632

封装：TO-92-3

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：适用于功率放大器应用。应用：功率放大器应用

数据手册

5+
￥0.5399
50+
￥0.4343
150+
￥0.3815
500+
￥0.3061

有货

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型号：FMMT551TA-HXY 编号：C47506935

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP三极管（BJT）拥有1A的集电极电流（IC），适用于多种功率信号放大和开关应用。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为60V，确保了在不同操作环境下的可靠性。直流电流增益（HFE）范围从100到300，能够满足大多数通用放大需求。特征频率（FT）达到150MHz，显示出优秀的高频操作能力，适合于需要高速切换的应用场景，如通信设备和消费电子产品的信号处理与放大电路中，是高效电路设计的理想选择。

5+
￥0.5499 ￥0.611
50+
￥0.43803 ￥0.4867
150+
￥0.38205 ￥0.4245
500+
￥0.34011 ￥0.3779
3000+
￥0.30654 ￥0.3406
6000+
￥0.2898 ￥0.322

有货

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型号：2SB772SG-P-AB3-R 编号：C146664

封装：SOT-89

品牌：UTC(友顺)

2SB772S 是一款中功率低压晶体管，专为音频功率放大器、DC-DC 转换器和稳压器而设计。

数据手册

5+
￥0.5536
50+
￥0.4384
150+
￥0.3808
500+
￥0.3376
2500+
￥0.2842

有货

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型号：MMDT2907V-7 编号：C460233

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVceo > -60V。 Ic = -600mA 集电极电流。超小表面贴装封装。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合A5C-Q191高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.555449 ￥0.7031
50+
￥0.388194 ￥0.5626
150+
￥0.290516 ￥0.4924
500+
￥0.259423 ￥0.4397
3000+
￥0.234525 ￥0.3975
6000+
￥0.222135 ￥0.3765

有货

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型号：2SB647A-C 编号：C358368

封装：TO-92LM

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

TO-92LM 塑封封装 PNP 半导体三极管。

5+
￥0.5581
50+
￥0.4486
150+
￥0.3939
500+
￥0.3528

有货

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型号：BCP53-16 编号：C7603302

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。封装：SOT-223。模塑料，UL 可燃性分类等级 94V-0。引脚：雾锡电镀引线，可根据 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接

5+
￥0.5728
50+
￥0.4528
150+
￥0.3928
1000+
￥0.3478
2000+
￥0.3118
5000+
￥0.2938

有货

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型号：2SA1201 编号：C43440254

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高电压。高过渡频率。与2SC2881互补

5+
￥0.5778
50+
￥0.4526
150+
￥0.3901
1000+
￥0.3431

有货

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型号：BCP52,135 编号：C456119

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP中功率晶体管系列。

数据手册

5+
￥0.6058
50+
￥0.4793
150+
￥0.416
500+
￥0.3686
2500+
￥0.3306
4000+
￥0.3117

订货

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型号：MMDT5401-7-F 编号：C460236

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补NPN类型。适用于中功率放大和开关。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6106
50+
￥0.4759
150+
￥0.4086
500+
￥0.3581

有货

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型号：LBSS5250Y3T1G 编号：C5273344

封装：SOT-89

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：低饱和电压。高速开关。产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。应用：驱动器

5+
￥0.6307
50+
￥0.5054
150+
￥0.4428
500+
￥0.3958
2500+
￥0.3582
5000+
￥0.3394

有货

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型号：2SB649AD-C 编号：C358469

封装：TO-252

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

TO-252 塑封封装 PNP 半导体三极管。

数据手册

5+
￥0.6391
50+
￥0.4982
150+
￥0.4277
500+
￥0.3748
2500+
￥0.3325

有货

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型号：2SA2092TLQ 编号：C2840174

封装：TSMT-3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关：tf典型值为30ns，Ic = -1A时。低饱和电压：典型值为 -200mV，Ic = -500mA，Ib = -50mA时。对感性负载和容性负载具有强放电抗性。低开关噪声。应用：高速开关。低频放大

数据手册

5+
￥0.7114
50+
￥0.6274
150+
￥0.5914
500+
￥0.5465

有货

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型号：2SA1661(RANGE:120-240) 编号：C112448

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：小型扁平封装。高电流应用。高电压。高过渡频率

数据手册

5+
￥0.7211
50+
￥0.5867
150+
￥0.5195

有货

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型号：2STR2160 编号：C2917593

封装：SOT-23

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换PNP功率晶体管

数据手册

5+
￥0.7475
50+
￥0.6471
150+
￥0.604
500+
￥0.5503

有货

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型号：MMBT589LT1G-HXY 编号：C47502951

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP三极管（BJT）具有1A的集电极电流（IC）能力，适用于需要中等功率处理的电路。其集电极-发射极电压（VCEO）为30V，确保在低压应用中的稳定性和可靠性。直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，提供了良好的信号放大效果。该三极管的过渡频率（FT）达到100MHz，使其在高频操作条件下依然表现出色。此元件非常适合用于构建对信号放大精度和响应速度有高要求的电子设备，如无线通讯模块或便携式音频装置，满足复杂电路设计的需求。