pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBT2907A 编号：C7427895

封装：SOT-23

品牌：NH(纽航)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-0.6A 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(Hfe)：100~300

50+
￥0.122
500+
￥0.0956
3000+
￥0.0786

有货

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型号：MMBT2907 编号：C699230

封装：SOT-23

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。高导电性。表面贴装封装，非常适合自动插入

50+
￥0.122
500+
￥0.0967
3000+
￥0.0752

有货

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型号：BC807-40 编号：C7427887

封装：SOT-23

品牌：NH(纽航)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-45V 集电极电流(Ic)：-0.5A 功率(Pd)：225mW 直流电流增益：250~600

50+
￥0.122
500+
￥0.0956
3000+
￥0.0786

有货

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型号：MMBT5401 编号：C382289

封装：SOT-23

品牌：KEXIN(科信)

特性：高压晶体管，提供无铅封装

数据手册

50+
￥0.1222
500+
￥0.0952
3000+
￥0.0802
6000+
￥0.0712
24000+
￥0.0634
51000+
￥0.0592

有货

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型号：2SB1132-R 编号：C2999959

封装：SOT-89

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。与2SD1664互补

数据手册

10+
￥0.12376 ￥0.3094
100+
￥0.0988 ￥0.247
300+
￥0.08632 ￥0.2158
1000+
￥0.07228 ￥0.1807
5000+
￥0.0648 ￥0.162
10000+
￥0.06104 ￥0.1526

有货

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型号：BC327 编号：C47089394

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：功率耗散

20+
￥0.1264
200+
￥0.1237
1000+
￥0.122

有货

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型号：MMDT3906 编号：C5188672

封装：SOT-363

品牌：HT(金誉)

特性：外延平面管芯结构。适用于低功率放大和开关

20+
￥0.12768 ￥0.1344
200+
￥0.099465 ￥0.1047
600+
￥0.08379 ￥0.0882
3000+
￥0.074385 ￥0.0783
9000+
￥0.066215 ￥0.0697
21000+
￥0.061845 ￥0.0651

有货

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型号：MMBTSA1774E 编号：C51883358

封装：SOT-523

品牌：Huixin(慧芯)

晶体管类型：PNP，集电极电流：150mA，集射极击穿电压：50V，耗散功率：150mW，适用于线性及开关应用。

20+
￥0.132176 ￥0.1502
200+
￥0.103664 ￥0.1178
600+
￥0.087824 ￥0.0998
3000+
￥0.07832 ￥0.089
9000+
￥0.070136 ￥0.0797
21000+
￥0.065648 ￥0.0746

有货

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型号：BC856A 编号：C49435662

封装：SOT-23

品牌：Huixin(慧芯)

晶体管类型：NPN，集电极电流：0.1A，集射极击穿电压：65V，耗散功率：200mW，适用于线性及开关应用。

20+
￥0.132616 ￥0.1507
200+
￥0.104016 ￥0.1182
600+
￥0.088176 ￥0.1002
3000+
￥0.078584 ￥0.0893
9000+
￥0.070312 ￥0.0799
21000+
￥0.065912 ￥0.0749

有货

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型号：MMBT4403 编号：C51883356

封装：SOT-23

品牌：Huixin(慧芯)

晶体管类型：PNP，集电极电流：0.6A，集射极击穿电压：40V，耗散功率：300mW，适用于线性及开关应用。

20+
￥0.132616 ￥0.1507
200+
￥0.104016 ￥0.1182
600+
￥0.088176 ￥0.1002
3000+
￥0.078584 ￥0.0893
9000+
￥0.070312 ￥0.0799
21000+
￥0.065912 ￥0.0749

有货

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型号：MMBT2907A 编号：C49435603

封装：SOT-23

品牌：Huixin(慧芯)

晶体管类型：PNP，集电极电流：600mA，集射极击穿电压：60V，耗散功率：250mW，适用于线性及开关应用。

20+
￥0.132616 ￥0.1507
200+
￥0.104016 ￥0.1182
600+
￥0.088176 ￥0.1002
3000+
￥0.078584 ￥0.0893
9000+
￥0.070312 ￥0.0799
21000+
￥0.065912 ￥0.0749

有货

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型号：DTC114YCA 编号：C7427891

封装：SOT-23

品牌：NH(纽航)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-0.1A 功率(Pd)：200mW R2/R1=10

20+
￥0.1327
200+
￥0.1034
600+
￥0.0871
3000+
￥0.0773
9000+
￥0.0688
21000+
￥0.0643

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型号：PMSTA56-HXY 编号：C47506879

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款PNP型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流IC，能够支持中等负载需求。其最大集电极-发射极电压VCEO为150V，适合于需要较高电压操作的电路设计。直流电流增益HFE范围在100到300之间，保证了信号放大过程中的稳定性和效率。过渡频率FT达到100MHz，使其同样适用于高频应用场合。该三极管适用于多种电子设备中的电源管理及信号处理功能，如消费类电子产品和智能家居装置，为其提供可靠性能支持。

20+
￥0.135565 ￥0.1427
200+
￥0.106305 ￥0.1119
600+
￥0.09006 ￥0.0948
3000+
￥0.08037 ￥0.0846
9000+
￥0.071915 ￥0.0757
21000+
￥0.067355 ￥0.0709

有货

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型号：BC80725MTFNL-HXY 编号：C46682491

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）专为高效能应用设计，集电极电流IC可达0.5A，确保了在多种电路中的稳定表现。其集电极-发射极电压VCEO高达45V，使其能够承受较高的反向电压，增加了使用的安全性与可靠性。直流电流增益HFE范围为160至400，提供了灵活的放大能力。此外，该三极管具有100MHz的过渡频率FT，保证了信号处理时的高速响应。适用于需要高精度和快速开关的电子设备中，是构建复杂电路的理想选择。