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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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hfe=250~600 通用晶体管 NPN 电流:500mA 电压:45V
型号：BC817-40,215 编号：C52801
封装：SOT-23
品牌：Nexperia(安世)
采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。
数据手册

  • 20+

    ￥0.1532

  • 200+

    ￥0.1161

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    ￥0.0997

  • 3000+

    ￥0.0873

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    ￥0.0824

  • 21000+

    ￥0.0791
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:170mA
    型号：BSS84 编号：C7420340
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = -60V。 I0 = -0.17A。 RDS(on)@VGS = -10V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 低RDS(ON)。应用：视频监视器。 负载开关

    • 50+

      ￥0.1113

    • 500+

      ￥0.0929

    • 3000+

      ￥0.0687

    • 6000+

      ￥0.0626

    • 24000+

      ￥0.0573

    • 51000+

      ￥0.0544
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400 编号：C181090
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：超低导通电阻：当VDS = 30V，VGS = 10V，ID = 5.8A时，RDS(ON) ≤ 28mΩ。适用于PWM应用。适用于负载开关应用。表面贴装器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.16606 ￥0.1748

    • 200+

      ￥0.126065 ￥0.1327

    • 600+

      ￥0.108205 ￥0.1139

    • 3000+

      ￥0.09785 ￥0.103

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    • 21000+

      ￥0.08892 ￥0.0936
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：AO3401A 编号：C15127
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3733

    • 100+

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    • 300+

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    • 3000+

      ￥0.2353

    • 6000+

      ￥0.2248

    • 9000+

      ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904 编号：C916374
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为中等电压、微至小电流应用环境设计，是您进行精密放大与开关电路的理想半导体器件。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.03888 ￥0.0432

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      ￥0.02214 ￥0.0246

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    • 90000+

      ￥0.02016 ￥0.0224
  • 有货
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    hFE:420-800，丝印:1G NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847C 编号：C7420337
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:420-800，丝印:1G

    • 50+

      ￥0.0668

    • 500+

      ￥0.0556

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    • 51000+

      ￥0.0337
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:200-350，丝印:2T1 PNP 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9012 编号：C20069129
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:200-350，丝印:2T1

    • 50+

      ￥0.0773

    • 500+

      ￥0.0612

    • 3000+

      ￥0.0488

    • 6000+

      ￥0.0434

    • 24000+

      ￥0.0388

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      ￥0.0362
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    hfe=200~300 PNP 电流:0.6A 电压:150V
    型号：MMBT5401(RANGE:200-300) 编号：C8326
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印2L
    数据手册

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  • 有货
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    hFE:100-300 NPN 600mA 40V
    型号：MMBT4401 编号：C7420355
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:100-300，丝印:2X

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      ￥0.091

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    • 51000+

      ￥0.0483
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
    型号：BSS123 编号：C7420338
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100V。 I0 = 0.17A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 便携式设备的负载开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 50+

      ￥0.1146

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    • 24000+

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    • 51000+

      ￥0.06
  • 有货
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    hFE:250-630，丝印:6C NPN 电流:0.5A 电压:45V
    型号：BC817-40 编号：C20069155
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:250-630，丝印:6C

    • 50+

      ￥0.1188

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    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138W 编号：C28646265
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 50V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6.0Ω。 沟槽功率中压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.1381

    • 200+

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    • 600+

      ￥0.0895

    • 3000+

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    • 21000+

      ￥0.0653
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3018 编号：C20069148
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：接口负载开关

    • 20+

      ￥0.1457

    • 200+

      ￥0.1165

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    • 3000+

      ￥0.0845

    • 9000+

      ￥0.0761

    • 21000+

      ￥0.0715
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=250~600 PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40,215 编号：C57316
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1694

    • 200+

      ￥0.13

    • 600+

      ￥0.1125

    • 3000+

      ￥0.0979

    • 9000+

      ￥0.0926

    • 21000+

      ￥0.0891
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002LT1G 编号：C16338
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1952

    • 200+

      ￥0.1509

    • 600+

      ￥0.1312

    • 3000+

      ￥0.1099

    • 9000+

      ￥0.104

    • 21000+

      ￥0.1
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002,215 编号：C65189
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2066

    • 200+

      ￥0.1584

    • 600+

      ￥0.1369

    • 3000+

      ￥0.1208

    • 9000+

      ￥0.1144

    • 21000+

      ￥0.1101
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
    型号：30N06 编号：C369599
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    N沟道
    数据手册

    • 5+

      ￥0.737

    • 50+

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    • 500+

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    • 2500+

      ￥0.3857

    • 5000+

      ￥0.3698
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:200-400，丝印:L6 NPN 电流:100mA 电压:50V
    型号：2SC1623 编号：C7420324
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:200-400，丝印:L6

    • 50+

      ￥0.0688

    • 500+

      ￥0.0572

    • 3000+

      ￥0.0479

    • 6000+

      ￥0.044

    • 24000+

      ￥0.0407

    • 51000+

      ￥0.0388
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:100-300 NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMST3904 编号：C22388837
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:100-300，丝印:K2N

    • 50+

      ￥0.0861

    • 500+

      ￥0.0683

    • 3000+

      ￥0.0544

    • 6000+

      ￥0.0484

    • 24000+

      ￥0.0433

    • 51000+

      ￥0.0405
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:115mA,耐压:60V
    型号：2N7002W 编号：C7420322
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 50+

      ￥0.1163

    • 500+

      ￥0.0961

    • 3000+

      ￥0.0728

    • 6000+

      ￥0.0661

    • 24000+

      ￥0.0602

    • 51000+

      ￥0.057
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~450 NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847B,215 编号：C57668
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN通用晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1221

    • 200+

      ￥0.0934

    • 600+

      ￥0.0806

    • 3000+

      ￥0.071

    • 9000+

      ￥0.0672

    • 21000+

      ￥0.0646
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846B,215 编号：C87062
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23（TO236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1243

    • 200+

      ￥0.0946

    • 600+

      ￥0.0813

    • 3000+

      ￥0.0714

    • 9000+

      ￥0.0674

    • 21000+

      ￥0.0648
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3018W 编号：C20069149
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：接口。 负载开关

    • 20+

      ￥0.1545

    • 200+

      ￥0.1264

    • 600+

      ￥0.1108

    • 3000+

      ￥0.0921

    • 9000+

      ￥0.084

    • 21000+

      ￥0.0796
  • 有货
    • 立即购买
    N-通道,电流:5.6A,耐压:30V
    型号：HL3400 编号：C22469448
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 5.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 27mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 33mΩ。 Trench Power LV MOSFET technology。 Voltage controlled small signal switch。应用：Battery protection。 Load switch

    • 20+

      ￥0.16695 ￥0.1855

    • 200+

      ￥0.13122 ￥0.1458

    • 600+

      ￥0.11142 ￥0.1238

    • 3000+

      ￥0.09117 ￥0.1013

    • 9000+

      ￥0.08091 ￥0.0899

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    hFE:100-200 NPN 电流:0.5A 电压:300V
    型号：MMBTA42 编号：C20069138
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:100-200，丝印:1D

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    hFE:100-300 PNP 电流:500mA 电压:300V
    型号：MMBTA92 编号：C20069146
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:100-300，丝印:2D

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401 编号：C181091
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：CJ2310 编号：C75882
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,60V,3A,105mΩ@10V
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    hfe=100~250 NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：BCX56(RANGE:100-250) 编号：C24280
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：PNP与BCX51、BCX52、BCX53互补。 低电压。 高电流。应用：音频放大器的驱动级
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    低VCEsat晶体管 NPN 电流:1A 电压:40V
    型号：PBSS4140T,215 编号：C82254
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5140T。
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