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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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1个N沟道 耐压:40V 电流:159A
型号：IRFH7440TRPBF 编号：C67862
封装：PQFN5x6-8
品牌：Infineon(英飞凌)
N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V
数据手册

  • 5+

    ￥2.2196

  • 50+

    ￥1.7282

  • 150+

    ￥1.5176

  • 500+

    ￥1.2548

  • 2500+

    ￥1.1378

  • 4000+

    ￥1.0676
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
    型号：IRF530NPBF 编号：C2565
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,17A,90mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3073

    • 50+

      ￥1.7953

    • 150+

      ￥1.5919

    • 500+

      ￥1.27129 ￥1.3382

    • 2000+

      ￥1.16394 ￥1.2252

    • 5000+

      ￥1.09953 ￥1.1574
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
    型号：DMP6023LE-13 编号：C154901
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3563

    • 50+

      ￥1.8909

    • 150+

      ￥1.6914

    • 500+

      ￥1.4022

    • 2500+

      ￥1.2914

    • 5000+

      ￥1.2249
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:6A 电压:100V
    型号：TIP41C 编号：C92603
    封装：TO-220
    品牌：ST(意法半导体)
    互补硅功率晶体管
    数据手册

    • 1+

      ￥2.63

    • 10+

      ￥2.09

    • 30+

      ￥1.86

    • 100+

      ￥1.56

    • 500+

      ￥1.43

    • 1000+

      ￥1.36
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
    型号：CRSM038N10N4 编号：C2988619
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：CRMICRO(华润微)
    低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=100V Id=100A Rds=3.0mΩ(3.6mΩ最大) DFN5x6封装；
    数据手册

    • 1+

      ￥3.28

    • 10+

      ￥2.78

    • 30+

      ￥2.42

    • 100+

      ￥2.13

    • 500+

      ￥1.9

    • 1000+

      ￥1.84
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:40V 电流:170A
    型号：BSC014N04LS 编号：C2760081
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道，逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性
    数据手册

    • 1+

      ￥3.69

    • 10+

      ￥2.98

    • 30+

      ￥2.68

    • 100+

      ￥2.185 ￥2.3

    • 500+

      ￥1.7765 ￥1.87

    • 1000+

      ￥1.6815 ￥1.77
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:140A
    型号：AGM60P100A 编号：C5373096
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM60P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 1+

      ￥4.8925 ￥5.15

    • 10+

      ￥3.952 ￥4.16

    • 30+

      ￥3.477 ￥3.66

    • 100+

      ￥3.0115 ￥3.17

    • 500+

      ￥2.641 ￥2.78

    • 1000+

      ￥2.4985 ￥2.63
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:800V
    型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814
    封装：TO-220SIS
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。 增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥5.55

    • 10+

      ￥4.44

    • 50+

      ￥3.88

    • 100+

      ￥3.33

    • 500+

      ￥3

    • 1000+

      ￥2.83
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:85A
    型号：AON6278 编号：C431186
    封装：PDFN-8(5.8x4.9)
    品牌：AOS
    数据手册

    • 1+

      ￥7.26

    • 10+

      ￥6.04

    • 30+

      ￥5.38

    • 100+

      ￥4.63

    • 500+

      ￥4.29

    • 1000+

      ￥4.14
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:500V 电流:20A 停产
    型号：SIHG20N50C-E3 编号：C11745
    封装：TO-247AC
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,560V,20A,270mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥10.44

    • 10+

      ￥8.56

    • 25+

      ￥7.38

    • 100+

      ￥6.21

    • 500+

      ￥5.69

    • 1000+

      ￥5.46
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
    型号：AGM015N10LL 编号：C5297508
    封装：TOLL-8L
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.62 ￥11.8

    • 10+

      ￥9.018 ￥10.02

    • 30+

      ￥8.019 ￥8.91

    • 100+

      ￥6.561 ￥7.29

    • 500+

      ￥6.102 ￥6.78

    • 1000+

      ￥5.895 ￥6.55
  • 有货
    • 立即购买
    1.2kV 40A
    型号：IKW40N120H3 编号：C94637
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    40A1200V 英飞凌IGBT，广泛应用于电磁炉，电机，电焊机行业。
    数据手册

    • 1+

      ￥18.9

    • 10+

      ￥16.39

    • 30+

      ￥13.05

    • 90+

      ￥11.45

    • 480+

      ￥10.72

    • 960+

      ￥10.41
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电压:25V
    型号：S9014 编号：C916366
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于放大器低电平和低噪声。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.034085 ￥0.0401

    • 1000+

      ￥0.026775 ￥0.0315

    • 3000+

      ￥0.022695 ￥0.0267

    • 9000+

      ￥0.02023 ￥0.0238

    • 45000+

      ￥0.018105 ￥0.0213

    • 90000+

      ￥0.016915 ￥0.0199
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.1A 电压:50V
    型号：2SC1623 编号：C2891818
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：高电压：Vceo = 50V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.039

    • 500+

      ￥0.0304

    • 3000+

      ￥0.0262

    • 6000+

      ￥0.0233

    • 24000+

      ￥0.0209

    • 51000+

      ￥0.0195
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904 1AM 编号：C2985655
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与MMBT3906互补。 集电极电流：Ic = 200mA
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0394

    • 200+

      ￥0.0323

    • 600+

      ￥0.0283

    • 3000+

      ￥0.023

    • 9000+

      ￥0.0209

    • 21000+

      ￥0.0198
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC1815 编号：C909752
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    NPN 电流:150mA 耐压:50V (hFE):400@2mA,6V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.04505 ￥0.053

    • 100+

      ￥0.03587 ￥0.0422

    • 300+

      ￥0.03077 ￥0.0362

    • 3000+

      ￥0.02533 ￥0.0298

    • 6000+

      ￥0.022695 ￥0.0267

    • 9000+

      ￥0.02125 ￥0.025
  • 有货
    • 立即购买
    电流:200mA 电压:40V
    型号：2N3904S-HXY 编号：C46682376
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管（BJT）具有0.2A的集电极电流

    • 100+

      ￥0.05

    • 1000+

      ￥0.0392

    • 3000+

      ￥0.0332

    • 9000+

      ￥0.0296

    • 51000+

      ￥0.0265

    • 99000+

      ￥0.0249
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847C 编号：C181141
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压
    数据手册

    • 50+

      ￥0.055575 ￥0.0585

    • 500+

      ￥0.04351 ￥0.0458

    • 3000+

      ￥0.03458 ￥0.0364

    • 6000+

      ￥0.03059 ￥0.0322

    • 24000+

      ￥0.027075 ￥0.0285

    • 51000+

      ￥0.025175 ￥0.0265
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9012 编号：C2886438
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与S9013互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06004 ￥0.0632

    • 500+

      ￥0.047975 ￥0.0505

    • 3000+

      ￥0.038095 ￥0.0401

    • 6000+

      ￥0.034105 ￥0.0359

    • 24000+

      ￥0.03059 ￥0.0322

    • 51000+

      ￥0.02869 ￥0.0302
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:50mA 电压:18V
    型号：S9018 编号：C916368
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    特性：高电流增益带宽积。 功耗 (Pc = 200mW)。应用：NPN外延硅晶体管
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0624

    • 500+

      ￥0.0489

    • 3000+

      ￥0.0415

    • 6000+

      ￥0.037

    • 24000+

      ￥0.0331

    • 45000+

      ￥0.031
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.6A 电压:40V
    型号：MMBT2222A 编号：C42441802
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

    • 50+

      ￥0.0625

    • 500+

      ￥0.0494

    • 3000+

      ￥0.0422

    • 6000+

      ￥0.0378

    • 24000+

      ￥0.034

    • 51000+

      ￥0.032
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C545535
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：与SS8550互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0777

    • 500+

      ￥0.0601

    • 3000+

      ￥0.0468

    • 6000+

      ￥0.0409

    • 24000+

      ￥0.0359

    • 51000+

      ￥0.0331
  • 有货
    • 立即购买
    Y1表示丝印 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050W 编号：C2836073
    封装：SOT-323
    品牌：CBI(创基)
    Y1(Y1表示丝印)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0908

    • 500+

      ￥0.0796

    • 3000+

      ￥0.0711

    • 6000+

      ￥0.0674

    • 24000+

      ￥0.0642

    • 51000+

      ￥0.0624
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002NXAKR 编号：C19268174
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

    • 20+

      ￥0.12445 ￥0.131

    • 200+

      ￥0.096235 ￥0.1013

    • 600+

      ￥0.08056 ￥0.0848

    • 3000+

      ￥0.071155 ￥0.0749

    • 9000+

      ￥0.062985 ￥0.0663

    • 21000+

      ￥0.05852 ￥0.0616
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A
    型号：SI2302 编号：C2938373
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A适用于电源开关和信号控制
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2302S 编号：C431493
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：低导通电阻（RDS(ON)），在VGS = 4.5V-3.3V逻辑电平控制下。 N沟道SOT23封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。 DC/DC转换器
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    NPN 电流:300mA 电压:300V
    型号：MMBTA42 编号：C181172
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与MMBTA92互补。 高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 表面贴装器件
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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：PMBT2222A,215 编号：C23869
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN 开关晶体管，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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    PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550(SOT89-3L) 编号：C5346137
    封装：SOT-89-3L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOT-89封装的PNP型三极管，拥有25V的VCEO耐压值和1.5A的稳定集电极电流IC，其放大倍数范围在200至300之间，适用于高增益、大电流应用场景，是您电子设计与制造的理想选择。
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    PNP 电流:0.5A 电压:60V
    型号：MMBTA55 编号：C5766315
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款三极管为PNP型，适用于精密信号放大。其电流为0.5A，最大电压60V，放大倍数介于100-400之间，能在50MHz频率下稳定工作。它的高性能和稳定的电气特性，适合用于对信号处理有严格要求的场合。

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