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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
型号：AOD407 编号：C6396162
封装：TO-252
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

  • 5+

    ￥1.7037

  • 50+

    ￥1.3257

  • 150+

    ￥1.1637

  • 500+

    ￥0.9616

  • 2500+

    ￥0.8716

  • 5000+

    ￥0.8175
  • 有货
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    hfe=120~180 NPN 电流:0.6A 电压:160V
    型号：CXT5551(RANGE:120-180) 编号：C24259
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：适用于高压应用中的开关和放大。 低电流（最大600mA）。 高电压（最大180V）
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3122

    • 100+

      ￥0.2546

    • 300+

      ￥0.2258

    • 1000+

      ￥0.1922

    • 5000+

      ￥0.1749

    • 10000+

      ￥0.1663
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
    型号：CJ3439KDW 编号：C99824
    封装：SOT-363
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    双沟道，N沟道20V,0.75A,380mΩ@4.5V；P沟道：-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3155

    • 100+

      ￥0.2825

    • 300+

      ￥0.266

    • 3000+

      ￥0.2239
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:1.6A
    型号：NCE2309 编号：C502865
    封装：SOT-23
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷和出色的导通电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3323

    • 100+

      ￥0.2569

    • 300+

      ￥0.2192

    • 3000+

      ￥0.191

    • 6000+

      ￥0.1684

    • 9000+

      ￥0.157
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：NDS351AN 编号：C19829405
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.3359

    • 100+

      ￥0.2639

    • 300+

      ￥0.2279

    • 3000+

      ￥0.2009

    • 6000+

      ￥0.1793

    • 9000+

      ￥0.1685
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:400mA
    型号：NX3008NBK,215 编号：C179399
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3494

    • 100+

      ￥0.2774

    • 300+

      ￥0.2414

    • 3000+

      ￥0.2144

    • 6000+

      ￥0.1928

    • 9000+

      ￥0.182
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：FS8205A 编号：C908265
    封装：SOT-23-6L
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：电池保护。 开关应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.39141 ￥0.4349

    • 100+

      ￥0.31797 ￥0.3533

    • 300+

      ￥0.28125 ￥0.3125

    • 3000+

      ￥0.21573 ￥0.2397

    • 6000+

      ￥0.19368 ￥0.2152

    • 9000+

      ￥0.1827 ￥0.203
  • 有货
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    耐压:20V 电流:6A
    型号：8205A 编号：C7419210
    封装：TSSOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：20V MOSFET技术。 低导通电阻。 快速开关。 Vgs ±12V。应用：功率开关应用。 负载开关

    • 10+

      ￥0.3933

    • 100+

      ￥0.3022

    • 300+

      ￥0.2567

    • 1000+

      ￥0.2225

    • 5000+

      ￥0.1952

    • 10000+

      ￥0.1815
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-223 塑料封装晶体管
    型号：BCP53-16 编号：C148109
    封装：SOT-223
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BCP54...BCP56（NPN）
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4064

    • 100+

      ￥0.3283

    • 300+

      ￥0.2892

    • 2500+

      ￥0.2534

    • 5000+

      ￥0.23

    • 10000+

      ￥0.2182
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：DMG2305UX-7 编号：C150470
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道,-20V,-4.2A,52mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4148

    • 100+

      ￥0.3363

    • 300+

      ￥0.297

    • 3000+

      ￥0.2415

    • 6000+

      ￥0.2179

    • 9000+

      ￥0.2062
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：NX7002AKVL 编号：C551606
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4382

    • 100+

      ￥0.3474

    • 300+

      ￥0.302

    • 1000+

      ￥0.259863 ￥0.2679

    • 5000+

      ￥0.233479 ￥0.2407

    • 10000+

      ￥0.220287 ￥0.2271
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：SI2304DDS-T1-GE3 编号：C56372
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,30V,3.6A,60mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5084

    • 50+

      ￥0.409

    • 150+

      ￥0.3593

    • 500+

      ￥0.31556 ￥0.322

    • 3000+

      ￥0.25676 ￥0.262

    • 6000+

      ￥0.242158 ￥0.2471
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
    型号：APM2305AC 编号：C2959856
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用：负载/电源开关。 接口
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5203

    • 50+

      ￥0.4147

    • 150+

      ￥0.3619

    • 500+

      ￥0.3223

    • 3000+

      ￥0.2622

    • 6000+

      ￥0.2464
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=250~600 通用晶体管 PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40W,115 编号：C75563
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    采用超小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5419

    • 50+

      ￥0.4364

    • 150+

      ￥0.3837

    • 500+

      ￥0.333777 ￥0.3441

    • 3000+

      ￥0.303125 ￥0.3125

    • 6000+

      ￥0.287799 ￥0.2967
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:600V 电流:1A
    型号：1N60G 编号：C347324
    封装：SOT-223
    品牌：UMW(友台半导体)
    G表示SOT-223封装
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5471

    • 50+

      ￥0.4212

    • 150+

      ￥0.3582

    • 500+

      ￥0.3109

    • 2500+

      ￥0.2643

    • 5000+

      ￥0.2454
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
    型号：IRLML2402TRPBF 编号：C2588
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,20V,1.2A,250mΩ@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.555

    • 50+

      ￥0.4431

    • 150+

      ￥0.3872

    • 500+

      ￥0.338394 ￥0.3453

    • 3000+

      ￥0.305466 ￥0.3117

    • 6000+

      ￥0.289002 ￥0.2949
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:650V 电流:1A
    型号：1N65G 编号：C404319
    封装：SOT-223
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V) = 650 V。 ID = 1 A。 RDS(ON) = 8.5 Ω
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5559

    • 50+

      ￥0.4374

    • 150+

      ￥0.3781

    • 500+

      ￥0.3336

    • 2500+

      ￥0.2678

    • 5000+

      ￥0.25
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:1.6A
    型号：FDN5618P 编号：C3021110
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.57

    • 50+

      ￥0.4486

    • 150+

      ￥0.3878

    • 500+

      ￥0.3423

    • 3000+

      ￥0.2966

    • 6000+

      ￥0.2784
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:1.2A
    型号：IRLML2803TRPBF 编号：C2590
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6061

    • 50+

      ￥0.4861

    • 150+

      ￥0.4261

    • 500+

      ￥0.3811

    • 3000+

      ￥0.2856

    • 6000+

      ￥0.2675
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:3A 电压:30V
    型号：PBSS5330X,115 编号：C282551
    封装：SOT-89
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP低饱和电压（VCEsat）晶体管，采用SOT89塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6353

    • 50+

      ￥0.5653

    • 150+

      ￥0.5303

    • 1000+

      ￥0.48888 ￥0.504

    • 2000+

      ￥0.46851 ￥0.483

    • 5000+

      ￥0.458325 ￥0.4725
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：AO3415A 编号：C133233
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.0V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6483

    • 50+

      ￥0.5228

    • 150+

      ￥0.46

    • 500+

      ￥0.4129

    • 3000+

      ￥0.3381

    • 6000+

      ￥0.3192
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:2.3A
    型号：BSS306NH6327 编号：C72769
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道增强模式。逻辑电平(额定4.5V)。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。100%无铅;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6795

    • 50+

      ￥0.5444

    • 150+

      ￥0.4769

    • 500+

      ￥0.364136 ￥0.3958

    • 3000+

      ￥0.326876 ￥0.3553

    • 6000+

      ￥0.3082 ￥0.335
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:2A
    型号：BSS308PEH6327 编号：C2939946
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6861

    • 50+

      ￥0.5436

    • 150+

      ￥0.4723

    • 500+

      ￥0.4189

    • 3000+

      ￥0.3331

    • 6000+

      ￥0.3118
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7.6A
    型号：AO4606 编号：C2944311
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6952

    • 50+

      ￥0.5459

    • 150+

      ￥0.4713

    • 500+

      ￥0.4153

    • 3000+

      ￥0.3424

    • 6000+

      ￥0.32
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.63A
    型号：SI1012CR-T1-GE3 编号：C388850
    封装：SC-75A
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET，12V额定。 100% Rg测试。 栅源ESD保护：1000V。 RoHS合规，无卤。应用：便携式设备的负载/电源开关。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
    型号：NCE3080K 编号：C108901
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道，30V/80A，5.5毫欧。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：40N06 编号：C668202
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）为 60V。 漏极电流（ID）为 40A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 14mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 16mΩ（VGS = 4.5V）。 无铅产品
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    耐压:60V 电流:30A
    型号：30P06 编号：C18164395
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    特性：超低栅极电荷。 有绿色环保器件可选。 出色的CdvV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：PWM应用。 负载开关

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    1个P沟道 耐压:12V 电流:5.1A
    型号：SI2333CDS-T1-GE3 编号：C48179
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-12V,-5.1A,35mΩ@-4.5V
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    P通道,电流:11A,耐压:40V
    型号：AO4485 编号：C5334068
    封装：SOP8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-40V，-11A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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