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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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特性:驱动晶体管
数据手册
  • 20+

    ¥0.1486
  • 200+

    ¥0.1173
  • 600+

    ¥0.0999
  • 3000+

    ¥0.0894
  • 9000+

    ¥0.0804
  • 21000+

    ¥0.0755
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:开关应用
    • 20+

      ¥0.1541
    • 200+

      ¥0.1184
    • 600+

      ¥0.0986
    • 3000+

      ¥0.0868
    • 9000+

      ¥0.0765
    • 21000+

      ¥0.0709
  • 有货
  • K46(K46表示丝印)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1647
    • 200+

      ¥0.1323
    • 600+

      ¥0.1143
    • 3000+

      ¥0.0925
    • 9000+

      ¥0.0831
    • 21000+

      ¥0.078
  • 有货
  • 特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序文件。 低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 采用8mm、7英寸/3000单位的卷带包装。 直流电流增益(hFE)为100-300
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1706
    • 200+

      ¥0.1318
    • 600+

      ¥0.1102
    • 3000+

      ¥0.0942
    • 9000+

      ¥0.083
    • 21000+

      ¥0.077
  • 有货
  • 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于30V电压系统,提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性,特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中,实现精准、稳定的功率控制和转换需求。
    • 20+

      ¥0.170765 ¥0.2009
    • 200+

      ¥0.13124 ¥0.1544
    • 600+

      ¥0.10931 ¥0.1286
    • 3000+

      ¥0.095115 ¥0.1119
    • 9000+

      ¥0.08364 ¥0.0984
    • 21000+

      ¥0.07752 ¥0.0912
  • 有货
  • 1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制
    数据手册
    • 20+

      ¥0.17136 ¥0.2142
    • 200+

      ¥0.13248 ¥0.1656
    • 600+

      ¥0.11088 ¥0.1386
    • 3000+

      ¥0.0936 ¥0.117
    • 9000+

      ¥0.0824 ¥0.103
    • 30000+

      ¥0.07632 ¥0.0954
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
    数据手册
    • 20+

      ¥0.18189 ¥0.2021
    • 200+

      ¥0.14292 ¥0.1588
    • 600+

      ¥0.12132 ¥0.1348
    • 3000+

      ¥0.10026 ¥0.1114
    • 9000+

      ¥0.08901 ¥0.0989
    • 30000+

      ¥0.08298 ¥0.0922
  • 有货
  • 应用:电池保护。负载开关。电源管理
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1946
    • 200+

      ¥0.1498
    • 600+

      ¥0.1249
    • 3000+

      ¥0.1099
    • 9000+

      ¥0.097
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 特性:40V,5A。 RDS(ON) < 85mΩ @VGS = -10V,TYP: 65mΩ。 RDS(ON) < 120mΩ @VGS = -4.5V,TYP: 90mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。应用:接口开关。 负载开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1962
    • 200+

      ¥0.1703
    • 600+

      ¥0.1559
    • 3000+

      ¥0.1239
    • 9000+

      ¥0.1164
    • 21000+

      ¥0.1124
  • 有货
  • 特性:低饱和。 与FMMT591互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.19722 ¥0.2076
    • 200+

      ¥0.154755 ¥0.1629
    • 600+

      ¥0.131195 ¥0.1381
    • 3000+

      ¥0.110865 ¥0.1167
    • 9000+

      ¥0.09861 ¥0.1038
    • 21000+

      ¥0.09196 ¥0.0968
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1989
    • 200+

      ¥0.1564
    • 600+

      ¥0.1328
    • 3000+

      ¥0.1082
    • 9000+

      ¥0.0959
    • 21000+

      ¥0.0893
  • 有货
  • P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2073
    • 200+

      ¥0.1682
    • 600+

      ¥0.1465
    • 2000+

      ¥0.1334
    • 8000+

      ¥0.1076
    • 16000+

      ¥0.1015
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2315
    • 200+

      ¥0.1781
    • 600+

      ¥0.1484
    • 2000+

      ¥0.1306
    • 8000+

      ¥0.1188
    • 16000+

      ¥0.1105
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@1.8V,2A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.23166 ¥0.2574
    • 100+

      ¥0.18927 ¥0.2103
    • 300+

      ¥0.16812 ¥0.1868
    • 3000+

      ¥0.13392 ¥0.1488
    • 6000+

      ¥0.12114 ¥0.1346
    • 9000+

      ¥0.11484 ¥0.1276
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。该器件适用于用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2331
    • 200+

      ¥0.1761
    • 600+

      ¥0.1444
    • 3000+

      ¥0.1254
    • 9000+

      ¥0.1089
    • 21000+

      ¥0.1
  • 有货
  • AP2003采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻Rps(on)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还适用于众多其他应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2379
    • 100+

      ¥0.2005
    • 300+

      ¥0.1817
    • 3000+

      ¥0.1677
    • 6000+

      ¥0.1565
    • 9000+

      ¥0.1509
  • 有货
  • 特性:适用于音频功率放大器和低速开关应用。 SOT-23封装
    数据手册
    • 10+

      ¥0.241395 ¥0.2541
    • 100+

      ¥0.190285 ¥0.2003
    • 300+

      ¥0.16473 ¥0.1734
    • 3000+

      ¥0.147535 ¥0.1553
    • 6000+

      ¥0.13224 ¥0.1392
    • 9000+

      ¥0.124545 ¥0.1311
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V, RDS(ON) ≤ 65mΩ @VGS = -4.5V, ID = -3.7A。 超低导通电阻。 P沟道MOSFET。 快速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.24206 ¥0.2548
    • 100+

      ¥0.193705 ¥0.2039
    • 300+

      ¥0.16948 ¥0.1784
    • 3000+

      ¥0.14535 ¥0.153
    • 6000+

      ¥0.130815 ¥0.1377
    • 9000+

      ¥0.123595 ¥0.1301
  • 有货
  • AO3400A是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。AO3400A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2526
    • 200+

      ¥0.2007
    • 600+

      ¥0.1748
    • 3000+

      ¥0.1354
    • 9000+

      ¥0.1198
    • 21000+

      ¥0.112
  • 有货
  • 带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2645
    • 200+

      ¥0.2013
    • 600+

      ¥0.1662
    • 3000+

      ¥0.1451
    • 9000+

      ¥0.1269
    • 21000+

      ¥0.117
  • 有货
  • 这款NPN型三极管具有1A的电流处理能力和80V的耐压特性。其放大倍数介于100至250之间,适用于精密信号放大。在频率方面,它可支持高达130MHz的操作,确保信号传输的稳定性。适合用于对电子信号进行控制和放大的应用场合。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2946
    • 100+

      ¥0.2393
    • 300+

      ¥0.2117
    • 1000+

      ¥0.1709
    • 5000+

      ¥0.1543
    • 10000+

      ¥0.146
  • 有货
  • 这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产,用于最大限度地减少导通电阻,同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.3022
    • 200+

      ¥0.2482
    • 600+

      ¥0.2182
    • 3000+

      ¥0.1311
    • 9000+

      ¥0.1155
    • 21000+

      ¥0.107
  • 有货
  • P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3147
    • 100+

      ¥0.2497
    • 300+

      ¥0.2173
    • 3000+

      ¥0.1929
    • 6000+

      ¥0.1735
    • 9000+

      ¥0.1637
  • 有货
  • 本产品是一款P型场效应管,具有7A的电流承载能力,最高20V的工作电压。其内阻典型值为20mΩ,栅源极电压VGS为12V。适用于多种应用场景,如电源管理、信号放大等,确保系统稳定运行。低内阻使其具备高效能特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.325194 ¥0.3918
    • 100+

      ¥0.264272 ¥0.3184
    • 300+

      ¥0.233728 ¥0.2816
    • 3000+

      ¥0.195133 ¥0.2351
    • 6000+

      ¥0.17679 ¥0.213
    • 9000+

      ¥0.16766 ¥0.202
  • 有货
  • 特性:高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:PWM应用。 负载开关
    • 10+

      ¥0.3374
    • 100+

      ¥0.2654
    • 300+

      ¥0.2294
    • 3000+

      ¥0.2024
    • 6000+

      ¥0.1808
    • 9000+

      ¥0.17
  • 有货
  • 特性:功率耗散
    数据手册
    • 10+

      ¥0.35343 ¥0.3927
    • 100+

      ¥0.29079 ¥0.3231
    • 300+

      ¥0.25947 ¥0.2883
    • 1000+

      ¥0.19782 ¥0.2198
    • 5000+

      ¥0.17901 ¥0.1989
    • 10000+

      ¥0.16956 ¥0.1884
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3659
    • 100+

      ¥0.2916
    • 300+

      ¥0.2545
    • 3000+

      ¥0.2254
    • 6000+

      ¥0.2031
    • 9000+

      ¥0.192
  • 有货
  • 采用超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN通用晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对:BC857BS
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3728
    • 100+

      ¥0.2942
    • 300+

      ¥0.255
    • 3000+

      ¥0.221265 ¥0.2235
    • 6000+

      ¥0.197901 ¥0.1999
    • 9000+

      ¥0.186318 ¥0.1882
  • 有货
    • 10+

      ¥0.4065
    • 100+

      ¥0.3154
    • 300+

      ¥0.2699
    • 3000+

      ¥0.2258
    • 6000+

      ¥0.1985
    • 9000+

      ¥0.1848
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4474
    • 50+

      ¥0.3924
    • 150+

      ¥0.3649
    • 500+

      ¥0.3443
    • 3000+

      ¥0.297
    • 6000+

      ¥0.2888
  • 有货
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